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在電性失效分析領(lǐng)域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區(qū)域。芯片在高壓或大電流應(yīng)力下運行時，這些缺陷部位會產(chǎn)生局部光發(fā)射，而正常區(qū)域則保持暗場狀態(tài)。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態(tài)下直接進行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封...

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能 InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）熱輻射信號的高精度捕捉。InSb 材料具備優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低本征噪聲，在制冷條件下可實現(xiàn) nW 級熱靈敏度與優(yōu)于 20 mK 的溫度分辨率，支持高精度、非接觸式熱成像...

EMMI 技術(shù)自誕生以來，經(jīng)歷了漫長且關(guān)鍵的發(fā)展歷程。早期的 EMMI 受限于探測器靈敏度與光學(xué)系統(tǒng)分辨率，只能檢測較為明顯的半導(dǎo)體缺陷，應(yīng)用范圍相對狹窄。隨著科技的飛速進步，新型深制冷型探測器問世，極大降低了噪聲干擾，拓寬了光信號探測范圍；同時，高分辨率顯微...

在不同類型的半導(dǎo)體產(chǎn)品中，EMMI（微光顯微鏡） 扮演著差異化卻同樣重要的角色。對于功率半導(dǎo)體，如 IGBT 模塊，其工作時承受高電壓、大電流，微小的缺陷極易引發(fā)過熱甚至燒毀。EMMI 能夠檢測到因缺陷產(chǎn)生的異常光發(fā)射，幫助工程師排查出芯片內(nèi)部的擊穿點或接觸不...

在研發(fā)階段，當(dāng)原型芯片出現(xiàn)邏輯錯誤、漏電或功耗異常等問題時，工程師可以利用微光顯微鏡、探針臺等高精度設(shè)備對失效點進行精確定位，并結(jié)合電路仿真、材料分析等方法，追溯至可能存在的設(shè)計缺陷，如布局不合理、時序偏差，或工藝參數(shù)異常，從而為芯片優(yōu)化提供科學(xué)依據(jù)。 ...

EMMI 技術(shù)自誕生以來，經(jīng)歷了漫長且關(guān)鍵的發(fā)展歷程。早期的 EMMI 受限于探測器靈敏度與光學(xué)系統(tǒng)分辨率，只能檢測較為明顯的半導(dǎo)體缺陷，應(yīng)用范圍相對狹窄。隨著科技的飛速進步，新型深制冷型探測器問世，極大降低了噪聲干擾，拓寬了光信號探測范圍；同時，高分辨率顯微...

在電子器件和半導(dǎo)體元件的檢測環(huán)節(jié)中，如何在不損壞樣品的情況下獲得可靠信息，是保證研發(fā)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)分析手段，如剖片、電鏡掃描等，雖然能夠提供一定的內(nèi)部信息，但往往具有破壞性，導(dǎo)致樣品無法重復(fù)使用。微光顯微鏡在這一方面展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢，它通過非接觸的光...

在半導(dǎo)體MEMS器件檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡憑借超靈敏的感知能力，展現(xiàn)出不可替代的技術(shù)價值。MEMS器件的中心結(jié)構(gòu)多以微米級尺度存在，這些微小部件在運行過程中產(chǎn)生的紅外輻射變化極其微弱——其信號強度往往低于常規(guī)檢測設(shè)備的感知閾值，卻能被微光顯微鏡捕捉。借助先進的光...

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發(fā)的微弱光發(fā)射方面更具優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長捕捉因功率耗散導(dǎo)致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對比中，EMMI 無需真空環(huán)境，...

在微光顯微鏡（EMMI）檢測中，部分缺陷會以亮點形式呈現(xiàn)， 例如：漏電結(jié)（JunctionLeakage）接觸毛刺（ContactSpiking）熱電子效應(yīng)（HotElectrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（GateOxideDefe...

在芯片失效分析的流程中，失效背景調(diào)查相當(dāng)于提前設(shè)置好的“導(dǎo)航系統(tǒng)”，它能夠為分析人員提供清晰的方向，幫助快速掌握樣品的整體情況，為后續(xù)環(huán)節(jié)奠定可靠基礎(chǔ)。 首先需要明確的是芯片的型號信息。不同型號的芯片在電路結(jié)構(gòu)、工作原理和設(shè)計目標(biāo)上都可能存在較大差異...

致晟光電研發(fā)的熱紅外顯微鏡配置了性能優(yōu)異的InSb（銦銻）探測器，能夠在中波紅外波段（3–5 μm）有效捕捉熱輻射信號。該材料在光電轉(zhuǎn)換方面表現(xiàn)突出，同時具備極低的本征噪聲。 在制冷條件下，探測器實現(xiàn)了納瓦級的熱靈敏度，并具備20mK以內(nèi)的溫度分辨能...

作為國內(nèi)少數(shù)掌握 Thermal EMMI 技術(shù)并實現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)之一，致晟光電在設(shè)備國產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)落地方面取得了雙重突破。設(shè)備在光路設(shè)計、探測器匹配、樣品平臺穩(wěn)定性等關(guān)鍵環(huán)節(jié)均采用自主方案，確保整機性能穩(wěn)定且易于維護。更重要的是，致晟光電深度參與國內(nèi)封測廠、晶圓...

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發(fā)的微弱光發(fā)射方面更具優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長捕捉因功率耗散導(dǎo)致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對比中，EMMI 無需真空環(huán)境，...

例如，當(dāng)某批芯片在測試中出現(xiàn)漏電失效時，微光顯微鏡能夠準(zhǔn)確定位具體的失效位置，為后續(xù)分析提供堅實基礎(chǔ)。通過該定位信息，工程師可結(jié)合聚焦離子束（FIB）切割技術(shù)，對芯片截面進行精細(xì)觀察，從而追溯至柵氧層缺陷或氧化工藝異常等具體問題環(huán)節(jié)。這一能力使得微光顯微鏡...

EMMI 技術(shù)自誕生以來，經(jīng)歷了漫長且關(guān)鍵的發(fā)展歷程。早期的 EMMI 受限于探測器靈敏度與光學(xué)系統(tǒng)分辨率，只能檢測較為明顯的半導(dǎo)體缺陷，應(yīng)用范圍相對狹窄。隨著科技的飛速進步，新型深制冷型探測器問世，極大降低了噪聲干擾，拓寬了光信號探測范圍；同時，高分辨率顯微...

隨著半導(dǎo)體器件向先進封裝（如 2.5D/3D IC、Chiplet 集成）方向發(fā)展，傳統(tǒng)失效分析方法在穿透力和分辨率之間往往存在取舍。而 Thermal EMMI 在這一領(lǐng)域展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢，它能夠透過硅層或封裝材料觀測內(nèi)部熱點分布，并在不破壞結(jié)構(gòu)的情況下快速鎖...

Obirch（光束誘導(dǎo)電阻變化）與EMMI微光顯微鏡是同一設(shè)備的不同工作模式。當(dāng)金屬覆蓋區(qū)域存在熱點時，Obirch（光束誘導(dǎo)電阻變化）同樣能夠?qū)崿F(xiàn)有效檢測。兩種模式均支持正面與背面的失效定位，可在大范圍內(nèi)快速且精確地鎖定集成電路中的微小缺陷點。結(jié)合后續(xù)的去層...

例如，當(dāng)某批芯片在測試中出現(xiàn)漏電失效時，微光顯微鏡能夠準(zhǔn)確定位具體的失效位置，為后續(xù)分析提供堅實基礎(chǔ)。通過該定位信息，工程師可結(jié)合聚焦離子束（FIB）切割技術(shù)，對芯片截面進行精細(xì)觀察，從而追溯至柵氧層缺陷或氧化工藝異常等具體問題環(huán)節(jié)。這一能力使得微光顯微鏡...

Thermal EMMI（Thermal Emission Microscopy）是一種利用半導(dǎo)體器件在工作過程中微弱熱輻射和光發(fā)射信號進行失效點定位的先進顯微技術(shù)。它通過高靈敏度探測器捕捉納瓦級別的紅外信號，并結(jié)合光學(xué)放大系統(tǒng)實現(xiàn)微米甚至亞微米級的空間分辨率...

熱紅外顯微鏡在半導(dǎo)體IC裸芯片的熱檢測中具有不可替代的作用。裸芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)高度精密、集成度極高，即便是微小的熱異常，也可能影響性能甚至引發(fā)失效，因此精確的熱檢測至關(guān)重要。 依托非接觸式成像原理，熱紅外顯微鏡能夠清晰呈現(xiàn)芯片工作過程中的熱分布與溫度變化...

致晟光電研發(fā)的熱紅外顯微鏡配置了性能優(yōu)異的InSb（銦銻）探測器，能夠在中波紅外波段（3–5 μm）有效捕捉熱輻射信號。該材料在光電轉(zhuǎn)換方面表現(xiàn)突出，同時具備極低的本征噪聲。 在制冷條件下，探測器實現(xiàn)了納瓦級的熱靈敏度，并具備20mK以內(nèi)的溫度分辨能...

失效分析是一種系統(tǒng)性技術(shù)流程，通過多種檢測手段、實驗驗證以及深入分析，探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計、制造和使用各階段出現(xiàn)故障、性能異?；蚴У母驹颉Ｅc單純發(fā)現(xiàn)問題不同，失效分析更強調(diào)精確定位失效源頭，追蹤導(dǎo)致異常的具體因素，從而為改進設(shè)計、優(yōu)化工藝或調(diào)整使用條件提...

在電子器件和半導(dǎo)體元件的檢測環(huán)節(jié)中，如何在不損壞樣品的情況下獲得可靠信息，是保證研發(fā)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)分析手段，如剖片、電鏡掃描等，雖然能夠提供一定的內(nèi)部信息，但往往具有破壞性，導(dǎo)致樣品無法重復(fù)使用。微光顯微鏡在這一方面展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢，它通過非接觸的光...

在電性失效分析領(lǐng)域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區(qū)域。芯片在高壓或大電流應(yīng)力下運行時，這些缺陷部位會產(chǎn)生局部光發(fā)射，而正常區(qū)域則保持暗場狀態(tài)。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態(tài)下直接進行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封...

熱點區(qū)域?qū)?yīng)高溫部位，可能是發(fā)熱源或故障點；等溫線連接溫度相同點，直觀呈現(xiàn)溫度梯度與熱量傳導(dǎo)規(guī)律。 當(dāng)前市面上多數(shù)設(shè)備受限于紅外波長及探測器性能，普遍存在熱點分散、噪點繁多的問題，直接導(dǎo)致發(fā)熱區(qū)域定位偏差、圖像對比度與清晰度下降，嚴(yán)重影響溫度分布判斷...

微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點的缺陷，如：1.漏電結(jié)(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(yīng)(Hotelectrons);4.閂鎖效應(yīng)(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Le...

致晟光電的EMMI微光顯微鏡依托公司在微弱光信號處理領(lǐng)域技術(shù)，將半導(dǎo)體器件在通電狀態(tài)下產(chǎn)生的極低強度光信號捕捉并成像。當(dāng)器件內(nèi)部存在PN結(jié)擊穿、漏電通道、金屬遷移等缺陷時，會釋放特定波長的光子。致晟光電通過高靈敏度InGaAs探測器、低噪聲光學(xué)系統(tǒng)與自研信號放...

隨著半導(dǎo)體器件向先進封裝（如 2.5D/3D IC、Chiplet 集成）方向發(fā)展，傳統(tǒng)失效分析方法在穿透力和分辨率之間往往存在取舍。而 Thermal EMMI 在這一領(lǐng)域展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢，它能夠透過硅層或封裝材料觀測內(nèi)部熱點分布，并在不破壞結(jié)構(gòu)的情況下快速鎖...

在微電子、半導(dǎo)體以及材料研究等高精度領(lǐng)域，溫度始終是影響器件性能與壽命的重要因素。隨著芯片工藝向高密度和高功率方向發(fā)展，器件內(nèi)部的熱行為愈發(fā)復(fù)雜。傳統(tǒng)的熱測試方法由于依賴接觸探測，往往在空間分辨率、靈敏度和操作便捷性方面存在局限，難以滿足對新型芯片與功率器件的...