在電性失效分析領(lǐng)域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測(cè)擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區(qū)域。芯片在高壓或大電流應(yīng)力下運(yùn)行時(shí)，這些缺陷部位會(huì)產(chǎn)生局部光發(fā)射，而正常區(qū)域則保持暗場(chǎng)狀態(tài)。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態(tài)下直接進(jìn)行非接觸式觀測(cè)，快速定位失效點(diǎn)，無(wú)需拆封或破壞結(jié)構(gòu)。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因?yàn)樗茉趶?fù)雜的布線網(wǎng)絡(luò)中精細(xì)鎖定問(wèn)題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統(tǒng)聯(lián)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)不同工作模式下的動(dòng)態(tài)成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴性，幫助工程師制定更有針對(duì)性的設(shè)計(jì)優(yōu)化或工藝改進(jìn)方案。微光顯微鏡的快速預(yù)熱功能，可縮短設(shè)備啟動(dòng)至正常工作的時(shí)間，提高檢測(cè)效率。國(guó)內(nèi)微光顯微鏡圖像分析

在半導(dǎo)體器件失效分析過(guò)程中，如何在極低光照條件下準(zhǔn)確捕捉到缺陷信息，一直是工程師面臨的難題。傳統(tǒng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備在低照度環(huán)境下往往會(huì)出現(xiàn)噪聲高、成像模糊等問(wèn)題，導(dǎo)致缺陷難以被有效識(shí)別。微光顯微鏡正是針對(duì)這一需求而研發(fā)的，它通過(guò)高靈敏度探測(cè)器與優(yōu)化的光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠在極低照度下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定而清晰的成像。對(duì)于芯片失效分析而言，電路內(nèi)部的微小漏電點(diǎn)或材料缺陷往往會(huì)釋放極為微弱的光信號(hào)，而微光顯微鏡可以將這些信號(hào)放大并呈現(xiàn)，從而幫助分析人員快速鎖定潛在問(wèn)題區(qū)域。借助該技術(shù)，不僅能夠提高分析效率，還能減少重復(fù)檢測(cè)和破壞性實(shí)驗(yàn)的需求，降低整體研發(fā)與維護(hù)成本。因此，微光顯微鏡在半導(dǎo)體失效分析中的應(yīng)用價(jià)值，正在不斷凸顯，并逐漸成為實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)線的必備檢測(cè)工具。顯微微光顯微鏡用戶體驗(yàn)借助微光顯微鏡，研發(fā)團(tuán)隊(duì)能快速實(shí)現(xiàn)缺陷閉環(huán)驗(yàn)證。

致晟光電的EMMI微光顯微鏡依托公司在微弱光信號(hào)處理領(lǐng)域技術(shù)，將半導(dǎo)體器件在通電狀態(tài)下產(chǎn)生的極低強(qiáng)度光信號(hào)捕捉并成像。當(dāng)器件內(nèi)部存在PN結(jié)擊穿、漏電通道、金屬遷移等缺陷時(shí)，會(huì)釋放特定波長(zhǎng)的光子。致晟光電通過(guò)高靈敏度InGaAs探測(cè)器、低噪聲光學(xué)系統(tǒng)與自研信號(hào)放大算法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)納瓦級(jí)光信號(hào)的高信噪比捕捉。該技術(shù)無(wú)需破壞樣品，即可完成非接觸式檢測(cè)，尤其適合3D封裝、先進(jìn)制程芯片的缺陷定位。憑借南京理工大學(xué)科研力量支持，公司在探測(cè)靈敏度、數(shù)據(jù)處理速度、圖像質(zhì)量等方面，幫助客戶更快完成失效分析與良率優(yōu)化。

在芯片失效分析的流程中，失效背景調(diào)查相當(dāng)于提前設(shè)置好的“導(dǎo)航系統(tǒng)”，它能夠?yàn)榉治鋈藛T提供清晰的方向，幫助快速掌握樣品的整體情況，為后續(xù)環(huán)節(jié)奠定可靠基礎(chǔ)。

首先需要明確的是芯片的型號(hào)信息。不同型號(hào)的芯片在電路結(jié)構(gòu)、工作原理和設(shè)計(jì)目標(biāo)上都可能存在較大差異，因此型號(hào)的收集與確認(rèn)是所有分析工作的起點(diǎn)。緊隨其后的是應(yīng)用場(chǎng)景的梳理。

無(wú)論芯片是應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域，使用環(huán)境和運(yùn)行負(fù)荷都會(huì)不同，這些條件會(huì)直接影響失效表現(xiàn)及其可能原因。 微光顯微鏡在IC封裝檢測(cè)中展現(xiàn)出高對(duì)比度成像優(yōu)勢(shì)。

在芯片和電子器件的故障診斷過(guò)程中，精度往往決定了后續(xù)分析與解決的效率。傳統(tǒng)檢測(cè)方法雖然能夠大致鎖定問(wèn)題范圍，但在高密度電路或納米級(jí)結(jié)構(gòu)中，往往難以將缺陷精確定位到具體點(diǎn)位。微光顯微鏡憑借對(duì)微弱發(fā)光信號(hào)的高分辨率捕捉能力，實(shí)現(xiàn)了故障點(diǎn)的可視化。當(dāng)器件因缺陷產(chǎn)生局部能量釋放時(shí)，這些信號(hào)極其微小且容易被環(huán)境噪聲淹沒(méi)，但微光顯微鏡能通過(guò)優(yōu)化的光學(xué)系統(tǒng)和信號(hào)處理算法，將其清晰分離并呈現(xiàn)。相比傳統(tǒng)方法，微光顯微鏡的定位精度提升了一個(gè)數(shù)量級(jí)，縮短了排查時(shí)間，同時(shí)降低了誤判率。對(duì)于高性能芯片和關(guān)鍵器件而言，這種尤為重要，因?yàn)槿魏螡撛谌毕荻伎赡苡绊懻w性能。微光顯微鏡的引入，使故障分析從“模糊排查”轉(zhuǎn)向“點(diǎn)對(duì)點(diǎn)定位”，為電子產(chǎn)業(yè)的可靠性提升提供了有力保障。微光顯微鏡降低了分析周期成本，加速問(wèn)題閉環(huán)解決。國(guó)內(nèi)微光顯微鏡圖像分析

微光顯微鏡適配多種探測(cè)模式，兼顧科研與工業(yè)應(yīng)用。國(guó)內(nèi)微光顯微鏡圖像分析

在致晟光電EMMI微光顯微鏡的成像中，背景被完全壓暗，缺陷位置呈現(xiàn)高亮發(fā)光斑點(diǎn)，形成極高的視覺(jué)對(duì)比度。公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)在圖像采集算法中引入了多幀累積與動(dòng)態(tài)背景抑制技術(shù)，使得信號(hào)在極低亮度下仍能清晰顯現(xiàn)。該設(shè)備能夠捕捉納秒至毫秒級(jí)的瞬態(tài)光信號(hào)，適用于分析ESD擊穿、閂鎖效應(yīng)、擊穿電流路徑等問(wèn)題。與傳統(tǒng)顯微技術(shù)相比，致晟光電的系統(tǒng)不僅分辨率更高，還能結(jié)合鎖相模式進(jìn)行時(shí)間相關(guān)分析，為失效機(jī)理判斷提供更多維度數(shù)據(jù)。這種成像優(yōu)勢(shì)，使EMMI成為公司在半導(dǎo)體失效分析業(yè)務(wù)中相當(dāng)有代表性的**產(chǎn)品之一。國(guó)內(nèi)微光顯微鏡圖像分析