在微光顯微鏡（EMMI）檢測中，部分缺陷會以亮點(diǎn)形式呈現(xiàn)，

例如：漏電結(jié)（JunctionLeakage）接觸毛刺（ContactSpiking）熱電子效應(yīng)（HotElectrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（GateOxideDefects/Leakage，F(xiàn)-N電流）多晶硅晶須（Poly-SiliconFilaments）襯底損傷（SubstrateDamage）物理損傷（MechanicalDamage）等。

同時(shí)，在某些情況下，樣品本身的正常工作也可能產(chǎn)生亮點(diǎn)，例如：飽和/工作中的雙極型晶體管（Saturated/ActiveBipolarTransistors）飽和的MOS或動(dòng)態(tài)CMOS（SaturatedMOS/DynamicCMOS）正向偏置二極管（ForwardBiasedDiodes）反向偏置二極管擊穿（Reverse-BiasedDiodesBreakdown）等。

因此，觀察到亮點(diǎn)時(shí)，需要結(jié)合電氣測試與結(jié)構(gòu)分析，區(qū)分其是缺陷發(fā)光還是正常工作發(fā)光。此外，部分缺陷不會產(chǎn)生亮點(diǎn)，如：歐姆接觸金屬互聯(lián)短路表面反型層硅導(dǎo)電通路等。

若亮點(diǎn)被金屬層或其他結(jié)構(gòu)遮蔽（如BuriedJunctions、LeakageSitesUnderMetal），可嘗試采用背面（Backside）成像模式。但此模式只能探測近紅外波段的發(fā)光，并需要對樣品進(jìn)行減薄及拋光處理。 國產(chǎn)微光顯微鏡技術(shù)成熟，具備完整工藝。半導(dǎo)體微光顯微鏡按需定制

對于半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言，排查失效問題往往是一場步步受阻的過程。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝缺陷等潛在因素后，若仍無法定位問題根源，往往需要依賴芯片原廠介入，借助剖片分析手段深入探查芯片內(nèi)核。然而現(xiàn)實(shí)中，由于缺乏專業(yè)的失效分析設(shè)備，再加之芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)牽涉大量專有與保密信息，工程師很難真正理解其底層構(gòu)造。這種信息不對稱，使得他們在面對原廠出具的分析報(bào)告時(shí)，往往陷入“被動(dòng)接受”的困境——既難以驗(yàn)證報(bào)告中具體結(jié)論的準(zhǔn)確性，也難以基于自身判斷提出更具針對性的質(zhì)疑或補(bǔ)充分析路徑。非制冷微光顯微鏡對比微光顯微鏡為科研人員提供穩(wěn)定可靠的成像數(shù)據(jù)支撐。

在微光顯微鏡（EMMI）的操作過程中，對樣品施加適當(dāng)電壓時(shí)，其失效點(diǎn)會由于載流子加速散射或電子-空穴對復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長的光子。這些光子經(jīng)過光學(xué)采集與圖像處理后，可形成一張清晰的信號圖，用于反映樣品在供電狀態(tài)下的發(fā)光特征。隨后，通過取消施加在樣品上的電壓，在無電狀態(tài)下采集一張背景圖，用于記錄環(huán)境光和儀器噪聲。將信號圖與背景圖進(jìn)行疊加和差分處理，可以精確識別并定位發(fā)光點(diǎn)的位置，實(shí)現(xiàn)對失效點(diǎn)的高精度定位。為了進(jìn)一步提升定位精度，通常會結(jié)合多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如，可通過濾波算法有效去除背景噪聲，提高信號圖的信噪比；同時(shí)利用邊緣檢測技術(shù)，突出發(fā)光點(diǎn)的邊界特征，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的定位與輪廓識別。借助這些方法，EMMI能夠?qū)Π雽?dǎo)體芯片、集成電路及微電子器件的失效點(diǎn)進(jìn)行精確分析，為故障排查、工藝優(yōu)化和設(shè)計(jì)改進(jìn)提供可靠依據(jù)，并提升失效分析的效率和準(zhǔn)確性。

微光紅外顯微儀是一種高靈敏度的失效分析設(shè)備，可在非破壞性條件下，對封裝器件及芯片的多種失效模式進(jìn)行精細(xì)檢測與定位。其應(yīng)用范圍涵蓋：芯片封裝打線缺陷及內(nèi)部線路短路、介電層（Oxide）漏電、晶體管和二極管漏電、TFT LCD面板及PCB/PCBA金屬線路缺陷與短路、ESD閉鎖效應(yīng)、3D封裝（Stacked Die）失效點(diǎn)深度（Z軸）預(yù)估、低阻抗短路（＜10 Ω）問題分析，以及芯片鍵合對準(zhǔn)精度檢測。相比傳統(tǒng)方法，微光紅外顯微儀無需繁瑣的去層處理，能夠通過檢測器捕捉異常輻射信號，快速鎖定缺陷位置，大幅縮短分析時(shí)間，降低樣品損傷風(fēng)險(xiǎn)，為半導(dǎo)體封裝測試、產(chǎn)品質(zhì)量控制及研發(fā)優(yōu)化提供高效可靠的技術(shù)手段。它不依賴外部激發(fā)（如激光或電流注入），而是利用芯片本身在運(yùn)行或偏壓狀態(tài)下產(chǎn)生的“自發(fā)光”；

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發(fā)的微弱光發(fā)射方面更具優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長捕捉因功率耗散導(dǎo)致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對比中，EMMI 無需真空環(huán)境，且屬于非破壞性檢測，但 SEM 在微觀形貌觀察的分辨率上更勝一籌。在實(shí)際失效分析中，這些技術(shù)往往互為補(bǔ)充——可先利用 EMMI 快速鎖定缺陷的大致區(qū)域，再借助 SEM 或 FIB 對目標(biāo)位置進(jìn)行精細(xì)剖析與結(jié)構(gòu)驗(yàn)證，從而形成完整的分析鏈路。
高昂的海外價(jià)格，讓國產(chǎn)替代更具競爭力。制造微光顯微鏡選購指南

微光顯微鏡在IC封裝檢測中展現(xiàn)出高對比度成像優(yōu)勢。半導(dǎo)體微光顯微鏡按需定制

失效分析是一種系統(tǒng)性技術(shù)流程，通過多種檢測手段、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以及深入分析，探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計(jì)、制造和使用各階段出現(xiàn)故障、性能異常或失效的根本原因。與單純發(fā)現(xiàn)問題不同，失效分析更強(qiáng)調(diào)精確定位失效源頭，追蹤導(dǎo)致異常的具體因素，從而為改進(jìn)設(shè)計(jì)、優(yōu)化工藝或調(diào)整使用條件提供科學(xué)依據(jù)。尤其在半導(dǎo)體行業(yè)，芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功能高度集成，任何微小的缺陷或工藝波動(dòng)都可能引發(fā)性能異?；蚴В虼耸Х治鲈谘邪l(fā)、量產(chǎn)和終端應(yīng)用的各個(gè)環(huán)節(jié)都發(fā)揮著不可替代的作用。在研發(fā)階段，它可以幫助工程師識別原型芯片設(shè)計(jì)缺陷或工藝偏差；在量產(chǎn)階段，則用于排查批量性失效的來源，優(yōu)化生產(chǎn)流程；在應(yīng)用階段，失效分析還能夠解析環(huán)境應(yīng)力或長期使用條件對芯片可靠性的影響，從而指導(dǎo)封裝、材料及系統(tǒng)設(shè)計(jì)的改進(jìn)。通過這一貫穿全生命周期的分析過程，半導(dǎo)體企業(yè)能夠更有效地提升產(chǎn)品質(zhì)量、保障性能穩(wěn)定性，并降低潛在風(fēng)險(xiǎn)，實(shí)現(xiàn)研發(fā)與生產(chǎn)的閉環(huán)優(yōu)化。半導(dǎo)體微光顯微鏡按需定制