失效分析是一種系統(tǒng)性技術(shù)流程，通過多種檢測手段、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以及深入分析，探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計(jì)、制造和使用各階段出現(xiàn)故障、性能異?；蚴У母驹?。與單純發(fā)現(xiàn)問題不同，失效分析更強(qiáng)調(diào)精確定位失效源頭，追蹤導(dǎo)致異常的具體因素，從而為改進(jìn)設(shè)計(jì)、優(yōu)化工藝或調(diào)整使用條件提供科學(xué)依據(jù)。尤其在半導(dǎo)體行業(yè)，芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功能高度集成，任何微小的缺陷或工藝波動(dòng)都可能引發(fā)性能異?；蚴?，因此失效分析在研發(fā)、量產(chǎn)和終端應(yīng)用的各個(gè)環(huán)節(jié)都發(fā)揮著不可替代的作用。在研發(fā)階段，它可以幫助工程師識別原型芯片設(shè)計(jì)缺陷或工藝偏差；在量產(chǎn)階段，則用于排查批量性失效的來源，優(yōu)化生產(chǎn)流程；在應(yīng)用階段，失效分析還能夠解析環(huán)境應(yīng)力或長期使用條件對芯片可靠性的影響，從而指導(dǎo)封裝、材料及系統(tǒng)設(shè)計(jì)的改進(jìn)。通過這一貫穿全生命周期的分析過程，半導(dǎo)體企業(yè)能夠更有效地提升產(chǎn)品質(zhì)量、保障性能穩(wěn)定性，并降低潛在風(fēng)險(xiǎn)，實(shí)現(xiàn)研發(fā)與生產(chǎn)的閉環(huán)優(yōu)化。微光顯微鏡具備非破壞性檢測特性，減少樣品損耗。微光顯微鏡成像儀

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發(fā)的微弱光發(fā)射方面更具優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長捕捉因功率耗散導(dǎo)致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對比中，EMMI 無需真空環(huán)境，且屬于非破壞性檢測，但 SEM 在微觀形貌觀察的分辨率上更勝一籌。在實(shí)際失效分析中，這些技術(shù)往往互為補(bǔ)充——可先利用 EMMI 快速鎖定缺陷的大致區(qū)域，再借助 SEM 或 FIB 對目標(biāo)位置進(jìn)行精細(xì)剖析與結(jié)構(gòu)驗(yàn)證，從而形成完整的分析鏈路。
廠家微光顯微鏡貨源充足二極管異常可直觀定位。

基于這些信息，可以初步判斷失效現(xiàn)象是否具有可重復(fù)性，并進(jìn)一步區(qū)分是由設(shè)計(jì)問題、制程工藝偏差還是應(yīng)用不當(dāng)（如過壓、靜電沖擊）所引發(fā)。其次，電性能驗(yàn)證能為失效定位提供更加直觀的依據(jù)。通過自動(dòng)測試設(shè)備（ATE）或探針臺（ProbeStation）對失效芯片進(jìn)行測試，復(fù)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)環(huán)境下的故障表現(xiàn)，并記錄關(guān)鍵參數(shù)，如電流-電壓曲線、漏電流以及閾值電壓的漂移。將這些數(shù)據(jù)與良品對照，可以縮小潛在失效區(qū)域的范圍，例如鎖定到某個(gè)功能模塊或局部電路。經(jīng)過這樣的準(zhǔn)備環(huán)節(jié)，整個(gè)失效分析過程能夠更有針對性，也更容易追溯問題的本質(zhì)原因。

除了型號和應(yīng)用場景，失效模式的記錄也至關(guān)重要。常見的失效模式包括短路、漏電以及功能異常等，它們分別對應(yīng)著不同的潛在風(fēng)險(xiǎn)。例如，短路通常與內(nèi)部導(dǎo)線或金屬互連的損壞有關(guān)，而漏電往往與絕緣層退化或材料缺陷密切相關(guān)。功能異常則可能提示器件邏輯單元或接口模塊的損壞。與此同時(shí)，統(tǒng)計(jì)失效比例能夠幫助判斷問題的普遍性。如果在同一批次中出現(xiàn)大面積失效，往往意味著可能存在設(shè)計(jì)缺陷或制程問題；相反，如果*有少量樣品發(fā)生失效，則需要考慮應(yīng)用環(huán)境不當(dāng)或使用方式異常。通過以上調(diào)查步驟，分析人員能夠在前期就形成較為清晰的判斷思路，為后續(xù)電性能驗(yàn)證和物理分析提供了堅(jiān)實(shí)的參考。微光顯微鏡憑借高信噪比，能清晰捕捉微弱光信號。

EMMI（Emission Microscopy，微光顯微鏡）是一種基于微弱光發(fā)射成像原理的“微光顯微鏡”，廣泛應(yīng)用于集成電路失效分析。其本質(zhì)在于：通過高靈敏度的InGaAs探測器，捕捉芯片在加電或工作狀態(tài)下因缺陷、漏電或擊穿等現(xiàn)象而產(chǎn)生的極其微弱的自發(fā)光信號。這些光信號通常位于近紅外波段，功率極低，肉眼無法察覺，必須借助專門設(shè)備放大成像。相比傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)檢測方法，EMMI無需破壞樣品，也無需額外激發(fā)源，具備非接觸、無損傷、定位等優(yōu)勢。其空間分辨率可達(dá)微米級，可用于閂鎖效應(yīng)、柵氧擊穿、短路、漏電等問題的初步診斷，是構(gòu)建失效分析閉環(huán)的重要手段之一。
通過算法優(yōu)化提升微光顯微鏡信號處理效率，讓微光顯微在 IC、IGBT 等器件檢測中響應(yīng)更快、定位更準(zhǔn)。非制冷微光顯微鏡銷售公司

微光顯微鏡適配多種探測模式，兼顧科研與工業(yè)應(yīng)用。微光顯微鏡成像儀

在微光顯微鏡（EMMI）檢測中，部分缺陷會以亮點(diǎn)形式呈現(xiàn)，

例如：漏電結(jié)（JunctionLeakage）接觸毛刺（ContactSpiking）熱電子效應(yīng)（HotElectrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（GateOxideDefects/Leakage，F(xiàn)-N電流）多晶硅晶須（Poly-SiliconFilaments）襯底損傷（SubstrateDamage）物理損傷（MechanicalDamage）等。

同時(shí)，在某些情況下，樣品本身的正常工作也可能產(chǎn)生亮點(diǎn)，例如：飽和/工作中的雙極型晶體管（Saturated/ActiveBipolarTransistors）飽和的MOS或動(dòng)態(tài)CMOS（SaturatedMOS/DynamicCMOS）正向偏置二極管（ForwardBiasedDiodes）反向偏置二極管擊穿（Reverse-BiasedDiodesBreakdown）等。

因此，觀察到亮點(diǎn)時(shí)，需要結(jié)合電氣測試與結(jié)構(gòu)分析，區(qū)分其是缺陷發(fā)光還是正常工作發(fā)光。此外，部分缺陷不會產(chǎn)生亮點(diǎn)，如：歐姆接觸金屬互聯(lián)短路表面反型層硅導(dǎo)電通路等。

若亮點(diǎn)被金屬層或其他結(jié)構(gòu)遮蔽（如BuriedJunctions、LeakageSitesUnderMetal），可嘗試采用背面（Backside）成像模式。但此模式只能探測近紅外波段的發(fā)光，并需要對樣品進(jìn)行減薄及拋光處理。 微光顯微鏡成像儀