作為國(guó)內(nèi)少數(shù)掌握 Thermal EMMI 技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)之一，致晟光電在設(shè)備國(guó)產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)落地方面取得了雙重突破。設(shè)備在光路設(shè)計(jì)、探測(cè)器匹配、樣品平臺(tái)穩(wěn)定性等關(guān)鍵環(huán)節(jié)均采用自主方案，確保整機(jī)性能穩(wěn)定且易于維護(hù)。更重要的是，致晟光電深度參與國(guó)內(nèi)封測(cè)廠、晶圓廠及科研機(jī)構(gòu)的失效分析項(xiàng)目，將 Thermal EMMI 不僅用于研發(fā)驗(yàn)證，還延伸至生產(chǎn)線質(zhì)量監(jiān)控和來(lái)料檢測(cè)。這種從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)線的轉(zhuǎn)變，意味著 Thermal EMMI 不再只是少數(shù)工程師的“顯微鏡”，而是成為支撐國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)質(zhì)量提升的重要裝備。通過(guò)持續(xù)優(yōu)化算法、提升檢測(cè)效率，致晟光電正推動(dòng) Thermal EMMI 技術(shù)在國(guó)內(nèi)形成成熟的應(yīng)用生態(tài)，為本土芯片制造保駕護(hù)航。芯片復(fù)雜度提升對(duì)缺陷定位技術(shù)的精度與靈敏度提出更高要求。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡儀器

在半導(dǎo)體失效分析實(shí)驗(yàn)室中，工程師們常常面臨令人頭疼的難題：一塊價(jià)值百萬(wàn)的芯片突然“歇工”，卻遲遲找不到故障根源。傳統(tǒng)檢測(cè)手段輪番上陣——電性測(cè)試無(wú)從下手，物理開(kāi)蓋又可能破壞關(guān)鍵痕跡，整個(gè)分析仿佛陷入迷霧之中。這時(shí)，Thermal EMMI（熱紅外顯微鏡）如同一位敏銳的“熱力神探”登場(chǎng)。它能夠捕捉芯片在微觀層面發(fā)出的極其微弱的熱輻射與光信號(hào)，毫不干擾樣品本體，實(shí)現(xiàn)非接觸式成像。借助其高靈敏度和高空間分辨率，隱藏在納米尺度下的異常熱點(diǎn)被一一揭示，讓“沉默”的芯片重新開(kāi)口說(shuō)話，助力工程師快速鎖定失效位置，為后續(xù)修復(fù)與優(yōu)化提供明確方向。在眾多復(fù)雜失效場(chǎng)景中，Thermal EMMI已成為不可或缺的利器。
廠家熱紅外顯微鏡平臺(tái)區(qū)分 LED、激光二極管的電致發(fā)光熱點(diǎn)與熱輻射異常，優(yōu)化光電轉(zhuǎn)換效率。

Thermal和EMMI是半導(dǎo)體失效分析中常用的兩種定位技術(shù)，主要區(qū)別在于信號(hào)來(lái)源和應(yīng)用場(chǎng)景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過(guò)紅外成像捕捉芯片局部發(fā)熱區(qū)域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發(fā)溫升的失效現(xiàn)象，響應(yīng)快、直觀性強(qiáng)。而EMMI（微光顯微鏡）則依賴芯片在失效狀態(tài)下產(chǎn)生的微弱自發(fā)光信號(hào)進(jìn)行定位，尤其適用于分析ESD擊穿、漏電等低功耗器件中的電性缺陷。相較之下，Thermal更適合熱量明顯的故障場(chǎng)景，而EMMI則在熱信號(hào)不明顯但存在異常電性行為時(shí)更具優(yōu)勢(shì)。實(shí)際分析中，兩者常被集成使用，相輔相成，以實(shí)現(xiàn)失效點(diǎn)定位和問(wèn)題判斷。

在集成電路封裝環(huán)節(jié)，熱管理問(wèn)題一直是影響器件性能與壽命的**因素。隨著芯片集成度的不斷提升，封裝內(nèi)部的發(fā)熱現(xiàn)象越來(lái)越復(fù)雜，傳統(tǒng)的熱測(cè)試手段往往無(wú)法在微觀尺度上準(zhǔn)確呈現(xiàn)溫度分布。熱紅外顯微鏡憑借非接觸、高分辨率的成像特點(diǎn)，可以在器件工作狀態(tài)下實(shí)時(shí)捕捉發(fā)熱點(diǎn)的動(dòng)態(tài)變化。這一優(yōu)勢(shì)使工程師能夠清晰觀察封裝內(nèi)部散熱路徑是否合理，是否存在熱堆積或界面熱阻過(guò)高的情況。通過(guò)對(duì)成像結(jié)果的分析，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)能夠優(yōu)化封裝材料選擇和散熱結(jié)構(gòu)布局，從而大幅提升芯片的穩(wěn)定性與可靠性。熱紅外顯微鏡的引入，不僅加速了封裝設(shè)計(jì)的驗(yàn)證流程，也為新型高性能封裝技術(shù)的開(kāi)發(fā)提供了有力的實(shí)驗(yàn)依據(jù)。半導(dǎo)體芯片內(nèi)部缺陷定位是工藝優(yōu)化與失效分析的關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進(jìn)的非破壞性檢測(cè)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和半導(dǎo)體器件的精細(xì)故障定位。它能夠在不干擾或破壞被測(cè)對(duì)象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的微弱熱輻射和光信號(hào)，為工程師提供可靠的故障診斷和性能分析依據(jù)。尤其在復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件以及精密印制電路板（PCB）的檢測(cè)中，ThermalEMMI能夠迅速識(shí)別異常發(fā)熱或發(fā)光區(qū)域，這些區(qū)域通常與潛在缺陷、設(shè)計(jì)不足或性能問(wèn)題密切相關(guān)。通過(guò)對(duì)這些熱點(diǎn)的精確定位，研發(fā)和測(cè)試人員可以深入分析失效原因，指導(dǎo)工藝改進(jìn)或芯片優(yōu)化，從而提升產(chǎn)品可靠性和穩(wěn)定性。此外，ThermalEMMI的非接觸式測(cè)量特點(diǎn)使其能夠在芯片研發(fā)、量產(chǎn)檢測(cè)和終端應(yīng)用過(guò)程中實(shí)現(xiàn)連續(xù)監(jiān)測(cè)，為工程師提供高效、精細(xì)的分析工具，加速問(wèn)題排查和產(chǎn)品優(yōu)化流程，成為現(xiàn)代電子檢測(cè)與失效分析的重要技術(shù)支撐。在高低溫循環(huán)（-40℃~125℃）中監(jiān)測(cè)車載功率模塊、傳感器的熱疲勞退化。制造熱紅外顯微鏡故障維修

熱紅外顯微鏡憑借高靈敏度探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)芯片微米級(jí)紅外熱分布觀察，鎖定異常熱點(diǎn) 。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡儀器

隨著半導(dǎo)體器件向先進(jìn)封裝（如 2.5D/3D IC、Chiplet 集成）方向發(fā)展，傳統(tǒng)失效分析方法在穿透力和分辨率之間往往存在取舍。而 Thermal EMMI 在這一領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，它能夠透過(guò)硅層或封裝材料觀測(cè)內(nèi)部熱點(diǎn)分布，并在不破壞結(jié)構(gòu)的情況下快速鎖定缺陷位置。對(duì)于 TSV（硅通孔）結(jié)構(gòu)中的漏電、短路或工藝缺陷，Thermal EMMI 結(jié)合多波段探測(cè)和長(zhǎng)時(shí)間積分成像，可在微瓦級(jí)功耗下識(shí)別異常點(diǎn)，極大減少了高價(jià)值樣品的損壞風(fēng)險(xiǎn)。這一能力讓 Thermal EMMI 成為先進(jìn)封裝良率提升的重要保障，也為后續(xù)的物理剖片提供精確坐標(biāo)，從而節(jié)省分析時(shí)間與成本。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡儀器