隨著半導(dǎo)體器件向先進(jìn)封裝（如 2.5D/3D IC、Chiplet 集成）方向發(fā)展，傳統(tǒng)失效分析方法在穿透力和分辨率之間往往存在取舍。而 Thermal EMMI 在這一領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，它能夠透過(guò)硅層或封裝材料觀測(cè)內(nèi)部熱點(diǎn)分布，并在不破壞結(jié)構(gòu)的情況下快速鎖定缺陷位置。對(duì)于 TSV（硅通孔）結(jié)構(gòu)中的漏電、短路或工藝缺陷，Thermal EMMI 結(jié)合多波段探測(cè)和長(zhǎng)時(shí)間積分成像，可在微瓦級(jí)功耗下識(shí)別異常點(diǎn)，極大減少了高價(jià)值樣品的損壞風(fēng)險(xiǎn)。這一能力讓 Thermal EMMI 成為先進(jìn)封裝良率提升的重要保障，也為后續(xù)的物理剖片提供精確坐標(biāo)，從而節(jié)省分析時(shí)間與成本。熱紅外顯微鏡采用先進(jìn)的探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)對(duì)微小熱量變化的快速響應(yīng) 。廠家熱紅外顯微鏡批量定制

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進(jìn)的非破壞性檢測(cè)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和半導(dǎo)體器件的精細(xì)故障定位。它能夠在不干擾或破壞被測(cè)對(duì)象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的微弱熱輻射和光信號(hào)，為工程師提供可靠的故障診斷和性能分析依據(jù)。尤其在復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件以及精密印制電路板（PCB）的檢測(cè)中，ThermalEMMI能夠迅速識(shí)別異常發(fā)熱或發(fā)光區(qū)域，這些區(qū)域通常與潛在缺陷、設(shè)計(jì)不足或性能問(wèn)題密切相關(guān)。通過(guò)對(duì)這些熱點(diǎn)的精確定位，研發(fā)和測(cè)試人員可以深入分析失效原因，指導(dǎo)工藝改進(jìn)或芯片優(yōu)化，從而提升產(chǎn)品可靠性和穩(wěn)定性。此外，ThermalEMMI的非接觸式測(cè)量特點(diǎn)使其能夠在芯片研發(fā)、量產(chǎn)檢測(cè)和終端應(yīng)用過(guò)程中實(shí)現(xiàn)連續(xù)監(jiān)測(cè)，為工程師提供高效、精細(xì)的分析工具，加速問(wèn)題排查和產(chǎn)品優(yōu)化流程，成為現(xiàn)代電子檢測(cè)與失效分析的重要技術(shù)支撐。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡故障維修熱紅外顯微鏡對(duì)集成電路進(jìn)行熱檢測(cè)，排查內(nèi)部隱藏故障 。

致晟光電在推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研一體化進(jìn)程中，積極開(kāi)展多層次校企合作。公司依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院，專(zhuān)注于微弱光電信號(hào)分析相關(guān)產(chǎn)品及應(yīng)用的研發(fā)。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題，不斷優(yōu)化實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)（RTTLIT），使其溫度靈敏度達(dá)到0.0001℃，功率檢測(cè)限低至1μW，部分性能指標(biāo)在特定功能上已超過(guò)進(jìn)口設(shè)備。

除了與南京理工大學(xué)的緊密合作外，致晟光電還與多所高校建立了協(xié)作關(guān)系，搭建起學(xué)業(yè)與就業(yè)貫通的人才孵化平臺(tái)。平臺(tái)覆蓋研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)實(shí)踐、項(xiàng)目管理等全鏈條，為學(xué)生提供系統(tǒng)化的實(shí)踐鍛煉機(jī)會(huì)，培養(yǎng)出大量具備實(shí)際操作能力的專(zhuān)業(yè)人才，為企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展注入源源動(dòng)力。同時(shí)，公司通過(guò)建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道，使高校前沿科研成果能夠快速轉(zhuǎn)化為實(shí)際生產(chǎn)力，實(shí)現(xiàn)科研資源與企業(yè)市場(chǎng)轉(zhuǎn)化能力的有效結(jié)合，推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新邁上新臺(tái)階。

thermal emmi（熱紅外顯微鏡）是結(jié)合了熱成像與光電發(fā)射檢測(cè)技術(shù)的先進(jìn)設(shè)備，它不僅能捕捉半導(dǎo)體器件因缺陷產(chǎn)生的微弱光信號(hào)，還能同步記錄缺陷區(qū)域的溫度變化，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與熱信號(hào)的協(xié)同分析。當(dāng)半導(dǎo)體器件存在漏電等缺陷時(shí)，除了會(huì)產(chǎn)生載流子復(fù)合發(fā)光，往往還會(huì)伴隨局部溫度升高，thermal emmi 通過(guò)整合兩種檢測(cè)方式，可更好地反映缺陷的特性。例如，在檢測(cè)功率半導(dǎo)體器件時(shí)，它能同時(shí)定位漏電產(chǎn)生的微光信號(hào)和因漏電導(dǎo)致的局部過(guò)熱點(diǎn)，幫助工程師判斷缺陷的類(lèi)型和嚴(yán)重程度，為失效分析提供更豐富的信息。熱紅外顯微鏡在 SiC/GaN 功率器件檢測(cè)中，量化評(píng)估襯底界面熱阻分布。

對(duì)于3D封裝產(chǎn)品，傳統(tǒng)的失效點(diǎn)定位往往需要采用逐層去層的方法，一層一層地進(jìn)行異常排查與確認(rèn)，不僅耗時(shí)長(zhǎng)、人工成本高，還存在對(duì)樣品造成不可逆損傷的風(fēng)險(xiǎn)。借助Thermal EMMI設(shè)備，可通過(guò)檢測(cè)失效點(diǎn)熱輻射在傳導(dǎo)過(guò)程中的相位差，推算出失效點(diǎn)在3D封裝結(jié)構(gòu)中的深度位置（Z軸方向）。這一方法能夠在不破壞封裝的前提下，快速判斷失效點(diǎn)所在的芯片層級(jí)，實(shí)現(xiàn)高效、精細(xì)的失效定位。如圖7所示，不同深度空間下失效點(diǎn)與相位的關(guān)系為該技術(shù)提供了直觀的參考依據(jù)。工程師們常常面對(duì)這樣的困境：一塊價(jià)值百萬(wàn)的芯片突然“停工”，傳統(tǒng)檢測(cè)手段輪番上陣卻找不到故障點(diǎn)。半導(dǎo)體熱紅外顯微鏡貨源充足

在高低溫循環(huán)（-40℃~125℃）中監(jiān)測(cè)車(chē)載功率模塊、傳感器的熱疲勞退化。廠家熱紅外顯微鏡批量定制

在微電子、半導(dǎo)體以及材料研究等高精度領(lǐng)域，溫度始終是影響器件性能與壽命的重要因素。隨著芯片工藝向高密度和高功率方向發(fā)展，器件內(nèi)部的熱行為愈發(fā)復(fù)雜。傳統(tǒng)的熱測(cè)試方法由于依賴(lài)接觸探測(cè)，往往在空間分辨率、靈敏度和操作便捷性方面存在局限，難以滿(mǎn)足對(duì)新型芯片與功率器件的精細(xì)化熱分析需求。相比之下，熱紅外顯微鏡憑借非接觸測(cè)量、高分辨率成像和高靈敏度探測(cè)等優(yōu)勢(shì)，為研究人員提供了更加直觀的解決方案。它不僅能夠?qū)崟r(shí)呈現(xiàn)器件在工作狀態(tài)下的溫度分布，還可識(shí)別局部熱點(diǎn)，幫助分析電路設(shè)計(jì)缺陷、電流集中及材料老化等潛在問(wèn)題。作為現(xiàn)代失效分析與微熱檢測(cè)的重要工具，熱紅外顯微鏡正逐漸成為科研與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用中不可或缺的手段，為提升器件可靠性和延長(zhǎng)使用壽命提供了有力支持。廠家熱紅外顯微鏡批量定制