在半導體器件失效分析過程中，如何在極低光照條件下準確捕捉到缺陷信息，一直是工程師面臨的難題。傳統(tǒng)光學檢測設備在低照度環(huán)境下往往會出現(xiàn)噪聲高、成像模糊等問題，導致缺陷難以被有效識別。微光顯微鏡正是針對這一需求而研發(fā)的，它通過高靈敏度探測器與優(yōu)化的光學系統(tǒng)設計，能夠在極低照度下實現(xiàn)穩(wěn)定而清晰的成像。對于芯片失效分析而言，電路內(nèi)部的微小漏電點或材料缺陷往往會釋放極為微弱的光信號，而微光顯微鏡可以將這些信號放大并呈現(xiàn)，從而幫助分析人員快速鎖定潛在問題區(qū)域。借助該技術，不僅能夠提高分析效率，還能減少重復檢測和破壞性實驗的需求，降低整體研發(fā)與維護成本。因此，微光顯微鏡在半導體失效分析中的應用價值，正在不斷凸顯，并逐漸成為實驗室和生產(chǎn)線的必備檢測工具。對高密度集成電路，微光顯微鏡能有效突破可視化瓶頸。什么是微光顯微鏡內(nèi)容

芯片出問題不用慌！致晟光電專門搞定各類失效難題～不管是靜電放電擊穿的芯片、過壓過流燒斷的導線，還是過熱導致的晶體管損傷、熱循環(huán)磨斷的焊點，哪怕是材料老化引發(fā)的漏電、物理磕碰造成的裂紋，我們都有辦法定位。致晟的檢測設備能捕捉到細微的失效信號，從電氣應力到熱力學問題，從機械損傷到材料缺陷，一步步幫你揪出“病根”，還會給出詳細的分析報告。不管是研發(fā)時的小故障，還是量產(chǎn)中的質量問題，交給致晟，讓你的芯片難題迎刃而解～有失效分析需求？隨時來找我們呀！??制冷微光顯微鏡方案設計依托高靈敏度紅外探測模塊，Thermal EMMI 可捕捉器件異常發(fā)熱區(qū)域釋放的微弱光子信號。

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能 InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）熱輻射信號的高精度捕捉。InSb 材料具備優(yōu)異的光電轉換效率和極低本征噪聲，在制冷條件下可實現(xiàn) nW 級熱靈敏度與優(yōu)于 20 mK 的溫度分辨率，支持高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統(tǒng)中的應用，不僅提升了空間分辨率（可達微米量級）與溫度響應線性度，還能對半導體器件和微電子系統(tǒng)中的局部發(fā)熱缺陷、熱點遷移及瞬態(tài)熱行為進行精細刻畫。結合致晟光電自主研發(fā)的高數(shù)值孔徑光學系統(tǒng)與穩(wěn)態(tài)熱控平臺，InSb 探測器可在多物理場耦合環(huán)境下實現(xiàn)高時空分辨的熱場成像，是先進電子器件失效分析、電熱耦合機理研究以及材料熱特性評估中的前沿技術。

致晟光電產(chǎn)品之一，EMMI （微光顯微鏡）RTTLIT E20在半導體研發(fā)過程中是不可或缺的助力。當研發(fā)團隊嘗試新的芯片架構或制造工藝時，難免會遭遇各種未知問題。EMMI微光顯微鏡RTTLIT E20 能夠實時監(jiān)測芯片在不同工作條件下的光發(fā)射情況，為研發(fā)人員提供直觀、詳細的電學性能反饋。通過分析這些光信號數(shù)據(jù)，研發(fā)人員可以快速判斷新設計或新工藝是否存在潛在缺陷，及時調(diào)整優(yōu)化方案，加速新技術從實驗室到量產(chǎn)的轉化進程，推動半導體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
國產(chǎn)微光顯微鏡技術成熟，具備完整工藝。

EMMI微光顯微鏡作為集成電路失效分析中的設備，其漏電定位功能是失效分析工程師不可或缺的利器。在芯片可靠性要求日益嚴苛的當下，微小的漏電現(xiàn)象在芯片運行過程中較為常見，然而這些看似微弱的電流，在特定條件下可能被放大，從而引發(fā)器件功能異常，甚至導致整個系統(tǒng)失效。微漏電現(xiàn)象已成為集成電路失效分析中的關鍵問題之一。尤其在大多數(shù)IC器件工作電壓處于3.3V至20V區(qū)間的背景下，即便是微安級乃至毫安級的漏電流，也足以說明芯片可能已經(jīng)發(fā)生結構性或電性失效。因此，識別漏電發(fā)生位置，對追溯失效根因、指導工藝改進具有重要意義。微光顯微鏡不斷迭代升級，推動半導體檢測邁向智能化。制造微光顯微鏡成像

微光顯微鏡支持背面與正面雙向檢測，提高分析效率。什么是微光顯微鏡內(nèi)容

在研發(fā)階段，當原型芯片出現(xiàn)邏輯錯誤、漏電或功耗異常等問題時，工程師可以利用微光顯微鏡、探針臺等高精度設備對失效點進行精確定位，并結合電路仿真、材料分析等方法，追溯至可能存在的設計缺陷，如布局不合理、時序偏差，或工藝參數(shù)異常，從而為芯片優(yōu)化提供科學依據(jù)。

在量產(chǎn)環(huán)節(jié)，如果出現(xiàn)批量性失效，失效分析能夠快速判斷問題源自光刻、蝕刻等工藝環(huán)節(jié)的穩(wěn)定性不足，還是原材料如晶圓或光刻膠的質量波動，并據(jù)此指導生產(chǎn)線參數(shù)調(diào)整，降低報廢率，提高整體良率。在應用階段，對于芯片在終端設備如手機、汽車電子中出現(xiàn)的可靠性問題，結合環(huán)境模擬測試與失效機理分析，可以指導封裝設計優(yōu)化、材料選擇改進，提升芯片在高溫或長期使用等復雜工況下的性能穩(wěn)定性。通過研發(fā)、量產(chǎn)到應用的全鏈條分析，失效分析不僅能夠發(fā)現(xiàn)潛在問題，還能夠推動芯片設計改進、工藝優(yōu)化和產(chǎn)品可靠性提升，為半導體企業(yè)在各個環(huán)節(jié)提供了***的技術支持和保障，確保產(chǎn)品在實際應用中表現(xiàn)可靠，降低風險并提升市場競爭力。 什么是微光顯微鏡內(nèi)容