EMMI（Emission Microscopy，微光顯微鏡）是一種基于微弱光發(fā)射成像原理的“微光顯微鏡”，廣泛應(yīng)用于集成電路失效分析。其本質(zhì)在于：通過高靈敏度的InGaAs探測器，捕捉芯片在加電或工作狀態(tài)下因缺陷、漏電或擊穿等現(xiàn)象而產(chǎn)生的極其微弱的自發(fā)光信號。這些光信號通常位于近紅外波段，功率極低，肉眼無法察覺，必須借助專門設(shè)備放大成像。相比傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)檢測方法，EMMI無需破壞樣品，也無需額外激發(fā)源，具備非接觸、無損傷、定位等優(yōu)勢。其空間分辨率可達(dá)微米級，可用于閂鎖效應(yīng)、柵氧擊穿、短路、漏電等問題的初步診斷，是構(gòu)建失效分析閉環(huán)的重要手段之一。
微光顯微鏡顯微在檢測柵極漏電、PN 結(jié)微短路等微弱發(fā)光失效時可以做到精細(xì)可靠。鎖相微光顯微鏡備件

盡管名稱相似，微光顯微鏡 EMMI 與 Thermal EMMI 在探測機(jī)理和適用范圍上各有側(cè)重。Thermal EMMI 捕捉的是器件發(fā)熱產(chǎn)生的紅外輻射信號，而 EMMI 關(guān)注的是缺陷處的光子發(fā)射，這些光信號可能在溫升尚未***之前就已經(jīng)出現(xiàn)。因此，在一些早期擊穿或亞穩(wěn)態(tài)缺陷分析中，EMMI 能夠提供比 Thermal EMMI 更早、更直接的失效指示。實際應(yīng)用中，工程師常將兩者結(jié)合使用：先用 EMMI 進(jìn)行光發(fā)射定位，再用 Thermal EMMI 檢測其對應(yīng)的熱分布，以交叉驗證缺陷性質(zhì)。這種“光+熱”雙重驗證的方法，不僅提高了分析的準(zhǔn)確性，也大幅縮短了故障定位的時間。工業(yè)檢測微光顯微鏡探測器微光顯微鏡支持背面與正面雙向檢測，提高分析效率。

在半導(dǎo)體MEMS器件檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡憑借超靈敏的感知能力，展現(xiàn)出不可替代的技術(shù)價值。MEMS器件的中心結(jié)構(gòu)多以微米級尺度存在，這些微小部件在運行過程中產(chǎn)生的紅外輻射變化極其微弱——其信號強度往往低于常規(guī)檢測設(shè)備的感知閾值，卻能被微光顯微鏡捕捉。借助先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換與信號放大技術(shù)，微光顯微鏡可將捕捉到的微弱紅外輻射信號轉(zhuǎn)化為直觀的動態(tài)圖像；搭配專業(yè)圖像分析工具，能進(jìn)一步量化提取結(jié)構(gòu)的位移幅度、振動頻率等關(guān)鍵參數(shù)。這種非接觸式檢測方式，從根本上規(guī)避了傳統(tǒng)接觸式測量對微結(jié)構(gòu)的物理干擾，確保檢測數(shù)據(jù)真實反映器件運行狀態(tài)，為MEMS器件的設(shè)計優(yōu)化、性能評估及可靠性驗證提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。

芯片出問題不用慌！致晟光電專門搞定各類失效難題～不管是靜電放電擊穿的芯片、過壓過流燒斷的導(dǎo)線，還是過熱導(dǎo)致的晶體管損傷、熱循環(huán)磨斷的焊點，哪怕是材料老化引發(fā)的漏電、物理磕碰造成的裂紋，我們都有辦法定位。致晟的檢測設(shè)備能捕捉到細(xì)微的失效信號，從電氣應(yīng)力到熱力學(xué)問題，從機(jī)械損傷到材料缺陷，一步步幫你揪出“病根”，還會給出詳細(xì)的分析報告。不管是研發(fā)時的小故障，還是量產(chǎn)中的質(zhì)量問題，交給致晟，讓你的芯片難題迎刃而解～有失效分析需求？隨時來找我們呀！??對于靜電放電損傷等電缺陷，微光顯微鏡可通過光子發(fā)射準(zhǔn)確找到問題。

在電性失效分析領(lǐng)域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區(qū)域。芯片在高壓或大電流應(yīng)力下運行時，這些缺陷部位會產(chǎn)生局部光發(fā)射，而正常區(qū)域則保持暗場狀態(tài)。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態(tài)下直接進(jìn)行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封或破壞結(jié)構(gòu)。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因為它能在復(fù)雜的布線網(wǎng)絡(luò)中精細(xì)鎖定問題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統(tǒng)聯(lián)動，實現(xiàn)不同工作模式下的動態(tài)成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴性，幫助工程師制定更有針對性的設(shè)計優(yōu)化或工藝改進(jìn)方案。微光顯微鏡通過圖像處理疊加信號圖與背景圖，精確定位發(fā)光點位置。紅外光譜微光顯微鏡應(yīng)用

面對高密度集成電路，Thermal EMMI 憑借高空間分辨率，定位微米級熱異常區(qū)域。鎖相微光顯微鏡備件

微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種常用的芯片失效分析手段，可以用于確認(rèn)芯片的失效位置。其原理是對樣品施加適當(dāng)電壓，失效點會因加速載流子散射或電子-空穴對的復(fù)合而釋放特定波長的光子，這時光子就能被檢測到，從而檢測到漏電位置。Obirch利用激光束在恒定電壓下的器件表面進(jìn)行掃描，激光束部分能量轉(zhuǎn)化為熱能，如果金屬互聯(lián)線存在缺陷，缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導(dǎo)散開，這將導(dǎo)致缺陷處溫度累計升高，并進(jìn)一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區(qū)域與激光束掃描位置的對應(yīng)，定位缺陷位置。鎖相微光顯微鏡備件