半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)向更小尺寸、更高集成度方向邁進(jìn)，這對(duì)檢測(cè)技術(shù)提出了更高要求。EMMI 順應(yīng)這一趨勢(shì)，不斷創(chuàng)新發(fā)展。一方面，研發(fā)團(tuán)隊(duì)致力于進(jìn)一步提升探測(cè)器靈敏度，使其能夠探測(cè)到更微弱、更罕見(jiàn)的光信號(hào)，以應(yīng)對(duì)未來(lái)半導(dǎo)體器件中可能出現(xiàn)的更細(xì)微缺陷；另一方面，通過(guò)優(yōu)化光學(xué)系統(tǒng)與信號(hào)處理算法，提高 EMMI 對(duì)復(fù)雜芯片結(jié)構(gòu)的穿透能力與檢測(cè)精度，確保在先進(jìn)制程工藝下，依然能夠精細(xì)定位深埋于芯片內(nèi)部的故障點(diǎn)，為半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)突破保駕護(hù)航。高靈敏度的微光顯微鏡，能夠檢測(cè)到極其微弱的光子信號(hào)以定位微小失效點(diǎn)。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡售價(jià)

在實(shí)際開(kāi)展失效分析工作前，通常需要準(zhǔn)備好檢測(cè)樣品，并完成一系列前期驗(yàn)證，以便為后續(xù)分析提供明確方向。通過(guò)在早期階段進(jìn)行充分的背景調(diào)查與電性能驗(yàn)證，工程師能夠快速厘清失效發(fā)生的環(huán)境條件和可能原因，從而提升分析的效率與準(zhǔn)確性。

首先，失效背景調(diào)查是不可或缺的一步。它需要對(duì)芯片的型號(hào)、應(yīng)用場(chǎng)景及典型失效模式進(jìn)行收集和整理，例如短路、漏電、功能異常等。同時(shí)，還需掌握失效比例和使用條件，包括溫度、濕度和電壓等因素。

國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡用戶(hù)體驗(yàn)晶體管短路時(shí)會(huì)產(chǎn)生異常光信號(hào)。

短路是芯片失效中常見(jiàn)且重要的誘發(fā)因素。當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時(shí)，受影響區(qū)域會(huì)形成異常電流通路，導(dǎo)致局部溫度迅速升高，并伴隨特定波長(zhǎng)的光發(fā)射現(xiàn)象。

致晟光電微光顯微鏡（EMMI）憑借其高靈敏度，能夠捕捉到這些由短路引發(fā)的微弱光信號(hào)，并通過(guò)對(duì)光強(qiáng)分布、空間位置等特征進(jìn)行綜合分析，實(shí)現(xiàn)對(duì)短路故障點(diǎn)的精確定位。以一款高性能微處理器芯片為例，其在測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)不明原因的功耗異常增加，工程師初步懷疑芯片內(nèi)部存在短路隱患。

芯片在工作過(guò)程中，漏電缺陷是一類(lèi)常見(jiàn)但極具隱蔽性的失效現(xiàn)象。傳統(tǒng)檢測(cè)手段在面對(duì)復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)和高集成度芯片時(shí)，往往難以在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。而微光顯微鏡憑借對(duì)極微弱光輻射的高靈敏捕捉能力，為工程師提供了一種高效的解決方案。當(dāng)芯片局部出現(xiàn)漏電時(shí)，會(huì)產(chǎn)生非常微小的發(fā)光現(xiàn)象，常規(guī)設(shè)備無(wú)法辨識(shí)，但微光顯微鏡能夠在非接觸狀態(tài)下快速捕獲并呈現(xiàn)這些信號(hào)。通過(guò)成像結(jié)果，工程師可以直觀判斷缺陷位置和范圍，進(jìn)而縮短排查周期。相比以往依賴(lài)電性能測(cè)試或剖片分析的方式，微光顯微鏡實(shí)現(xiàn)了更高效、更經(jīng)濟(jì)的缺陷診斷，不僅提升了芯片可靠性分析的準(zhǔn)確度，也加快了產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的閉環(huán)流程。由此可見(jiàn)，微光顯微鏡在電子工程領(lǐng)域的應(yīng)用，正在為行業(yè)帶來(lái)更快、更精細(xì)的檢測(cè)能力。對(duì)于靜電放電損傷等電缺陷，微光顯微鏡可通過(guò)光子發(fā)射準(zhǔn)確找到問(wèn)題。

例如，當(dāng)某批芯片在測(cè)試中出現(xiàn)漏電失效時(shí)，微光顯微鏡能夠準(zhǔn)確定位具體的失效位置，為后續(xù)分析提供堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。通過(guò)該定位信息，工程師可結(jié)合聚焦離子束（FIB）切割技術(shù)，對(duì)芯片截面進(jìn)行精細(xì)觀察，從而追溯至柵氧層缺陷或氧化工藝異常等具體問(wèn)題環(huán)節(jié)。這一能力使得微光顯微鏡在半導(dǎo)體失效分析中成為定位故障點(diǎn)的重要工具，其高靈敏度的探測(cè)性能和高效的分析流程，為問(wèn)題排查與解決提供了不可或缺的支撐。

在芯片研發(fā)階段，該設(shè)備可以幫助研發(fā)團(tuán)隊(duì)快速鎖定設(shè)計(jì)或工藝中的潛在隱患，避免資源浪費(fèi)和試錯(cuò)成本的增加；在量產(chǎn)環(huán)節(jié)，微光顯微鏡能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產(chǎn)線的調(diào)整和優(yōu)化爭(zhēng)取寶貴時(shí)間，降低經(jīng)濟(jì)損失；在產(chǎn)品應(yīng)用階段，它還能夠?yàn)榭煽啃詥?wèn)題的排查提供參考，輔助企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場(chǎng)信譽(yù)。無(wú)論是面向先進(jìn)制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產(chǎn)檢測(cè)，這套設(shè)備憑借其獨(dú)特技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在失效分析流程中發(fā)揮著不可替代的作用，為半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)轉(zhuǎn)和技術(shù)升級(jí)提供了有力支持。 光發(fā)射顯微的非破壞性特點(diǎn)，確保檢測(cè)過(guò)程不損傷器件，滿(mǎn)足研發(fā)與量產(chǎn)階段的質(zhì)量管控需求。無(wú)損微光顯微鏡方案設(shè)計(jì)

微光顯微鏡適配多種探測(cè)模式，兼顧科研與工業(yè)應(yīng)用。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡售價(jià)

EMMI的本質(zhì)只是一臺(tái)光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。

但是為什么EMMI能夠應(yīng)用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成電路在通電后會(huì)出現(xiàn)三種情況：

1.載流子復(fù)合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。

當(dāng)這三種情況發(fā)生時(shí)集成電路上就會(huì)產(chǎn)生微弱的熒光，這時(shí)EMMI就能捕獲這些微弱熒光，這就給了EMMI一個(gè)應(yīng)用的機(jī)會(huì)而在IC的失效分析中，我們給予失效點(diǎn)一個(gè)偏壓產(chǎn)生熒光，然后EMMI捕獲電流中產(chǎn)生的微弱熒光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要滿(mǎn)足其機(jī)理在EMMI下都能觀測(cè)到熒光。 國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡售價(jià)