Obirch（光束誘導(dǎo)電阻變化）與EMMI微光顯微鏡是同一設(shè)備的不同工作模式。當金屬覆蓋區(qū)域存在熱點時，Obirch（光束誘導(dǎo)電阻變化）同樣能夠?qū)崿F(xiàn)有效檢測。兩種模式均支持正面與背面的失效定位，可在大范圍內(nèi)快速且精確地鎖定集成電路中的微小缺陷點。結(jié)合后續(xù)的去層處理、掃描電鏡（SEM）分析及光學(xué)顯微鏡觀察，可對缺陷進行明確界定，進一步揭示失效機理并開展根因分析。因此，這兩種模式在器件及集成電路的失效分析領(lǐng)域得到了深入的應(yīng)用。
晶體管短路時會產(chǎn)生異常光信號。高分辨率微光顯微鏡設(shè)備

致晟光電產(chǎn)品之一，EMMI （微光顯微鏡）RTTLIT E20在半導(dǎo)體研發(fā)過程中是不可或缺的助力。當研發(fā)團隊嘗試新的芯片架構(gòu)或制造工藝時，難免會遭遇各種未知問題。EMMI微光顯微鏡RTTLIT E20 能夠?qū)崟r監(jiān)測芯片在不同工作條件下的光發(fā)射情況，為研發(fā)人員提供直觀、詳細的電學(xué)性能反饋。通過分析這些光信號數(shù)據(jù)，研發(fā)人員可以快速判斷新設(shè)計或新工藝是否存在潛在缺陷，及時調(diào)整優(yōu)化方案，加速新技術(shù)從實驗室到量產(chǎn)的轉(zhuǎn)化進程，推動半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
直銷微光顯微鏡EMMI是借助高靈敏探測器，捕捉芯片運行時自然產(chǎn)生的“極其微弱光發(fā)射”。

基于這些信息，可以初步判斷失效現(xiàn)象是否具有可重復(fù)性，并進一步區(qū)分是由設(shè)計問題、制程工藝偏差還是應(yīng)用不當（如過壓、靜電沖擊）所引發(fā)。其次，電性能驗證能為失效定位提供更加直觀的依據(jù)。通過自動測試設(shè)備（ATE）或探針臺（ProbeStation）對失效芯片進行測試，復(fù)現(xiàn)實驗環(huán)境下的故障表現(xiàn)，并記錄關(guān)鍵參數(shù)，如電流-電壓曲線、漏電流以及閾值電壓的漂移。將這些數(shù)據(jù)與良品對照，可以縮小潛在失效區(qū)域的范圍，例如鎖定到某個功能模塊或局部電路。經(jīng)過這樣的準備環(huán)節(jié)，整個失效分析過程能夠更有針對性，也更容易追溯問題的本質(zhì)原因。

漏電是芯片中另一類常見失效模式，其成因相對復(fù)雜，既可能與晶體管在長期運行中的老化退化有關(guān)，也可能源于氧化層裂紋或材料缺陷。與短路類似，當芯片內(nèi)部出現(xiàn)漏電現(xiàn)象時，漏電路徑中會產(chǎn)生微弱的光發(fā)射信號，但其強度通常遠低于短路所引發(fā)的光輻射，因此對檢測設(shè)備的靈敏度提出了較高要求。

微光顯微鏡（EMMI）依靠其高靈敏度的光探測能力，能夠捕捉到這些極微弱的光信號，并通過全域掃描技術(shù)對芯片進行系統(tǒng)檢測。在掃描過程中，漏電區(qū)域能夠以可視化圖像的形式呈現(xiàn)，清晰顯示其空間分布和熱學(xué)特征。

工程師可以根據(jù)這些圖像信息，直觀判斷漏電位置及可能涉及的功能模塊，為后續(xù)的失效分析和工藝優(yōu)化提供依據(jù)。通過這種方法，微光顯微鏡不僅能夠發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)電性測試難以捕捉的微小異常，還為半導(dǎo)體器件的可靠性評估和設(shè)計改進提供了重要支持，有助于提高芯片整體性能和使用壽命。 高昂的海外價格，讓國產(chǎn)替代更具競爭力。

在電性失效分析領(lǐng)域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區(qū)域。芯片在高壓或大電流應(yīng)力下運行時，這些缺陷部位會產(chǎn)生局部光發(fā)射，而正常區(qū)域則保持暗場狀態(tài)。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態(tài)下直接進行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封或破壞結(jié)構(gòu)。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因為它能在復(fù)雜的布線網(wǎng)絡(luò)中精細鎖定問題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統(tǒng)聯(lián)動，實現(xiàn)不同工作模式下的動態(tài)成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴性，幫助工程師制定更有針對性的設(shè)計優(yōu)化或工藝改進方案。EMMI通過高靈敏度的冷卻型CCD或InGaAs探測器，放大并捕捉這些微光信號，從而實現(xiàn)缺陷點的定位。鎖相微光顯微鏡圖像分析

國外微光顯微鏡價格常高達千萬元，門檻極高。高分辨率微光顯微鏡設(shè)備

例如，當某批芯片在測試中出現(xiàn)漏電失效時，微光顯微鏡能夠準確定位具體的失效位置，為后續(xù)分析提供堅實基礎(chǔ)。通過該定位信息，工程師可結(jié)合聚焦離子束（FIB）切割技術(shù)，對芯片截面進行精細觀察，從而追溯至柵氧層缺陷或氧化工藝異常等具體問題環(huán)節(jié)。這一能力使得微光顯微鏡在半導(dǎo)體失效分析中成為定位故障點的重要工具，其高靈敏度的探測性能和高效的分析流程，為問題排查與解決提供了不可或缺的支撐。

在芯片研發(fā)階段，該設(shè)備可以幫助研發(fā)團隊快速鎖定設(shè)計或工藝中的潛在隱患，避免資源浪費和試錯成本的增加；在量產(chǎn)環(huán)節(jié)，微光顯微鏡能夠及時發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產(chǎn)線的調(diào)整和優(yōu)化爭取寶貴時間，降低經(jīng)濟損失；在產(chǎn)品應(yīng)用階段，它還能夠為可靠性問題的排查提供參考，輔助企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場信譽。無論是面向先進制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產(chǎn)檢測，這套設(shè)備憑借其獨特技術(shù)優(yōu)勢，在失效分析流程中發(fā)揮著不可替代的作用，為半導(dǎo)體企業(yè)實現(xiàn)高效運轉(zhuǎn)和技術(shù)升級提供了有力支持。 高分辨率微光顯微鏡設(shè)備