短路是芯片失效中常見且重要的誘發(fā)因素。當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時(shí)，受影響區(qū)域會形成異常電流通路，導(dǎo)致局部溫度迅速升高，并伴隨特定波長的光發(fā)射現(xiàn)象。

致晟光電微光顯微鏡（EMMI）憑借其高靈敏度，能夠捕捉到這些由短路引發(fā)的微弱光信號，并通過對光強(qiáng)分布、空間位置等特征進(jìn)行綜合分析，實(shí)現(xiàn)對短路故障點(diǎn)的精確定位。以一款高性能微處理器芯片為例，其在測試過程中出現(xiàn)不明原因的功耗異常增加，工程師初步懷疑芯片內(nèi)部存在短路隱患。

微光顯微鏡不斷迭代升級，推動(dòng)半導(dǎo)體檢測邁向智能化。實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡成像儀

EMMI 技術(shù)自誕生以來，經(jīng)歷了漫長且關(guān)鍵的發(fā)展歷程。早期的 EMMI 受限于探測器靈敏度與光學(xué)系統(tǒng)分辨率，只能檢測較為明顯的半導(dǎo)體缺陷，應(yīng)用范圍相對狹窄。隨著科技的飛速進(jìn)步，新型深制冷型探測器問世，極大降低了噪聲干擾，拓寬了光信號探測范圍；同時(shí)，高分辨率顯微物鏡的應(yīng)用，使 EMMI 能夠捕捉到更微弱、更細(xì)微的光信號，實(shí)現(xiàn)對納米級缺陷的精細(xì)定位。如今，它已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各個(gè)環(huán)節(jié)，從芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證到大規(guī)模生產(chǎn)質(zhì)量管控，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的重要力量。微光顯微鏡選購指南它不依賴外部激發(fā)（如激光或電流注入），而是利用芯片本身在運(yùn)行或偏壓狀態(tài)下產(chǎn)生的“自發(fā)光”；

近年來，國產(chǎn)微光顯微鏡 EMMI 設(shè)備在探測靈敏度、成像速度和算法處理能力方面取得***進(jìn)步。一些本土廠商針對國內(nèi)芯片制造和封測企業(yè)的需求，優(yōu)化了光路設(shè)計(jì)和信號處理算法，使得設(shè)備在弱信號條件下依然能夠保持清晰成像。例如，通過深度去噪算法和 AI 輔助識別，系統(tǒng)可以自動(dòng)區(qū)分真實(shí)缺陷信號與環(huán)境噪聲，減少人工判斷誤差。這不僅提升了分析效率，也為大規(guī)模失效分析任務(wù)提供了可行的自動(dòng)化解決方案。隨著這些技術(shù)的成熟，微光顯微鏡 EMMI 有望從實(shí)驗(yàn)室**工具擴(kuò)展到生產(chǎn)線質(zhì)量監(jiān)控環(huán)節(jié)，進(jìn)一步推動(dòng)國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

芯片在工作過程中，漏電缺陷是一類常見但極具隱蔽性的失效現(xiàn)象。傳統(tǒng)檢測手段在面對復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)和高集成度芯片時(shí)，往往難以在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。而微光顯微鏡憑借對極微弱光輻射的高靈敏捕捉能力，為工程師提供了一種高效的解決方案。當(dāng)芯片局部出現(xiàn)漏電時(shí)，會產(chǎn)生非常微小的發(fā)光現(xiàn)象，常規(guī)設(shè)備無法辨識，但微光顯微鏡能夠在非接觸狀態(tài)下快速捕獲并呈現(xiàn)這些信號。通過成像結(jié)果，工程師可以直觀判斷缺陷位置和范圍，進(jìn)而縮短排查周期。相比以往依賴電性能測試或剖片分析的方式，微光顯微鏡實(shí)現(xiàn)了更高效、更經(jīng)濟(jì)的缺陷診斷，不僅提升了芯片可靠性分析的準(zhǔn)確度，也加快了產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的閉環(huán)流程。由此可見，微光顯微鏡在電子工程領(lǐng)域的應(yīng)用，正在為行業(yè)帶來更快、更精細(xì)的檢測能力。技術(shù)員依靠圖像快速判斷。

EMMI微光顯微鏡作為集成電路失效分析中的設(shè)備，其漏電定位功能是失效分析工程師不可或缺的利器。在芯片可靠性要求日益嚴(yán)苛的當(dāng)下，微小的漏電現(xiàn)象在芯片運(yùn)行過程中較為常見，然而這些看似微弱的電流，在特定條件下可能被放大，從而引發(fā)器件功能異常，甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)失效。微漏電現(xiàn)象已成為集成電路失效分析中的關(guān)鍵問題之一。尤其在大多數(shù)IC器件工作電壓處于3.3V至20V區(qū)間的背景下，即便是微安級乃至毫安級的漏電流，也足以說明芯片可能已經(jīng)發(fā)生結(jié)構(gòu)性或電性失效。因此，識別漏電發(fā)生位置，對追溯失效根因、指導(dǎo)工藝改進(jìn)具有重要意義。微光顯微鏡通過圖像處理疊加信號圖與背景圖，精確定位發(fā)光點(diǎn)位置。顯微微光顯微鏡校準(zhǔn)方法

捕捉的信號極其微弱，通常在納瓦級（nW）甚至皮瓦級（pW），因此對系統(tǒng)的探測能力和信噪比要求極高；實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡成像儀

芯片制造工藝復(fù)雜，從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)都可能出現(xiàn)缺陷。失效分析作為測試流程的重要部分，能攔截不合格產(chǎn)品并追溯問題根源。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測技術(shù)，可捕捉芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這能幫助企業(yè)快速找到問題，無論是設(shè)計(jì)中的邏輯漏洞，還是制造時(shí)的材料雜質(zhì)、工藝偏差，都能及時(shí)發(fā)現(xiàn)。據(jù)此，企業(yè)可針對性優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進(jìn)設(shè)計(jì)方案，從而提升芯片良率。在芯片制造成本較高的當(dāng)下，良率提升能降低生產(chǎn)成本，讓企業(yè)在價(jià)格競爭中更有優(yōu)勢。實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡成像儀