在半導(dǎo)體 IC 裸芯片研究與檢測(cè)中，熱紅外顯微鏡是一項(xiàng)重要工具。裸芯片結(jié)構(gòu)緊湊、集成度高，即便出現(xiàn)輕微熱異常，也可能影響性能甚至導(dǎo)致失效，因此有效的熱檢測(cè)十分必要。熱紅外顯微鏡以非接觸方式完成熱分布成像，能夠直觀呈現(xiàn)芯片在運(yùn)行中的溫度變化。通過(guò)對(duì)局部熱點(diǎn)的識(shí)別，可發(fā)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)缺陷、電流集中或器件老化等問(wèn)題，幫助工程師在早期階段進(jìn)行調(diào)整與優(yōu)化。此外，該設(shè)備還能測(cè)量半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的結(jié)溫，結(jié)溫水平直接關(guān)系到器件的穩(wěn)定性與壽命。依托較高分辨率的成像能力，熱紅外顯微鏡既能提供結(jié)溫的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)，也為散熱方案的制定和芯片性能提升提供了可靠依據(jù)。熱紅外顯微鏡通過(guò)測(cè)量熱輻射強(qiáng)度，量化評(píng)估電子元件的功耗 。直銷(xiāo)熱紅外顯微鏡24小時(shí)服務(wù)

Thermal EMMI 在第三代半導(dǎo)體器件檢測(cè)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。第三代半導(dǎo)體以氮化鎵、碳化硅等材料，具有耐高溫、耐高壓、高頻的特性，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、5G 通信等領(lǐng)域。但這類(lèi)器件在制造和工作過(guò)程中，容易因材料缺陷或工藝問(wèn)題產(chǎn)生漏電和局部過(guò)熱，影響器件可靠性。thermal emmi 憑借其高靈敏度的光信號(hào)和熱信號(hào)檢測(cè)能力，能定位這些缺陷。例如，在檢測(cè)氮化鎵功率器件時(shí)，可同時(shí)捕捉漏電產(chǎn)生的微光和局部過(guò)熱信號(hào)，幫助工程師分析缺陷產(chǎn)生的原因，優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和制造工藝，提升第三代半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。浙江熱紅外顯微鏡熱紅外顯微鏡可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電子設(shè)備運(yùn)行中的熱變化，預(yù)防過(guò)熱故障 。

熱紅外顯微鏡在材料科學(xué)研究中有著廣泛應(yīng)用。對(duì)于新型復(fù)合材料，其內(nèi)部不同組分的導(dǎo)熱性能存在差異，在外界溫度變化或通電工作時(shí)，表面溫度分布會(huì)呈現(xiàn)不均勻性。熱紅外顯微鏡能以超高的空間分辨率捕捉這種溫度差異，清晰展示材料內(nèi)部的熱傳導(dǎo)路徑和熱點(diǎn)分布。研究人員通過(guò)分析這些圖像，可深入了解材料的熱物理特性，為優(yōu)化材料配方、改進(jìn)制備工藝提供依據(jù)。比如在研發(fā)高導(dǎo)熱散熱材料時(shí)，借助熱紅外顯微鏡能直觀觀察不同添加成分對(duì)材料散熱性能的影響，加速高性能材料的研發(fā)進(jìn)程。

在半導(dǎo)體失效分析（Failure Analysis, FA）流程中，Thermal EMMI 是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。此前，工程師需要依靠大量電性參數(shù)測(cè)試、掃描聲學(xué)顯微鏡或X射線等方法逐步縮小可疑范圍，但對(duì)于微小短路、漏電或局部發(fā)熱缺陷，這些方法往往難以直接定位。Thermal EMMI 能夠在樣品上電并模擬實(shí)際工作條件的同時(shí)，捕捉缺陷點(diǎn)產(chǎn)生的瞬態(tài)熱信號(hào)，實(shí)現(xiàn)快速、直觀的可視化定位。尤其是在 BGA 封裝、多層 PCB 以及三維封裝（3D IC）等復(fù)雜結(jié)構(gòu)中，Thermal EMMI 的穿透力和高分辨率成像能力能縮短分析周期。此外，該技術(shù)還能與鎖相紅外熱成像（Lock-in Thermography）結(jié)合，提升弱信號(hào)檢測(cè)的信噪比，讓難以察覺(jué)的微小缺陷“現(xiàn)形”，為后續(xù)的物理剖片和根因分析提供依據(jù)。熱紅外顯微鏡在 SiC/GaN 功率器件檢測(cè)中，量化評(píng)估襯底界面熱阻分布。

致晟光電在 Thermal EMMI 技術(shù)的基礎(chǔ)上，融合了自主研發(fā)的 實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析技術(shù)（RTTLIT），提升了弱信號(hào)檢測(cè)能力。傳統(tǒng) Thermal EMMI 在處理極低功耗芯片或瞬態(tài)缺陷時(shí)，容易受到環(huán)境熱噪聲干擾，而鎖相技術(shù)可以在特定頻率下同步提取信號(hào)，將信噪比提升數(shù)倍，從而捕捉到更細(xì)微的發(fā)熱變化。這種技術(shù)組合不僅保留了 Thermal EMMI 的非接觸、無(wú)損檢測(cè)優(yōu)勢(shì)，還大幅拓寬了其應(yīng)用場(chǎng)景——從傳統(tǒng)的短路、漏電缺陷分析，延伸到納瓦級(jí)功耗的功耗芯片、電源管理芯片以及新型傳感器的可靠性驗(yàn)證。通過(guò)這一技術(shù)，致晟光電能夠?yàn)榭蛻?hù)提供更好、更快速的失效定位方案，減少剖片次數(shù)，降低分析成本，并提高產(chǎn)品開(kāi)發(fā)迭代效率。熱紅外顯微鏡結(jié)合多模態(tài)檢測(cè)（THERMAL/EMMI/OBIRCH），實(shí)現(xiàn)熱 - 電信號(hào)協(xié)同分析定位復(fù)合缺陷。什么是熱紅外顯微鏡功能

熱紅外顯微鏡采用先進(jìn)的探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)對(duì)微小熱量變化的快速響應(yīng) 。直銷(xiāo)熱紅外顯微鏡24小時(shí)服務(wù)

作為專(zhuān)為半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)計(jì)的紅外熱點(diǎn)顯微鏡，它兼具高頻、高靈敏度與高分辨率優(yōu)勢(shì)。通過(guò)周期性電信號(hào)激勵(lì)與相位分析，紅外熱點(diǎn)顯微鏡能實(shí)時(shí)提取微弱紅外光譜信號(hào)，檢測(cè)mK級(jí)溫度變化——這意味著即使是芯片內(nèi)部0.1mK的微小溫差，紅外熱點(diǎn)顯微鏡也能捕捉，輕松定位內(nèi)部發(fā)熱缺陷的深度與分布。紅外熱點(diǎn)顯微鏡的無(wú)損檢測(cè)能力尤為突出。無(wú)需破壞器件，紅外熱點(diǎn)顯微鏡就能檢測(cè)功率半導(dǎo)體及IGBT缺陷，涵蓋電源電路缺陷、電流泄漏等問(wèn)題，為器件設(shè)計(jì)優(yōu)化與良率提升提供數(shù)據(jù)支撐。同時(shí)，紅外熱點(diǎn)顯微鏡適配“設(shè)備-算法-應(yīng)用場(chǎng)景”一體化思路，不僅滿(mǎn)足檢測(cè)精度，更適配產(chǎn)業(yè)效率需求。直銷(xiāo)熱紅外顯微鏡24小時(shí)服務(wù)