在電性失效分析領(lǐng)域,微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區(qū)域。芯片在高壓或大電流應力下運行時,這些缺陷部位會產(chǎn)生局部光發(fā)射,而正常區(qū)域則保持暗場狀態(tài)。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態(tài)下直接進行非接觸式觀測,快速定位失效點,無需拆封或破壞結(jié)構(gòu)。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要,因為它能在復雜的布線網(wǎng)絡中精細鎖定問題位置。此外,EMMI 還可與電性刺激系統(tǒng)聯(lián)動,實現(xiàn)不同工作模式下的動態(tài)成像,從而揭示缺陷的工作條件依賴性,幫助工程師制定更有針對性的設(shè)計優(yōu)化或工藝改進方案。在電路調(diào)試中,微光顯微鏡能直觀呈現(xiàn)電流異常區(qū)域。什么是微光顯微鏡設(shè)備
借助EMMI對芯片進行全區(qū)域掃描,技術(shù)人員在短時間內(nèi)便在特定功能模塊檢測到光發(fā)射信號。結(jié)合電路設(shè)計圖和芯片版圖信息,進一步分析顯示,該故障點位于兩條相鄰鋁金屬布線之間,由于絕緣層局部損傷而形成短路。這一精細定位為后續(xù)的故障修復及工藝改進提供了可靠依據(jù),同時也為研發(fā)團隊優(yōu)化設(shè)計、提升芯片可靠性提供了重要參考。通過這種方法,微光顯微鏡在芯片失效分析中展現(xiàn)出高效、可控且直觀的應用價值,為半導體器件的質(zhì)量保障提供了有力支持。實時成像微光顯微鏡分析微光顯微鏡適配多種探測模式,兼顧科研與工業(yè)應用。
EMMI(Emission Microscopy,微光顯微鏡)是一種基于微弱光發(fā)射成像原理的“微光顯微鏡”,廣泛應用于集成電路失效分析。其本質(zhì)在于:通過高靈敏度的InGaAs探測器,捕捉芯片在加電或工作狀態(tài)下因缺陷、漏電或擊穿等現(xiàn)象而產(chǎn)生的極其微弱的自發(fā)光信號。這些光信號通常位于近紅外波段,功率極低,肉眼無法察覺,必須借助專門設(shè)備放大成像。相比傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)檢測方法,EMMI無需破壞樣品,也無需額外激發(fā)源,具備非接觸、無損傷、定位等優(yōu)勢。其空間分辨率可達微米級,可用于閂鎖效應、柵氧擊穿、短路、漏電等問題的初步診斷,是構(gòu)建失效分析閉環(huán)的重要手段之一。
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在電子器件和半導體元件的檢測環(huán)節(jié)中,如何在不損壞樣品的情況下獲得可靠信息,是保證研發(fā)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)分析手段,如剖片、電鏡掃描等,雖然能夠提供一定的內(nèi)部信息,但往往具有破壞性,導致樣品無法重復使用。微光顯微鏡在這一方面展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢,它通過非接觸的光學檢測方式實現(xiàn)缺陷定位與信號捕捉,不會對樣品結(jié)構(gòu)造成物理損傷。這一特性不僅能夠減少寶貴樣品的損耗,還使得測試過程更具可重復性,工程師可以在不同實驗條件下多次觀察同一器件的表現(xiàn),從而獲得更的數(shù)據(jù)。尤其是在研發(fā)階段,樣品數(shù)量有限且成本高昂,微光顯微鏡的非破壞性檢測特性大幅提升了實驗經(jīng)濟性和數(shù)據(jù)完整性。因此,微光顯微鏡在半導體、光電子和新材料等行業(yè),正逐漸成為標準化的檢測工具,其價值不僅體現(xiàn)在成像性能上,更在于對研發(fā)與生產(chǎn)效率的整體優(yōu)化。微光顯微鏡助力排查復雜電路。無損微光顯微鏡聯(lián)系人
捕捉的信號極其微弱,通常在納瓦級(nW)甚至皮瓦級(pW),因此對系統(tǒng)的探測能力和信噪比要求極高;什么是微光顯微鏡設(shè)備
在芯片失效分析的流程中,失效背景調(diào)查相當于提前設(shè)置好的“導航系統(tǒng)”,它能夠為分析人員提供清晰的方向,幫助快速掌握樣品的整體情況,為后續(xù)環(huán)節(jié)奠定可靠基礎(chǔ)。
首先需要明確的是芯片的型號信息。不同型號的芯片在電路結(jié)構(gòu)、工作原理和設(shè)計目標上都可能存在較大差異,因此型號的收集與確認是所有分析工作的起點。緊隨其后的是應用場景的梳理。
無論芯片是應用于消費電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域,使用環(huán)境和運行負荷都會不同,這些條件會直接影響失效表現(xiàn)及其可能原因。 什么是微光顯微鏡設(shè)備