EMMI 的技術(shù)基于半導(dǎo)體物理原理，當(dāng)半導(dǎo)體器件內(nèi)部存在缺陷導(dǎo)致異常電學(xué)行為時(shí)，會(huì)引發(fā)電子 - 空穴對(duì)的復(fù)合，進(jìn)而產(chǎn)生光子發(fā)射。設(shè)備中的高靈敏度探測(cè)器如同敏銳的 “光子獵手”，能將這些微弱的光信號(hào)捕獲。例如，在制造工藝中，因光刻偏差或蝕刻過(guò)度形成的微小短路，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難以察覺(jué)，EMMI 卻能憑借其對(duì)光子的探測(cè)，將這類(lèi)潛在問(wèn)題清晰暴露，助力工程師快速定位，及時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，避免大量不良品的產(chǎn)生，極大提升了半導(dǎo)體制造的良品率與生產(chǎn)效率。微光顯微鏡顯微在檢測(cè)柵極漏電、PN 結(jié)微短路等微弱發(fā)光失效時(shí)可以做到精細(xì)可靠。IC微光顯微鏡儀器

在芯片和電子器件的故障診斷過(guò)程中，精度往往決定了后續(xù)分析與解決的效率。傳統(tǒng)檢測(cè)方法雖然能夠大致鎖定問(wèn)題范圍，但在高密度電路或納米級(jí)結(jié)構(gòu)中，往往難以將缺陷精確定位到具體點(diǎn)位。微光顯微鏡憑借對(duì)微弱發(fā)光信號(hào)的高分辨率捕捉能力，實(shí)現(xiàn)了故障點(diǎn)的可視化。當(dāng)器件因缺陷產(chǎn)生局部能量釋放時(shí)，這些信號(hào)極其微小且容易被環(huán)境噪聲淹沒(méi)，但微光顯微鏡能通過(guò)優(yōu)化的光學(xué)系統(tǒng)和信號(hào)處理算法，將其清晰分離并呈現(xiàn)。相比傳統(tǒng)方法，微光顯微鏡的定位精度提升了一個(gè)數(shù)量級(jí)，縮短了排查時(shí)間，同時(shí)降低了誤判率。對(duì)于高性能芯片和關(guān)鍵器件而言，這種尤為重要，因?yàn)槿魏螡撛谌毕荻伎赡苡绊懻w性能。微光顯微鏡的引入，使故障分析從“模糊排查”轉(zhuǎn)向“點(diǎn)對(duì)點(diǎn)定位”，為電子產(chǎn)業(yè)的可靠性提升提供了有力保障。直銷(xiāo)微光顯微鏡方案面對(duì)高密度集成電路，Thermal EMMI 憑借高空間分辨率，定位微米級(jí)熱異常區(qū)域。

微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷，如：1.漏電結(jié)(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(yīng)(Hotelectrons);4.閂鎖效應(yīng)(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理?yè)p傷(Mechanicaldamage)等。當(dāng)然，部分情況下也會(huì)出現(xiàn)樣品本身的亮點(diǎn)，如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；等出現(xiàn)亮點(diǎn)時(shí)應(yīng)注意區(qū)分是否為這些情況下產(chǎn)生的亮點(diǎn)另外也會(huì)出現(xiàn)偵測(cè)不到亮點(diǎn)的情況，如：1.歐姆接觸；2.金屬互聯(lián)短路；3.表面反型層；4.硅導(dǎo)電通路等。若一些亮點(diǎn)被遮蔽的情況，即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，這種情況可以嘗試采用backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

短路是芯片失效中常見(jiàn)且重要的誘發(fā)因素。當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時(shí)，受影響區(qū)域會(huì)形成異常電流通路，導(dǎo)致局部溫度迅速升高，并伴隨特定波長(zhǎng)的光發(fā)射現(xiàn)象。

致晟光電微光顯微鏡（EMMI）憑借其高靈敏度，能夠捕捉到這些由短路引發(fā)的微弱光信號(hào)，并通過(guò)對(duì)光強(qiáng)分布、空間位置等特征進(jìn)行綜合分析，實(shí)現(xiàn)對(duì)短路故障點(diǎn)的精確定位。以一款高性能微處理器芯片為例，其在測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)不明原因的功耗異常增加，工程師初步懷疑芯片內(nèi)部存在短路隱患。

我司設(shè)備以高性?xún)r(jià)比成為國(guó)產(chǎn)化平替選擇。

盡管名稱(chēng)相似，微光顯微鏡 EMMI 與 Thermal EMMI 在探測(cè)機(jī)理和適用范圍上各有側(cè)重。Thermal EMMI 捕捉的是器件發(fā)熱產(chǎn)生的紅外輻射信號(hào)，而 EMMI 關(guān)注的是缺陷處的光子發(fā)射，這些光信號(hào)可能在溫升尚未***之前就已經(jīng)出現(xiàn)。因此，在一些早期擊穿或亞穩(wěn)態(tài)缺陷分析中，EMMI 能夠提供比 Thermal EMMI 更早、更直接的失效指示。實(shí)際應(yīng)用中，工程師常將兩者結(jié)合使用：先用 EMMI 進(jìn)行光發(fā)射定位，再用 Thermal EMMI 檢測(cè)其對(duì)應(yīng)的熱分布，以交叉驗(yàn)證缺陷性質(zhì)。這種“光+熱”雙重驗(yàn)證的方法，不僅提高了分析的準(zhǔn)確性，也大幅縮短了故障定位的時(shí)間。對(duì)高密度集成電路，微光顯微鏡能有效突破可視化瓶頸。檢測(cè)用微光顯微鏡故障維修

微光顯微鏡助力排查復(fù)雜電路。IC微光顯微鏡儀器

Thermal和EMMI是半導(dǎo)體失效分析中常用的兩種定位技術(shù)，主要區(qū)別在于信號(hào)來(lái)源和應(yīng)用場(chǎng)景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過(guò)紅外成像捕捉芯片局部發(fā)熱區(qū)域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發(fā)溫升的失效現(xiàn)象，響應(yīng)快、直觀性強(qiáng)。而EMMI（微光顯微鏡）則依賴(lài)芯片在失效狀態(tài)下產(chǎn)生的微弱自發(fā)光信號(hào)進(jìn)行定位，尤其適用于分析ESD擊穿、漏電等低功耗器件中的電性缺陷。相較之下，Thermal更適合熱量明顯的故障場(chǎng)景，而EMMI則在熱信號(hào)不明顯但存在異常電性行為時(shí)更具優(yōu)勢(shì)。實(shí)際分析中，兩者常被集成使用，相輔相成，以實(shí)現(xiàn)失效點(diǎn)定位和問(wèn)題判斷。IC微光顯微鏡儀器