芯片出問(wèn)題不用慌！致晟光電專(zhuān)門(mén)搞定各類(lèi)失效難題～不管是靜電放電擊穿的芯片、過(guò)壓過(guò)流燒斷的導(dǎo)線，還是過(guò)熱導(dǎo)致的晶體管損傷、熱循環(huán)磨斷的焊點(diǎn)，哪怕是材料老化引發(fā)的漏電、物理磕碰造成的裂紋，我們都有辦法定位。致晟的檢測(cè)設(shè)備能捕捉到細(xì)微的失效信號(hào)，從電氣應(yīng)力到熱力學(xué)問(wèn)題，從機(jī)械損傷到材料缺陷，一步步幫你揪出“病根”，還會(huì)給出詳細(xì)的分析報(bào)告。不管是研發(fā)時(shí)的小故障，還是量產(chǎn)中的質(zhì)量問(wèn)題，交給致晟，讓你的芯片難題迎刃而解～有失效分析需求？隨時(shí)來(lái)找我們呀！??監(jiān)測(cè)微流控芯片、生物傳感器的局部熱反應(yīng)，研究生物分子相互作用的熱效應(yīng)。檢測(cè)用熱紅外顯微鏡備件

在微電子、半導(dǎo)體以及材料研究等高精度領(lǐng)域，溫度始終是影響器件性能與壽命的重要因素。隨著芯片工藝向高密度和高功率方向發(fā)展，器件內(nèi)部的熱行為愈發(fā)復(fù)雜。傳統(tǒng)的熱測(cè)試方法由于依賴接觸探測(cè)，往往在空間分辨率、靈敏度和操作便捷性方面存在局限，難以滿足對(duì)新型芯片與功率器件的精細(xì)化熱分析需求。相比之下，熱紅外顯微鏡憑借非接觸測(cè)量、高分辨率成像和高靈敏度探測(cè)等優(yōu)勢(shì)，為研究人員提供了更加直觀的解決方案。它不僅能夠?qū)崟r(shí)呈現(xiàn)器件在工作狀態(tài)下的溫度分布，還可識(shí)別局部熱點(diǎn)，幫助分析電路設(shè)計(jì)缺陷、電流集中及材料老化等潛在問(wèn)題。作為現(xiàn)代失效分析與微熱檢測(cè)的重要工具，熱紅外顯微鏡正逐漸成為科研與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用中不可或缺的手段，為提升器件可靠性和延長(zhǎng)使用壽命提供了有力支持。紅外光譜熱紅外顯微鏡功能檢測(cè) PCB 焊點(diǎn)、芯片鍵合線的接觸電阻異常，避免虛焊導(dǎo)致的瞬態(tài)過(guò)熱。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）的一大突出優(yōu)勢(shì)在于其極高的探測(cè)靈敏度和空間分辨能力。該設(shè)備能夠捕捉到微瓦甚至納瓦級(jí)別的熱輻射和光發(fā)射信號(hào)，使得早期微小異常和潛在故障得以被精確識(shí)別。這種高靈敏度不僅適用于復(fù)雜半導(dǎo)體器件和集成電路的微小熱點(diǎn)檢測(cè)，也為研發(fā)和測(cè)試階段的性能評(píng)估提供了可靠依據(jù)。與此同時(shí)，熱紅外顯微鏡具備優(yōu)異的空間分辨能力，能夠清晰分辨尺寸微小的熱點(diǎn)區(qū)域，其分辨率可達(dá)微米級(jí)，部分系統(tǒng)甚至可以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)定位。通過(guò)將熱成像與光發(fā)射信號(hào)分析相結(jié)合，工程師可以直觀地觀察芯片或電子元件的熱點(diǎn)分布和異常變化，從而快速鎖定問(wèn)題源頭。依托這一技術(shù)，故障排查和性能評(píng)估的效率與準(zhǔn)確性提升，為半導(dǎo)體器件研發(fā)、生產(chǎn)質(zhì)量控制及失效分析提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持和決策依據(jù)。

Thermal和EMMI是半導(dǎo)體失效分析中常用的兩種定位技術(shù)，主要區(qū)別在于信號(hào)來(lái)源和應(yīng)用場(chǎng)景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過(guò)紅外成像捕捉芯片局部發(fā)熱區(qū)域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發(fā)溫升的失效現(xiàn)象，響應(yīng)快、直觀性強(qiáng)。而EMMI（微光顯微鏡）則依賴芯片在失效狀態(tài)下產(chǎn)生的微弱自發(fā)光信號(hào)進(jìn)行定位，尤其適用于分析ESD擊穿、漏電等低功耗器件中的電性缺陷。相較之下，Thermal更適合熱量明顯的故障場(chǎng)景，而EMMI則在熱信號(hào)不明顯但存在異常電性行為時(shí)更具優(yōu)勢(shì)。實(shí)際分析中，兩者常被集成使用，相輔相成，以實(shí)現(xiàn)失效點(diǎn)定位和問(wèn)題判斷。熱紅外顯微鏡可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電子設(shè)備運(yùn)行中的熱變化，預(yù)防過(guò)熱故障 。

對(duì)于3D封裝產(chǎn)品，傳統(tǒng)的失效點(diǎn)定位往往需要采用逐層去層的方法，一層一層地進(jìn)行異常排查與確認(rèn)，不僅耗時(shí)長(zhǎng)、人工成本高，還存在對(duì)樣品造成不可逆損傷的風(fēng)險(xiǎn)。借助Thermal EMMI設(shè)備，可通過(guò)檢測(cè)失效點(diǎn)熱輻射在傳導(dǎo)過(guò)程中的相位差，推算出失效點(diǎn)在3D封裝結(jié)構(gòu)中的深度位置（Z軸方向）。這一方法能夠在不破壞封裝的前提下，快速判斷失效點(diǎn)所在的芯片層級(jí)，實(shí)現(xiàn)高效、精細(xì)的失效定位。如圖7所示，不同深度空間下失效點(diǎn)與相位的關(guān)系為該技術(shù)提供了直觀的參考依據(jù)。熱紅外顯微鏡突破光學(xué)衍射極限，以納米級(jí)分辨率呈現(xiàn)樣品微觀結(jié)構(gòu)與熱特性。自銷(xiāo)熱紅外顯微鏡售價(jià)

熱紅外顯微鏡的高精度熱檢測(cè)，為電子設(shè)備可靠性提供保障 。檢測(cè)用熱紅外顯微鏡備件

此外，致晟光電自主研發(fā)的熱紅外顯微鏡thermal emmi還能對(duì)芯片內(nèi)部關(guān)鍵半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè)，即結(jié)溫。結(jié)溫水平直接影響器件的穩(wěn)定運(yùn)行和使用壽命，過(guò)高的結(jié)溫會(huì)加速性能衰減。依托其高空間分辨率的熱成像能力，熱紅外顯微鏡不僅能夠?qū)崿F(xiàn)結(jié)溫的精確測(cè)量，還能為研發(fā)人員提供詳盡的熱學(xué)數(shù)據(jù)，輔助制定合理的散熱方案。借助這一技術(shù)，工程師能夠在芯片研發(fā)、測(cè)試和應(yīng)用各環(huán)節(jié)中掌握其熱特性，有效提升芯片的可靠性和整體性能表現(xiàn)。 檢測(cè)用熱紅外顯微鏡備件