致晟光電的EMMI微光顯微鏡依托公司在微弱光信號(hào)處理領(lǐng)域技術(shù)，將半導(dǎo)體器件在通電狀態(tài)下產(chǎn)生的極低強(qiáng)度光信號(hào)捕捉并成像。當(dāng)器件內(nèi)部存在PN結(jié)擊穿、漏電通道、金屬遷移等缺陷時(shí)，會(huì)釋放特定波長(zhǎng)的光子。致晟光電通過高靈敏度InGaAs探測(cè)器、低噪聲光學(xué)系統(tǒng)與自研信號(hào)放大算法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)納瓦級(jí)光信號(hào)的高信噪比捕捉。該技術(shù)無需破壞樣品，即可完成非接觸式檢測(cè)，尤其適合3D封裝、先進(jìn)制程芯片的缺陷定位。憑借南京理工大學(xué)科研力量支持，公司在探測(cè)靈敏度、數(shù)據(jù)處理速度、圖像質(zhì)量等方面，幫助客戶更快完成失效分析與良率優(yōu)化。高靈敏度的微光顯微鏡，能夠檢測(cè)到極其微弱的光子信號(hào)以定位微小失效點(diǎn)。顯微微光顯微鏡平臺(tái)

在芯片失效分析的流程中，失效背景調(diào)查相當(dāng)于提前設(shè)置好的“導(dǎo)航系統(tǒng)”，它能夠?yàn)榉治鋈藛T提供清晰的方向，幫助快速掌握樣品的整體情況，為后續(xù)環(huán)節(jié)奠定可靠基礎(chǔ)。

首先需要明確的是芯片的型號(hào)信息。不同型號(hào)的芯片在電路結(jié)構(gòu)、工作原理和設(shè)計(jì)目標(biāo)上都可能存在較大差異，因此型號(hào)的收集與確認(rèn)是所有分析工作的起點(diǎn)。緊隨其后的是應(yīng)用場(chǎng)景的梳理。

無論芯片是應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域，使用環(huán)境和運(yùn)行負(fù)荷都會(huì)不同，這些條件會(huì)直接影響失效表現(xiàn)及其可能原因。 國(guó)內(nèi)微光顯微鏡技術(shù)參數(shù)微光顯微鏡中，光發(fā)射顯微技術(shù)通過優(yōu)化的光學(xué)系統(tǒng)與制冷型 InGaAs 探測(cè)器，可捕捉低至 pW 級(jí)的光子信號(hào)。

例如，當(dāng)某批芯片在測(cè)試中出現(xiàn)漏電失效時(shí)，微光顯微鏡能夠準(zhǔn)確定位具體的失效位置，為后續(xù)分析提供堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。通過該定位信息，工程師可結(jié)合聚焦離子束（FIB）切割技術(shù)，對(duì)芯片截面進(jìn)行精細(xì)觀察，從而追溯至柵氧層缺陷或氧化工藝異常等具體問題環(huán)節(jié)。這一能力使得微光顯微鏡在半導(dǎo)體失效分析中成為定位故障點(diǎn)的重要工具，其高靈敏度的探測(cè)性能和高效的分析流程，為問題排查與解決提供了不可或缺的支撐。

在芯片研發(fā)階段，該設(shè)備可以幫助研發(fā)團(tuán)隊(duì)快速鎖定設(shè)計(jì)或工藝中的潛在隱患，避免資源浪費(fèi)和試錯(cuò)成本的增加；在量產(chǎn)環(huán)節(jié)，微光顯微鏡能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產(chǎn)線的調(diào)整和優(yōu)化爭(zhēng)取寶貴時(shí)間，降低經(jīng)濟(jì)損失；在產(chǎn)品應(yīng)用階段，它還能夠?yàn)榭煽啃詥栴}的排查提供參考，輔助企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場(chǎng)信譽(yù)。無論是面向先進(jìn)制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產(chǎn)檢測(cè)，這套設(shè)備憑借其獨(dú)特技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在失效分析流程中發(fā)揮著不可替代的作用，為半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)轉(zhuǎn)和技術(shù)升級(jí)提供了有力支持。

在微光顯微鏡（EMMI）的操作過程中，對(duì)樣品施加適當(dāng)電壓時(shí)，其失效點(diǎn)會(huì)由于載流子加速散射或電子-空穴對(duì)復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長(zhǎng)的光子。這些光子經(jīng)過光學(xué)采集與圖像處理后，可形成一張清晰的信號(hào)圖，用于反映樣品在供電狀態(tài)下的發(fā)光特征。隨后，通過取消施加在樣品上的電壓，在無電狀態(tài)下采集一張背景圖，用于記錄環(huán)境光和儀器噪聲。將信號(hào)圖與背景圖進(jìn)行疊加和差分處理，可以精確識(shí)別并定位發(fā)光點(diǎn)的位置，實(shí)現(xiàn)對(duì)失效點(diǎn)的高精度定位。為了進(jìn)一步提升定位精度，通常會(huì)結(jié)合多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如，可通過濾波算法有效去除背景噪聲，提高信號(hào)圖的信噪比；同時(shí)利用邊緣檢測(cè)技術(shù)，突出發(fā)光點(diǎn)的邊界特征，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的定位與輪廓識(shí)別。借助這些方法，EMMI能夠?qū)Π雽?dǎo)體芯片、集成電路及微電子器件的失效點(diǎn)進(jìn)行精確分析，為故障排查、工藝優(yōu)化和設(shè)計(jì)改進(jìn)提供可靠依據(jù)，并提升失效分析的效率和準(zhǔn)確性。晶體管漏電點(diǎn)清晰呈現(xiàn)。

對(duì)于半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言，排查失效問題往往是一場(chǎng)步步受阻的過程。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝缺陷等潛在因素后，若仍無法定位問題根源，往往需要依賴芯片原廠介入，借助剖片分析手段深入探查芯片內(nèi)核。然而現(xiàn)實(shí)中，由于缺乏專業(yè)的失效分析設(shè)備，再加之芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)牽涉大量專有與保密信息，工程師很難真正理解其底層構(gòu)造。這種信息不對(duì)稱，使得他們?cè)诿鎸?duì)原廠出具的分析報(bào)告時(shí)，往往陷入“被動(dòng)接受”的困境——既難以驗(yàn)證報(bào)告中具體結(jié)論的準(zhǔn)確性，也難以基于自身判斷提出更具針對(duì)性的質(zhì)疑或補(bǔ)充分析路徑。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡的優(yōu)勢(shì)在于工藝完備與實(shí)用。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡用途

對(duì)于靜電放電損傷等電缺陷，微光顯微鏡可通過光子發(fā)射準(zhǔn)確找到問題。顯微微光顯微鏡平臺(tái)

EMMI的全稱是Electro-OpticalEmissionMicroscopy，也叫做光電發(fā)射顯微鏡。這是一種在半導(dǎo)體器件失效分析中常用的技術(shù)，通過檢測(cè)半導(dǎo)體器件中因漏電、擊穿等缺陷產(chǎn)生的微弱光輻射（如載流子復(fù)合發(fā)光），實(shí)現(xiàn)對(duì)微小缺陷的定位和分析，廣泛應(yīng)用于集成電路、半導(dǎo)體芯片等的質(zhì)量檢測(cè)與故障排查。

致晟光電該系列——RTTLITE20微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測(cè)而設(shè)計(jì)的高精度檢測(cè)系統(tǒng)。其中，實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)采用鎖相熱成像(Lock-in Thermography)技術(shù)，通過調(diào)制電信號(hào)損升特征分辨率與靈敏度，結(jié)合軟件算法優(yōu)化信噪比，以實(shí)現(xiàn)顯微成像下的高靈敏度熱信號(hào)測(cè)量。 顯微微光顯微鏡平臺(tái)