芯片在工作過程中，漏電缺陷是一類常見但極具隱蔽性的失效現(xiàn)象。傳統(tǒng)檢測手段在面對復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)和高集成度芯片時(shí)，往往難以在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。而微光顯微鏡憑借對極微弱光輻射的高靈敏捕捉能力，為工程師提供了一種高效的解決方案。當(dāng)芯片局部出現(xiàn)漏電時(shí)，會(huì)產(chǎn)生非常微小的發(fā)光現(xiàn)象，常規(guī)設(shè)備無法辨識，但微光顯微鏡能夠在非接觸狀態(tài)下快速捕獲并呈現(xiàn)這些信號。通過成像結(jié)果，工程師可以直觀判斷缺陷位置和范圍，進(jìn)而縮短排查周期。相比以往依賴電性能測試或剖片分析的方式，微光顯微鏡實(shí)現(xiàn)了更高效、更經(jīng)濟(jì)的缺陷診斷，不僅提升了芯片可靠性分析的準(zhǔn)確度，也加快了產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的閉環(huán)流程。由此可見，微光顯微鏡在電子工程領(lǐng)域的應(yīng)用，正在為行業(yè)帶來更快、更精細(xì)的檢測能力。微光顯微鏡可結(jié)合紅外探測，實(shí)現(xiàn)跨波段復(fù)合檢測。無損微光顯微鏡成像

在芯片和電子器件的故障診斷過程中，精度往往決定了后續(xù)分析與解決的效率。傳統(tǒng)檢測方法雖然能夠大致鎖定問題范圍，但在高密度電路或納米級結(jié)構(gòu)中，往往難以將缺陷精確定位到具體點(diǎn)位。微光顯微鏡憑借對微弱發(fā)光信號的高分辨率捕捉能力，實(shí)現(xiàn)了故障點(diǎn)的可視化。當(dāng)器件因缺陷產(chǎn)生局部能量釋放時(shí)，這些信號極其微小且容易被環(huán)境噪聲淹沒，但微光顯微鏡能通過優(yōu)化的光學(xué)系統(tǒng)和信號處理算法，將其清晰分離并呈現(xiàn)。相比傳統(tǒng)方法，微光顯微鏡的定位精度提升了一個(gè)數(shù)量級，縮短了排查時(shí)間，同時(shí)降低了誤判率。對于高性能芯片和關(guān)鍵器件而言，這種尤為重要，因?yàn)槿魏螡撛谌毕荻伎赡苡绊懻w性能。微光顯微鏡的引入，使故障分析從“模糊排查”轉(zhuǎn)向“點(diǎn)對點(diǎn)定位”，為電子產(chǎn)業(yè)的可靠性提升提供了有力保障。高分辨率微光顯微鏡24小時(shí)服務(wù)晶體管短路時(shí)會(huì)產(chǎn)生異常光信號。

隨后，通過去層處理逐步去除芯片中的金屬布線層和介質(zhì)層，配合掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察，進(jìn)一步確認(rèn)缺陷的具體形貌。這些缺陷可能表現(xiàn)為金屬線路的腐蝕、氧化層的剝落或晶體管柵極的損傷。結(jié)合實(shí)驗(yàn)結(jié)果，分析人員能夠追溯出導(dǎo)致失效的具體機(jī)理，例如電遷移效應(yīng)、熱載流子注入或工藝污染等。這樣的“定位—驗(yàn)證—溯源”閉環(huán)過程，使PEM系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件及集成電路的失效研究中展現(xiàn)了極高的實(shí)用價(jià)值，為工程師提供了可靠的分析手段。

在電子器件和半導(dǎo)體元件的檢測環(huán)節(jié)中，如何在不損壞樣品的情況下獲得可靠信息，是保證研發(fā)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)分析手段，如剖片、電鏡掃描等，雖然能夠提供一定的內(nèi)部信息，但往往具有破壞性，導(dǎo)致樣品無法重復(fù)使用。微光顯微鏡在這一方面展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢，它通過非接觸的光學(xué)檢測方式實(shí)現(xiàn)缺陷定位與信號捕捉，不會(huì)對樣品結(jié)構(gòu)造成物理損傷。這一特性不僅能夠減少寶貴樣品的損耗，還使得測試過程更具可重復(fù)性，工程師可以在不同實(shí)驗(yàn)條件下多次觀察同一器件的表現(xiàn)，從而獲得更多的數(shù)據(jù)。尤其是在研發(fā)階段，樣品數(shù)量有限且成本高昂，微光顯微鏡的非破壞性檢測特性大幅提升了實(shí)驗(yàn)經(jīng)濟(jì)性和數(shù)據(jù)完整性。因此，微光顯微鏡在半導(dǎo)體、光電子和新材料等行業(yè)，正逐漸成為標(biāo)準(zhǔn)化的檢測工具，其價(jià)值不僅體現(xiàn)在成像性能上，更在于對研發(fā)與生產(chǎn)效率的整體優(yōu)化。微光顯微鏡提升了芯片工藝優(yōu)化中的熱、電異常定位效率。

EMMI的全稱是Electro-OpticalEmissionMicroscopy，也叫做光電發(fā)射顯微鏡。這是一種在半導(dǎo)體器件失效分析中常用的技術(shù)，通過檢測半導(dǎo)體器件中因漏電、擊穿等缺陷產(chǎn)生的微弱光輻射（如載流子復(fù)合發(fā)光），實(shí)現(xiàn)對微小缺陷的定位和分析，廣泛應(yīng)用于集成電路、半導(dǎo)體芯片等的質(zhì)量檢測與故障排查。

致晟光電該系列——RTTLITE20微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測而設(shè)計(jì)的高精度檢測系統(tǒng)。其中，實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)采用鎖相熱成像(Lock-in Thermography)技術(shù)，通過調(diào)制電信號損升特征分辨率與靈敏度，結(jié)合軟件算法優(yōu)化信噪比，以實(shí)現(xiàn)顯微成像下的高靈敏度熱信號測量。 依托高靈敏度紅外探測模塊，Thermal EMMI 可捕捉器件異常發(fā)熱區(qū)域釋放的微弱光子信號。實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡方案設(shè)計(jì)

微光顯微鏡具備非破壞性檢測特性，減少樣品損耗。無損微光顯微鏡成像

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能 InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）熱輻射信號的高精度捕捉。InSb 材料具備優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低本征噪聲，在制冷條件下可實(shí)現(xiàn) nW 級熱靈敏度與優(yōu)于 20 mK 的溫度分辨率，支持高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統(tǒng)中的應(yīng)用，不僅提升了空間分辨率（可達(dá)微米量級）與溫度響應(yīng)線性度，還能對半導(dǎo)體器件和微電子系統(tǒng)中的局部發(fā)熱缺陷、熱點(diǎn)遷移及瞬態(tài)熱行為進(jìn)行精細(xì)刻畫。結(jié)合致晟光電自主研發(fā)的高數(shù)值孔徑光學(xué)系統(tǒng)與穩(wěn)態(tài)熱控平臺，InSb 探測器可在多物理場耦合環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高時(shí)空分辨的熱場成像，是先進(jìn)電子器件失效分析、電熱耦合機(jī)理研究以及材料熱特性評估中的前沿技術(shù)。無損微光顯微鏡成像