與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發(fā)的微弱光發(fā)射方面更具優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長捕捉因功率耗散導致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對比中，EMMI 無需真空環(huán)境，且屬于非破壞性檢測，但 SEM 在微觀形貌觀察的分辨率上更勝一籌。在實際失效分析中，這些技術(shù)往往互為補充——可先利用 EMMI 快速鎖定缺陷的大致區(qū)域，再借助 SEM 或 FIB 對目標位置進行精細剖析與結(jié)構(gòu)驗證，從而形成完整的分析鏈路。
在復雜制程節(jié)點，微光顯微鏡能揭示潛在失效點。半導體微光顯微鏡方案

失效分析是一種系統(tǒng)性技術(shù)流程，通過多種檢測手段、實驗驗證以及深入分析，探究產(chǎn)品或器件在設計、制造和使用各階段出現(xiàn)故障、性能異常或失效的根本原因。與單純發(fā)現(xiàn)問題不同，失效分析更強調(diào)精確定位失效源頭，追蹤導致異常的具體因素，從而為改進設計、優(yōu)化工藝或調(diào)整使用條件提供科學依據(jù)。尤其在半導體行業(yè)，芯片結(jié)構(gòu)復雜、功能高度集成，任何微小的缺陷或工藝波動都可能引發(fā)性能異?；蚴?，因此失效分析在研發(fā)、量產(chǎn)和終端應用的各個環(huán)節(jié)都發(fā)揮著不可替代的作用。在研發(fā)階段，它可以幫助工程師識別原型芯片設計缺陷或工藝偏差；在量產(chǎn)階段，則用于排查批量性失效的來源，優(yōu)化生產(chǎn)流程；在應用階段，失效分析還能夠解析環(huán)境應力或長期使用條件對芯片可靠性的影響，從而指導封裝、材料及系統(tǒng)設計的改進。通過這一貫穿全生命周期的分析過程，半導體企業(yè)能夠更有效地提升產(chǎn)品質(zhì)量、保障性能穩(wěn)定性，并降低潛在風險，實現(xiàn)研發(fā)與生產(chǎn)的閉環(huán)優(yōu)化。制冷微光顯微鏡與光學顯微鏡對比Thermal EMMI 無需破壞封裝，對芯片進行無損檢測，有效定位 PN 結(jié)熱漏電故障。

偵測不到亮點之情況不會出現(xiàn)亮點之故障：1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面反型層；5.硅導電通路等。

亮點被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

測試范圍：故障點定位、尋找近紅外波段發(fā)光點測試內(nèi)容：1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰2.飽和區(qū)晶體管的熱電子3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)4.Latchup、GateOxideDefect、JunctionLeakage、HotCarriersEffect、ESD等問題

芯片在工作過程中，漏電缺陷是一類常見但極具隱蔽性的失效現(xiàn)象。傳統(tǒng)檢測手段在面對復雜電路結(jié)構(gòu)和高集成度芯片時，往往難以在短時間內(nèi)實現(xiàn)精細定位。而微光顯微鏡憑借對極微弱光輻射的高靈敏捕捉能力，為工程師提供了一種高效的解決方案。當芯片局部出現(xiàn)漏電時，會產(chǎn)生非常微小的發(fā)光現(xiàn)象，常規(guī)設備無法辨識，但微光顯微鏡能夠在非接觸狀態(tài)下快速捕獲并呈現(xiàn)這些信號。通過成像結(jié)果，工程師可以直觀判斷缺陷位置和范圍，進而縮短排查周期。相比以往依賴電性能測試或剖片分析的方式，微光顯微鏡實現(xiàn)了更高效、更經(jīng)濟的缺陷診斷，不僅提升了芯片可靠性分析的準確度，也加快了產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的閉環(huán)流程。由此可見，微光顯微鏡在電子工程領域的應用，正在為行業(yè)帶來更快、更精細的檢測能力。微光顯微鏡具備非破壞性檢測特性，減少樣品損耗。

微光紅外顯微儀是一種高靈敏度的失效分析設備，可在非破壞性條件下，對封裝器件及芯片的多種失效模式進行精細檢測與定位。其應用范圍涵蓋：芯片封裝打線缺陷及內(nèi)部線路短路、介電層（Oxide）漏電、晶體管和二極管漏電、TFT LCD面板及PCB/PCBA金屬線路缺陷與短路、ESD閉鎖效應、3D封裝（Stacked Die）失效點深度（Z軸）預估、低阻抗短路（＜10 Ω）問題分析，以及芯片鍵合對準精度檢測。相比傳統(tǒng)方法，微光紅外顯微儀無需繁瑣的去層處理，能夠通過檢測器捕捉異常輻射信號，快速鎖定缺陷位置，大幅縮短分析時間，降低樣品損傷風險，為半導體封裝測試、產(chǎn)品質(zhì)量控制及研發(fā)優(yōu)化提供高效可靠的技術(shù)手段。借助微光顯微鏡，研發(fā)團隊能快速實現(xiàn)缺陷閉環(huán)驗證。無損微光顯微鏡選購指南

微光顯微鏡通過圖像處理疊加信號圖與背景圖，精確定位發(fā)光點位置。半導體微光顯微鏡方案

在微光顯微鏡（EMMI）的操作過程中，對樣品施加適當電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發(fā)射特定波長的光子。這些光子經(jīng)過光學采集與圖像處理后，可形成一張清晰的信號圖，用于反映樣品在供電狀態(tài)下的發(fā)光特征。隨后，通過取消施加在樣品上的電壓，在無電狀態(tài)下采集一張背景圖，用于記錄環(huán)境光和儀器噪聲。將信號圖與背景圖進行疊加和差分處理，可以精確識別并定位發(fā)光點的位置，實現(xiàn)對失效點的高精度定位。為了進一步提升定位精度，通常會結(jié)合多種圖像處理技術(shù)進行優(yōu)化。例如，可通過濾波算法有效去除背景噪聲，提高信號圖的信噪比；同時利用邊緣檢測技術(shù)，突出發(fā)光點的邊界特征，從而實現(xiàn)更精細的定位與輪廓識別。借助這些方法，EMMI能夠?qū)Π雽w芯片、集成電路及微電子器件的失效點進行精確分析，為故障排查、工藝優(yōu)化和設計改進提供可靠依據(jù)，并提升失效分析的效率和準確性。半導體微光顯微鏡方案