Thermal（熱分析/熱成像）指的是通過紅外熱成像（如ThermalEMMI或熱紅外顯微鏡）等方式，檢測芯片發(fā)熱異常的位置。通常利用的是芯片在工作時(shí)因電流泄漏或短路而產(chǎn)生的局部溫升。常用于分析如：漏電、短路、功耗異常等問題。EMMI（光發(fā)射顯微成像EmissionMicroscopy）是利用芯片在失效時(shí)（如PN結(jié)擊穿、漏電）會產(chǎn)生微弱的光發(fā)射現(xiàn)象（多為近紅外光），通過光電探測器捕捉這類自發(fā)光信號來確定失效點(diǎn)。更敏感于電性失效，如ESD擊穿、閂鎖等。微光顯微鏡不斷迭代升級，推動(dòng)半導(dǎo)體檢測邁向智能化。自銷微光顯微鏡售價(jià)

致晟光電的EMMI微光顯微鏡依托公司在微弱光信號處理領(lǐng)域技術(shù)，將半導(dǎo)體器件在通電狀態(tài)下產(chǎn)生的極低強(qiáng)度光信號捕捉并成像。當(dāng)器件內(nèi)部存在PN結(jié)擊穿、漏電通道、金屬遷移等缺陷時(shí)，會釋放特定波長的光子。致晟光電通過高靈敏度InGaAs探測器、低噪聲光學(xué)系統(tǒng)與自研信號放大算法，實(shí)現(xiàn)了對納瓦級光信號的高信噪比捕捉。該技術(shù)無需破壞樣品，即可完成非接觸式檢測，尤其適合3D封裝、先進(jìn)制程芯片的缺陷定位。憑借南京理工大學(xué)科研力量支持，公司在探測靈敏度、數(shù)據(jù)處理速度、圖像質(zhì)量等方面，幫助客戶更快完成失效分析與良率優(yōu)化。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡故障維修對高密度集成電路，微光顯微鏡能有效突破可視化瓶頸。

在半導(dǎo)體MEMS器件檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡憑借超靈敏的感知能力，展現(xiàn)出不可替代的技術(shù)價(jià)值。MEMS器件的中心結(jié)構(gòu)多以微米級尺度存在，這些微小部件在運(yùn)行過程中產(chǎn)生的紅外輻射變化極其微弱——其信號強(qiáng)度往往低于常規(guī)檢測設(shè)備的感知閾值，卻能被微光顯微鏡捕捉。借助先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換與信號放大技術(shù)，微光顯微鏡可將捕捉到的微弱紅外輻射信號轉(zhuǎn)化為直觀的動(dòng)態(tài)圖像；搭配專業(yè)圖像分析工具，能進(jìn)一步量化提取結(jié)構(gòu)的位移幅度、振動(dòng)頻率等關(guān)鍵參數(shù)。這種非接觸式檢測方式，從根本上規(guī)避了傳統(tǒng)接觸式測量對微結(jié)構(gòu)的物理干擾，確保檢測數(shù)據(jù)真實(shí)反映器件運(yùn)行狀態(tài)，為MEMS器件的設(shè)計(jì)優(yōu)化、性能評估及可靠性驗(yàn)證提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。

芯片在工作過程中，漏電缺陷是一類常見但極具隱蔽性的失效現(xiàn)象。傳統(tǒng)檢測手段在面對復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)和高集成度芯片時(shí)，往往難以在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。而微光顯微鏡憑借對極微弱光輻射的高靈敏捕捉能力，為工程師提供了一種高效的解決方案。當(dāng)芯片局部出現(xiàn)漏電時(shí)，會產(chǎn)生非常微小的發(fā)光現(xiàn)象，常規(guī)設(shè)備無法辨識，但微光顯微鏡能夠在非接觸狀態(tài)下快速捕獲并呈現(xiàn)這些信號。通過成像結(jié)果，工程師可以直觀判斷缺陷位置和范圍，進(jìn)而縮短排查周期。相比以往依賴電性能測試或剖片分析的方式，微光顯微鏡實(shí)現(xiàn)了更高效、更經(jīng)濟(jì)的缺陷診斷，不僅提升了芯片可靠性分析的準(zhǔn)確度，也加快了產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的閉環(huán)流程。由此可見，微光顯微鏡在電子工程領(lǐng)域的應(yīng)用，正在為行業(yè)帶來更快、更精細(xì)的檢測能力。微光顯微鏡助力排查復(fù)雜電路。

漏電是芯片中另一類常見失效模式，其成因相對復(fù)雜，既可能與晶體管在長期運(yùn)行中的老化退化有關(guān)，也可能源于氧化層裂紋或材料缺陷。與短路類似，當(dāng)芯片內(nèi)部出現(xiàn)漏電現(xiàn)象時(shí)，漏電路徑中會產(chǎn)生微弱的光發(fā)射信號，但其強(qiáng)度通常遠(yuǎn)低于短路所引發(fā)的光輻射，因此對檢測設(shè)備的靈敏度提出了較高要求。

微光顯微鏡（EMMI）依靠其高靈敏度的光探測能力，能夠捕捉到這些極微弱的光信號，并通過全域掃描技術(shù)對芯片進(jìn)行系統(tǒng)檢測。在掃描過程中，漏電區(qū)域能夠以可視化圖像的形式呈現(xiàn)，清晰顯示其空間分布和熱學(xué)特征。

工程師可以根據(jù)這些圖像信息，直觀判斷漏電位置及可能涉及的功能模塊，為后續(xù)的失效分析和工藝優(yōu)化提供依據(jù)。通過這種方法，微光顯微鏡不僅能夠發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)電性測試難以捕捉的微小異常，還為半導(dǎo)體器件的可靠性評估和設(shè)計(jì)改進(jìn)提供了重要支持，有助于提高芯片整體性能和使用壽命。 國產(chǎn)微光顯微鏡的優(yōu)勢在于工藝完備與實(shí)用。自銷微光顯微鏡售價(jià)

微光顯微鏡適配多種探測模式，兼顧科研與工業(yè)應(yīng)用。自銷微光顯微鏡售價(jià)

偵測不到亮點(diǎn)之情況不會出現(xiàn)亮點(diǎn)之故障：1.亮點(diǎn)位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面反型層；5.硅導(dǎo)電通路等。

亮點(diǎn)被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

測試范圍：故障點(diǎn)定位、尋找近紅外波段發(fā)光點(diǎn)測試內(nèi)容：1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰2.飽和區(qū)晶體管的熱電子3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)4.Latchup、GateOxideDefect、JunctionLeakage、HotCarriersEffect、ESD等問題 自銷微光顯微鏡售價(jià)