偵測(cè)不到亮點(diǎn)之情況不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)之故障：1.亮點(diǎn)位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面反型層；5.硅導(dǎo)電通路等。

亮點(diǎn)被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情況可采用Backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

測(cè)試范圍：故障點(diǎn)定位、尋找近紅外波段發(fā)光點(diǎn)測(cè)試內(nèi)容：1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰2.飽和區(qū)晶體管的熱電子3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)4.Latchup、GateOxideDefect、JunctionLeakage、HotCarriersEffect、ESD等問(wèn)題 Thermal EMMI 無(wú)需破壞封裝，對(duì)芯片進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)，有效定位 PN 結(jié)熱漏電故障。制冷微光顯微鏡功能

EMMI微光顯微鏡作為集成電路失效分析中的設(shè)備，其漏電定位功能是失效分析工程師不可或缺的利器。在芯片可靠性要求日益嚴(yán)苛的當(dāng)下，微小的漏電現(xiàn)象在芯片運(yùn)行過(guò)程中較為常見(jiàn)，然而這些看似微弱的電流，在特定條件下可能被放大，從而引發(fā)器件功能異常，甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)失效。微漏電現(xiàn)象已成為集成電路失效分析中的關(guān)鍵問(wèn)題之一。尤其在大多數(shù)IC器件工作電壓處于3.3V至20V區(qū)間的背景下，即便是微安級(jí)乃至毫安級(jí)的漏電流，也足以說(shuō)明芯片可能已經(jīng)發(fā)生結(jié)構(gòu)性或電性失效。因此，識(shí)別漏電發(fā)生位置，對(duì)追溯失效根因、指導(dǎo)工藝改進(jìn)具有重要意義。什么是微光顯微鏡成像具備“顯微”級(jí)空間分辨能力，能將熱點(diǎn)區(qū)域精確定位在數(shù)微米甚至亞微米尺度。

在不同類(lèi)型的半導(dǎo)體產(chǎn)品中，EMMI（微光顯微鏡） 扮演著差異化卻同樣重要的角色。對(duì)于功率半導(dǎo)體，如 IGBT 模塊，其工作時(shí)承受高電壓、大電流，微小的缺陷極易引發(fā)過(guò)熱甚至燒毀。EMMI 能夠檢測(cè)到因缺陷產(chǎn)生的異常光發(fā)射，幫助工程師排查出芯片內(nèi)部的擊穿點(diǎn)或接觸不良區(qū)域，保障功率半導(dǎo)體在電力電子設(shè)備中的可靠運(yùn)行。而在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，EMMI 可用于檢測(cè)存儲(chǔ)單元漏電等問(wèn)題，確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性，維護(hù)整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)安全。

在實(shí)際開(kāi)展失效分析工作前，通常需要準(zhǔn)備好檢測(cè)樣品，并完成一系列前期驗(yàn)證，以便為后續(xù)分析提供明確方向。通過(guò)在早期階段進(jìn)行充分的背景調(diào)查與電性能驗(yàn)證，工程師能夠快速厘清失效發(fā)生的環(huán)境條件和可能原因，從而提升分析的效率與準(zhǔn)確性。

首先，失效背景調(diào)查是不可或缺的一步。它需要對(duì)芯片的型號(hào)、應(yīng)用場(chǎng)景及典型失效模式進(jìn)行收集和整理，例如短路、漏電、功能異常等。同時(shí)，還需掌握失效比例和使用條件，包括溫度、濕度和電壓等因素。

對(duì)高密度集成電路，微光顯微鏡能有效突破可視化瓶頸。

在致晟光電的微光顯微鏡系統(tǒng)中，光發(fā)射顯微技術(shù)憑借優(yōu)化設(shè)計(jì)的光學(xué)系統(tǒng)與制冷型 InGaAs 探測(cè)器，能夠捕捉低至皮瓦（pW）級(jí)別的微弱光子信號(hào)。這一能力使其在檢測(cè)柵極漏電、PN 結(jié)微短路等低強(qiáng)度發(fā)光失效問(wèn)題時(shí)，展現(xiàn)出靈敏度與可靠性。同時(shí)，微光顯微鏡具備非破壞性的檢測(cè)特性，確保器件在分析過(guò)程中不受損傷，既適用于研發(fā)階段的失效分析，也滿(mǎn)足量產(chǎn)階段對(duì)質(zhì)量管控的嚴(yán)苛要求。其亞微米級(jí)的空間分辨率，更讓微小缺陷無(wú)所遁形，為高精度芯片分析提供了有力保障。
高靈敏度的微光顯微鏡，能夠檢測(cè)到極其微弱的光子信號(hào)以定位微小失效點(diǎn)。高分辨率微光顯微鏡原理

晶體管漏電點(diǎn)清晰呈現(xiàn)。制冷微光顯微鏡功能

在微光顯微鏡（EMMI）檢測(cè)中，部分缺陷會(huì)以亮點(diǎn)形式呈現(xiàn)，

例如：漏電結(jié)（JunctionLeakage）接觸毛刺（ContactSpiking）熱電子效應(yīng)（HotElectrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（GateOxideDefects/Leakage，F(xiàn)-N電流）多晶硅晶須（Poly-SiliconFilaments）襯底損傷（SubstrateDamage）物理?yè)p傷（MechanicalDamage）等。

同時(shí)，在某些情況下，樣品本身的正常工作也可能產(chǎn)生亮點(diǎn)，例如：飽和/工作中的雙極型晶體管（Saturated/ActiveBipolarTransistors）飽和的MOS或動(dòng)態(tài)CMOS（SaturatedMOS/DynamicCMOS）正向偏置二極管（ForwardBiasedDiodes）反向偏置二極管擊穿（Reverse-BiasedDiodesBreakdown）等。

因此，觀察到亮點(diǎn)時(shí)，需要結(jié)合電氣測(cè)試與結(jié)構(gòu)分析，區(qū)分其是缺陷發(fā)光還是正常工作發(fā)光。此外，部分缺陷不會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)，如：歐姆接觸金屬互聯(lián)短路表面反型層硅導(dǎo)電通路等。

若亮點(diǎn)被金屬層或其他結(jié)構(gòu)遮蔽（如BuriedJunctions、LeakageSitesUnderMetal），可嘗試采用背面（Backside）成像模式。但此模式只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，并需要對(duì)樣品進(jìn)行減薄及拋光處理。 制冷微光顯微鏡功能