EMMI 技術(shù)自誕生以來，經(jīng)歷了漫長且關(guān)鍵的發(fā)展歷程。早期的 EMMI 受限于探測器靈敏度與光學(xué)系統(tǒng)分辨率，只能檢測較為明顯的半導(dǎo)體缺陷，應(yīng)用范圍相對狹窄。隨著科技的飛速進(jìn)步，新型深制冷型探測器問世，極大降低了噪聲干擾，拓寬了光信號探測范圍；同時，高分辨率顯微物鏡的應(yīng)用，使 EMMI 能夠捕捉到更微弱、更細(xì)微的光信號，實(shí)現(xiàn)對納米級缺陷的精細(xì)定位。如今，它已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各個環(huán)節(jié)，從芯片設(shè)計驗(yàn)證到大規(guī)模生產(chǎn)質(zhì)量管控，成為推動行業(yè)發(fā)展的重要力量。具備“顯微”級空間分辨能力，能將熱點(diǎn)區(qū)域精確定位在數(shù)微米甚至亞微米尺度。高分辨率微光顯微鏡選購指南

Thermal（熱分析/熱成像）指的是通過紅外熱成像（如ThermalEMMI或熱紅外顯微鏡）等方式，檢測芯片發(fā)熱異常的位置。通常利用的是芯片在工作時因電流泄漏或短路而產(chǎn)生的局部溫升。常用于分析如：漏電、短路、功耗異常等問題。EMMI（光發(fā)射顯微成像EmissionMicroscopy）是利用芯片在失效時（如PN結(jié)擊穿、漏電）會產(chǎn)生微弱的光發(fā)射現(xiàn)象（多為近紅外光），通過光電探測器捕捉這類自發(fā)光信號來確定失效點(diǎn)。更敏感于電性失效，如ESD擊穿、閂鎖等。檢測用微光顯微鏡牌子Thermal EMMI 通過檢測半導(dǎo)體缺陷處的熱致光子發(fā)射，定位芯片內(nèi)部隱性電失效點(diǎn)。

在致晟光電的微光顯微鏡系統(tǒng)中，光發(fā)射顯微技術(shù)憑借優(yōu)化設(shè)計的光學(xué)系統(tǒng)與制冷型 InGaAs 探測器，能夠捕捉低至皮瓦（pW）級別的微弱光子信號。這一能力使其在檢測柵極漏電、PN 結(jié)微短路等低強(qiáng)度發(fā)光失效問題時，展現(xiàn)出靈敏度與可靠性。同時，微光顯微鏡具備非破壞性的檢測特性，確保器件在分析過程中不受損傷，既適用于研發(fā)階段的失效分析，也滿足量產(chǎn)階段對質(zhì)量管控的嚴(yán)苛要求。其亞微米級的空間分辨率，更讓微小缺陷無所遁形，為高精度芯片分析提供了有力保障。

與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體失效檢測技術(shù)，如 X 射線成像和電子顯微鏡相比，EMMI 展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢。X 射線成像雖能洞察芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，但對因電學(xué)異常引發(fā)的微小缺陷敏感度不足；電子顯微鏡雖可提供超高分辨率微觀圖像，卻需在高真空環(huán)境下工作，且對樣品制備要求苛刻。EMMI 則無需復(fù)雜樣品處理，能在芯片正常工作狀態(tài)下實(shí)時檢測，憑借對微弱光信號的探測，有效彌補(bǔ)了傳統(tǒng)技術(shù)在檢測因電學(xué)性能變化導(dǎo)致缺陷時的短板，在半導(dǎo)體質(zhì)量控制流程中占據(jù)重要地位。技術(shù)成熟度和性價比，使國產(chǎn)方案脫穎而出。

EMMI（Emission Microscopy，微光顯微鏡）是一種基于微弱光發(fā)射成像原理的“微光顯微鏡”，廣泛應(yīng)用于集成電路失效分析。其本質(zhì)在于：通過高靈敏度的InGaAs探測器，捕捉芯片在加電或工作狀態(tài)下因缺陷、漏電或擊穿等現(xiàn)象而產(chǎn)生的極其微弱的自發(fā)光信號。這些光信號通常位于近紅外波段，功率極低，肉眼無法察覺，必須借助專門設(shè)備放大成像。相比傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)檢測方法，EMMI無需破壞樣品，也無需額外激發(fā)源，具備非接觸、無損傷、定位等優(yōu)勢。其空間分辨率可達(dá)微米級，可用于閂鎖效應(yīng)、柵氧擊穿、短路、漏電等問題的初步診斷，是構(gòu)建失效分析閉環(huán)的重要手段之一。
它不依賴外部激發(fā)（如激光或電流注入），而是利用芯片本身在運(yùn)行或偏壓狀態(tài)下產(chǎn)生的“自發(fā)光”；檢測用微光顯微鏡儀器

借助微光顯微鏡，研發(fā)團(tuán)隊(duì)能快速實(shí)現(xiàn)缺陷閉環(huán)驗(yàn)證。高分辨率微光顯微鏡選購指南

芯片在工作過程中，漏電缺陷是一類常見但極具隱蔽性的失效現(xiàn)象。傳統(tǒng)檢測手段在面對復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)和高集成度芯片時，往往難以在短時間內(nèi)實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。而微光顯微鏡憑借對極微弱光輻射的高靈敏捕捉能力，為工程師提供了一種高效的解決方案。當(dāng)芯片局部出現(xiàn)漏電時，會產(chǎn)生非常微小的發(fā)光現(xiàn)象，常規(guī)設(shè)備無法辨識，但微光顯微鏡能夠在非接觸狀態(tài)下快速捕獲并呈現(xiàn)這些信號。通過成像結(jié)果，工程師可以直觀判斷缺陷位置和范圍，進(jìn)而縮短排查周期。相比以往依賴電性能測試或剖片分析的方式，微光顯微鏡實(shí)現(xiàn)了更高效、更經(jīng)濟(jì)的缺陷診斷，不僅提升了芯片可靠性分析的準(zhǔn)確度，也加快了產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的閉環(huán)流程。由此可見，微光顯微鏡在電子工程領(lǐng)域的應(yīng)用，正在為行業(yè)帶來更快、更精細(xì)的檢測能力。高分辨率微光顯微鏡選購指南