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蘇州銀蝕刻液蝕刻液配方技術(shù)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-09-04

銅蝕刻液適用于印制版銅的蝕刻,蝕刻速度快。蝕刻速度達(dá)4~5um/min。廢液回收簡(jiǎn)單,用于印制板,線路板。本劑也可用于銅工藝品等的蝕刻。蝕刻后的板面平整而光亮。銅蝕刻液的反應(yīng)速度快、使用溫度低、溶液使用壽命長(zhǎng),后處理容易,對(duì)環(huán)境污染小。用于銅質(zhì)單面板,雙面板、首飾蝕刻,可以蝕刻出任意精美的形態(tài),有效提高蝕刻速度,節(jié)約人工水電。常常應(yīng)用于印刷線路板銅的蝕刻處理1、蝕刻速度快,效率高。使用方便。蝕刻速度可達(dá)10微米/分鐘。2、可循環(huán)使用,無(wú)廢液排放。1、藍(lán)色透明液體,有氣味。2、比重:1.10~1.13。3、PH值:10~11.0。1、采用浸泡的方法即可,浸泡過(guò)程中要攪動(dòng)蝕刻液或移動(dòng)工件。蝕刻溫度為20~40℃,在通風(fēng)排氣處操作,操作時(shí)要蓋好蓋子。2、蝕刻時(shí)間可以根據(jù)蝕刻的深度確定。蘇州博洋化學(xué)股份有限公司歡迎新老朋友咨詢。蘇州銀蝕刻液蝕刻液配方技術(shù)

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影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素:1、Cu2+離子濃度的影響:Cu2+是氧化劑,所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明:在0~82g/L時(shí),蝕刻時(shí)間長(zhǎng);在82~120g/L時(shí),蝕刻速率較低,且溶液控制困難;在135~165g/L時(shí),蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定;在165~225g/L時(shí),溶液不穩(wěn)定,趨向于產(chǎn)生沉淀。2、氯化銨含量的影響:通過(guò)蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有過(guò)量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蝕刻速率就會(huì)降低,以致失去蝕刻能力。所以,氯化銨的含量對(duì)蝕刻速率影響很大。隨著蝕刻的進(jìn)行,要不斷補(bǔ)加氯化銨。深圳蝕刻液訂做價(jià)格維信諾用的哪家的蝕刻液?

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銀蝕刻液主要用于印刷線路板制造,銀器及銀合金的蝕刻、標(biāo)牌制作。二、突出特點(diǎn)1.蝕刻速度快,效率高。使用方便。蝕刻最高速度可達(dá)2000納米/秒。2.可循環(huán)使用,無(wú)廢液排放。三、理化指標(biāo)外觀:液體;氣味:微;比重:1.05±0.1;pH:偏堿性四、使用方法1.預(yù)處理:如銀或銅合金表面不潔凈,需對(duì)表面進(jìn)行潔凈處理,如除油、除雜等。2.蝕刻:(1).將圖案模板紙粘附于銀板或銀器上,再將銀蝕刻液用噴淋設(shè)備噴于圖案處,時(shí)間1分鐘到幾十分鐘不定(用戶可根據(jù)蝕刻要求自行試驗(yàn)時(shí)間,因模板紙不同,時(shí)間也不同),揭去模板紙,用清水沖掉殘物。(2).用100-200T的絲網(wǎng),75度硬度的聚酯刮膠,將光固化抗蝕刻油墨印刷在基板上,然后將油墨在紫外燈下光照20—30秒鐘,(紫外光能量為1000mj/cm2)。用噴淋的方式進(jìn)行蝕刻,溫度50±5℃,壓力1-3kg/cm2時(shí)間1分鐘到幾分鐘,(具體時(shí)間根據(jù)蝕刻深度而定)。然后,用1%--3%的氫氧化鈉溶液將光固化抗蝕刻油墨溶解出去。

很好的對(duì)注入量進(jìn)行精確控制,提高了該裝置的制備純度。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的整體示意圖;圖2為本實(shí)用新型的a處放大示意圖;圖3為本實(shí)用新型的b處放大示意圖;圖4為本實(shí)用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中:1、制備裝置主體,2、高效攪拌裝置,3、過(guò)濾除雜裝置,4、翻折觀察板,401、觀察窗翻折滾輪,402、內(nèi)嵌觀察窗,5、裝置底座,6、成品罐,7、鹽酸裝罐,8、硝酸裝罐,9、熱水流入漏斗,10、加固支架,11、防燙隔膜,12、旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤,13、運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組,14、震蕩彈簧件,15、控制面板,16、致密防腐桿,17、攪動(dòng)孔,18、注入量控制容器,19、注入量觀察刻度線,20、限流銷,21、負(fù)壓引流器,22、嵌入引流口。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例,基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖1-4,本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種ito蝕刻液制備裝置,包括制備裝置主體1、高效攪拌裝置2和過(guò)濾除雜裝置3。歡迎光臨蘇州博洋化學(xué)股份有限公司。

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ITO顯影劑也稱為造影劑或?qū)Ρ葎?,是一種X光無(wú)法穿透的藥劑,用于讓體內(nèi)組織在X光檢查時(shí)能看得更清楚。例如消化道攝影時(shí),醫(yī)師會(huì)讓患者喝下一杯顯影劑溶液(大多含鋇),然后用各種角度照相,就能讓胃腸道看得很清楚。如果顯影只是在光強(qiáng)較大的地方產(chǎn)生游離銀,而對(duì)底片不做進(jìn)一步處理,則把它一拿出暗室,未顯影的鹵化銀就會(huì)立刻曝光。此后,幾乎任何還原劑都將使底片完全形成灰霧。為了克服這個(gè)問(wèn)題,必須找到一種適當(dāng)?shù)奈镔|(zhì)以除去未還原的鹵化銀。黑白照相中較常用的定影液是硫代硫酸鈉溶液。其中的硫代硫酸根離子(S2O32-)與銀離子形成可溶于水的穩(wěn)定配合物,因而達(dá)到“固定”底片的目的。ITO顯影液的市場(chǎng)需求會(huì)隨著電子行業(yè)的快速發(fā)展而不斷增長(zhǎng)。蝕刻液的配方是什么?池州BOE蝕刻液蝕刻液價(jià)格

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silane)系偶聯(lián)劑和水,上述硅烷系偶聯(lián)劑使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。此外,提供一種選擇硅烷系偶聯(lián)劑的方法,其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法,其特征在于,選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。發(fā)明效果本發(fā)明的蝕刻液組合物提供即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力優(yōu)異的硅烷系偶聯(lián)劑的效果。此外,本發(fā)明的蝕刻液組合物提供在不損傷氧化物膜的同時(shí)*選擇性蝕刻氮化物膜的效果。附圖說(shuō)明圖1是示出3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分的圖。圖2和圖3是示出制造3dnand閃存時(shí)氮化物膜去除工序(濕法去除氮化物(wetremovalofnitride))中所發(fā)生的工序不良的圖。圖4是示出能夠?qū)?dnand閃存制造工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留以及氧化物膜損傷不良**少化的、硅烷系偶聯(lián)劑適宜防蝕能力范圍的圖。圖5是示出硅烷系偶聯(lián)劑的aeff值與蝕刻程度。蘇州銀蝕刻液蝕刻液配方技術(shù)