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上述硅烷系偶聯(lián)劑的選擇方法的特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)形態(tài)的分子量之后乘以。以下，通過(guò)實(shí)施例更加詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。但是，以下的實(shí)施例用于更加具體地說(shuō)明本發(fā)明，本發(fā)明的范圍并不受以下實(shí)施例的限定。實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物的制造參照以下表1(重量％)，制造實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物。[表1]參照以下表2和圖5，利用實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物，對(duì)于包含作為氧化物膜sio2和作為上述氧化物膜上的氮化物膜sin的膜的、總厚度的膜進(jìn)行如下處理。在160℃用硅烷系偶聯(lián)劑％對(duì)上述膜處理10,000秒的情況下，...

本實(shí)用新型涉及一種鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備。背景技術(shù)：鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備主要包括混合罐、過(guò)濾器和儲(chǔ)存罐，將蝕刻液中的各組份在混合罐混合均勻，由過(guò)濾器濾去雜質(zhì)后投入儲(chǔ)存罐中暫存，然后分裝銷(xiāo)售。以往，鋁蝕刻液的分裝由人工操作，隨著自動(dòng)化技術(shù)的興起，全自動(dòng)灌裝線在鋁蝕刻液生產(chǎn)企業(yè)得到廣泛應(yīng)用，但是，我司的鋁蝕刻液生產(chǎn)車(chē)間面積較小，無(wú)法放置自動(dòng)灌裝線，所以需要對(duì)現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行改造，以實(shí)現(xiàn)鋁蝕刻液的全自動(dòng)灌裝。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型提出了一種鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備，以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。為達(dá)前述目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案如下：鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備，包括混合罐、過(guò)濾器、數(shù)個(gè)儲(chǔ)存罐、數(shù)輛液壓升降式拖車(chē)和地磅...

近年來(lái)，oled顯示器廣泛應(yīng)用于手機(jī)和平板顯示。金屬銀以優(yōu)異的電導(dǎo)率和載流子遷移率被廣泛應(yīng)用于oled顯示器的陽(yáng)極布線(ito/ag/ito)結(jié)構(gòu)中。為了對(duì)此進(jìn)行蝕刻，目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸鹽的濕蝕刻液(cna)。這樣的體系雖然能有效去除金屬銀，但在實(shí)際使用過(guò)程中仍會(huì)存在少量的銀殘留或銀再吸附沉積問(wèn)題。4.本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于如何解決現(xiàn)有的銀蝕刻液在使用過(guò)程中存在少量的銀殘留、銀再吸附沉積問(wèn)題。5.本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)解決上述技術(shù)問(wèn)題的：6.一種銀蝕刻液組合物，其成分由質(zhì)量占比為40-60％磷酸、2-10％硝酸、％有機(jī)酸、％硝酸鹽、％含氮元素有機(jī)物、其余為水組成。...

本實(shí)用新型涉及資源回收再利用領(lǐng)域，特別是涉及含銅蝕刻液氣液分離裝置。背景技術(shù)：線路板生產(chǎn)工業(yè)中，會(huì)對(duì)已經(jīng)使用于蝕刻線路板的含銅蝕刻廢液進(jìn)行回收利用，在回收過(guò)程中，廢液在加熱器中通過(guò)蒸汽進(jìn)行換熱，換熱完的廢液在高溫狀態(tài)下進(jìn)入分離器，會(huì)在分離器中發(fā)生閃蒸，閃蒸產(chǎn)生的二次蒸汽中，攜帶有大小不等的液滴，現(xiàn)有技術(shù)因缺乏有效的分離氣液的手段，含有銅的液體隨著蒸汽被排走，導(dǎo)致了產(chǎn)品發(fā)生損失。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)氣液分離率低的問(wèn)題，提供一種含銅蝕刻液氣液分離裝置。一種含銅蝕刻液氣液分離裝置，包括分離器及加熱器，所述分離器設(shè)有液體入口、蒸汽出口及濾液出口，所述液體入口用于將加熱器產(chǎn)生的液體輸...

該宣泄孔121的上孔徑a1與下孔徑a2亦不相等，且該上孔徑a1小于該下孔徑a2，或該宣泄孔121由該第二擋板12的下表面122朝向上表面123的方向漸縮，以維持毛細(xì)現(xiàn)象而避免該藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問(wèn)題。當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板(本圖式未標(biāo)示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí)，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng)，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖10與圖11所示)，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的顯影不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問(wèn)題；...

因此存在開(kāi)發(fā)蝕刻液組合物時(shí)會(huì)過(guò)度耗費(fèi)時(shí)間和費(fèi)用的問(wèn)題。美國(guó)公開(kāi)**第2號(hào)公開(kāi)了在3dnand閃存的制造工序中，對(duì)于硅氧化物膜和硅氮化物膜*選擇性蝕刻硅氮化物膜的蝕刻液組合物。然而，為了選擇構(gòu)成成分的種類(lèi)和濃度，不得不需要測(cè)試蝕刻液組合物的蝕刻性能，實(shí)際情況是，與上述同樣，仍然沒(méi)有解決在找尋蝕刻液組合物的適宜組成方面過(guò)度耗費(fèi)時(shí)間和費(fèi)用的問(wèn)題。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)**文獻(xiàn)**文獻(xiàn)1：美國(guó)公開(kāi)**第2號(hào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：所要解決的課題本發(fā)明是為了改善上述以往技術(shù)問(wèn)題的發(fā)明，其目的在于，提供用于選擇硅烷系偶聯(lián)劑的參數(shù)以及包含由此獲得的硅烷系偶聯(lián)劑的蝕刻液組合物，所述硅烷系偶聯(lián)劑作為添加劑即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也...

經(jīng)除霧組件3除霧后的氣體會(huì)夾帶著泡沫，泡沫中還是含有銅元素，為進(jìn)一步提高回收效率，需對(duì)氣體和泡沫進(jìn)行分離，泡沫與絲網(wǎng)碰撞時(shí)會(huì)吸附在絲網(wǎng)的細(xì)絲表面，細(xì)絲表面上泡沫不斷累積和泡沫的重力沉降，使泡沫形成較大的液滴沿細(xì)絲流至兩根絲的交點(diǎn)，當(dāng)液滴累積至其自身產(chǎn)生的重力超過(guò)氣體的上升力和液體表面張力合力時(shí)，液滴就從細(xì)絲上分離下落，氣體在通過(guò)絲網(wǎng)除沫后，基本上不含泡沫。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，所述分離器設(shè)有液位計(jì)7、液位開(kāi)關(guān)9、液相氣相溫度傳感器6和壓力傳感器8。蒸汽從加熱器11到分離器會(huì)因分離器內(nèi)壓力小而發(fā)生閃蒸，產(chǎn)生二次蒸汽，使氣液分離的效率更高，所以要維持分離器內(nèi)的壓力不變，通過(guò)觀察液位計(jì)7來(lái)使用...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異常現(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險(xiǎn)等主要優(yōu)勢(shì)。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對(duì)該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程；由上述的說(shuō)明，擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對(duì)已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程，故仍舊會(huì)有少量的藥液51噴灑在擋液板...

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問(wèn)題即在于提供一種擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備，尤其是指一種適用于濕式蝕刻機(jī)的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產(chǎn)品損耗的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備，主要借由具有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔的擋液板結(jié)構(gòu)搭配風(fēng)刀裝置的硬體設(shè)計(jì)，有效使風(fēng)刀裝置吹出的氣體得以經(jīng)由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由宣泄孔落下造成基板顯影不均等異?，F(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導(dǎo)致的基板刮傷或破片風(fēng)險(xiǎn)等主要優(yōu)勢(shì)。本實(shí)用新型所采用的技術(shù)手段如下所述。為了達(dá)到上述的實(shí)施目的，本實(shí)用新型提出一種擋液板結(jié)構(gòu)，適用于一濕式蝕刻機(jī)，擋液板結(jié)構(gòu)包括...

可以充分的將蝕刻液中的亞銅離子電解轉(zhuǎn)化為金屬銅，起到循環(huán)電解蝕刻液的作用；裝置主體1左端表面靠近上端固定安裝有抽氣泵19，抽氣泵19下方設(shè)置有集氣箱21，集氣箱21與抽氣泵19之間連接有排氣管20，電解池4下端連接有二號(hào)排液管22，二號(hào)排液管22內(nèi)部上端設(shè)置有二號(hào)電磁閥23，裝置主體1內(nèi)部底端靠近左側(cè)設(shè)置有傾斜板24，裝置主體1前端表面靠近左上邊角位置設(shè)置有活動(dòng)板25，分隔板2右端放置有蓄水箱26，蓄水箱26上端靠近右側(cè)連接有進(jìn)水管27，回流管15下端連接有抽水管28，抽水管28內(nèi)部上端設(shè)置有三號(hào)電磁閥29，裝置主體1前端表面靠近右側(cè)安裝有控制面板30，傾斜板24的傾斜角度設(shè)計(jì)為10°，活動(dòng)板...

更推薦滿足。參照?qǐng)D4，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒(méi)有消耗費(fèi)用和時(shí)間的實(shí)際的實(shí)驗(yàn)過(guò)程，也能夠選擇具有目標(biāo)防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護(hù)對(duì)象膜(氧...

將裝置主體1內(nèi)部的蝕刻液進(jìn)行清洗，具有很好的清理作用。工作原理：對(duì)于這類(lèi)的回收處理裝置，首先將蝕刻液倒入進(jìn)液漏斗6并由過(guò)濾網(wǎng)7過(guò)濾到進(jìn)液管8中，之后蝕刻液流入到承載板3上的電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過(guò)圓環(huán)塊13配合連接桿14和伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng)，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對(duì)電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)電解池4的功能，之后金屬銅在隔膜5左側(cè)析出；其次在蝕刻液初次電解后，通過(guò)控制面板30啟動(dòng)增壓泵16并打開(kāi)一號(hào)電磁閥18，將蝕刻液通過(guò)回流管15抽入到一號(hào)排液管17中，并由進(jìn)液管8導(dǎo)入到伸縮管9中，直至蝕刻液由噴頭...

裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲(chǔ)罐21，裝置主體1的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件11，裝置主體1的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)固定連接有過(guò)濾部件9，裝置主體1的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉(cāng)8，收集倉(cāng)8的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門(mén)7，過(guò)濾部件9的頂端兩側(cè)活動(dòng)連接有滑動(dòng)蓋24，過(guò)濾部件9的內(nèi)部中間兩側(cè)固定連接有收縮彈簧管25，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)兩端嵌入連接有螺紋管27，連接構(gòu)件11的內(nèi)部中間兩側(cè)活動(dòng)連接有活動(dòng)軸28，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)中間兩側(cè)嵌入連接有密封軟膠層29。推薦的，硝酸鉀儲(chǔ)罐21的頂部嵌入連接有密封環(huán)22，在將制備蝕刻液儲(chǔ)罐加入制備材料...

本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細(xì)芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過(guò)氧化氫系銅刻蝕液。過(guò)氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過(guò)硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中，產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少，刻蝕效率高且使用壽命較長(zhǎng)的特點(diǎn)。大部分過(guò)氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過(guò)氧化氫組分、參與溶解的無(wú)機(jī)酸/有機(jī)酸組分，以及部分銅緩蝕劑等各類(lèi)添加三個(gè)部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應(yīng)為放熱反應(yīng)，體系中又含有過(guò)氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過(guò)程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明...

更推薦滿足。參照?qǐng)D4，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒(méi)有消耗費(fèi)用和時(shí)間的實(shí)際的實(shí)驗(yàn)過(guò)程，也能夠選擇具有目標(biāo)防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護(hù)對(duì)象膜(氧...

圖7：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)運(yùn)作局部放大圖。圖8：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖9：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖10：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其二較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖11：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其三較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖12：本實(shí)用新型擋液板結(jié)構(gòu)其二較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖13：本實(shí)用新型蝕刻方法的步驟流程圖。圖號(hào)說(shuō)明：傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)a擋液板結(jié)構(gòu)b風(fēng)刀c氣體本實(shí)用新型1蝕刻設(shè)備10擋液板結(jié)構(gòu)11***擋板12第二擋板121宣泄孔1211***壁面1...

所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。本發(fā)明的蝕刻液推薦進(jìn)一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸、蘋(píng)果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種。推薦為，所述酸的濃度為20重量％至70重量％，所述有機(jī)硫化合物的濃度為％至10重量％。另外，所述α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度推薦為％至5重量％。另外，本發(fā)明涉及一種使用所述蝕刻液在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻方法。發(fā)明的效果本發(fā)明的蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦。另外，本發(fā)明的蝕刻液實(shí)質(zhì)上不含氫氟酸及過(guò)氧化氫，因此毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異。具體實(shí)施方式本發(fā)明的...

通過(guò)滑動(dòng)蓋24上的凸塊在過(guò)濾部件9內(nèi)部頂端內(nèi)壁的滑槽進(jìn)行滑動(dòng)，將過(guò)濾板26插入過(guò)濾部件9內(nèi)部?jī)蓚?cè)的固定槽內(nèi)，收縮彈簧管25設(shè)置有四處，分別設(shè)置在兩滑動(dòng)蓋24的內(nèi)側(cè)前面和后面，再通過(guò)收縮彈簧管25的彈力將滑動(dòng)蓋24向內(nèi)活動(dòng)，使過(guò)濾部件9內(nèi)部空間進(jìn)行密封，有效的提高了裝置連接安裝的便利性。推薦的，連接構(gòu)件11設(shè)置有十四個(gè)，連接構(gòu)件11設(shè)置在攪拌倉(cāng)23的底部，連接構(gòu)件11與攪拌倉(cāng)23固定連接，連接構(gòu)件11能將裝置主體1內(nèi)部的兩個(gè)構(gòu)件進(jìn)行連接并固定，且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或拆卸的時(shí)候，不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作，在將兩構(gòu)件的連接管放在連接構(gòu)件11的兩端，再通過(guò)連接管與連接構(gòu)件11內(nèi)側(cè)兩端的...

所述有機(jī)硫化合物具有作為還原劑及絡(luò)合劑(chelate)的效果。作為所述硫酮系化合物，例如可舉出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N,N-三烷基硫脲、N,N,N,N-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲及亞乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并無(wú)特別限制，推薦為碳數(shù)1至4的烷基。這些硫酮系化合物中，推薦使用選自由作為還原劑或絡(luò)合劑的效果及水溶性優(yōu)異的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。作為所述硫醚系化合物，例如可舉出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯鹽酸鹽、乙硫氨酸、2-羥基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷基的碳數(shù)并無(wú)特別限...

內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)的震蕩彈簧件14，震蕩彈簧件14頂端的運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組13，運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組13頂端的控制面板15，內(nèi)部中間部位的致密防腐桿16和致密防腐桿16內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)的攪動(dòng)孔17共同組合而成，由于鹽酸硝酸具有較強(qiáng)的腐蝕性，常規(guī)的攪拌裝置容易被腐蝕，影響蝕刻液的質(zhì)量，用防腐蝕的聚四氟乙烯攪拌漿進(jìn)行攪拌，成本過(guò)高，且混合的效果不好，通過(guò)設(shè)置高效攪拌裝置2，該裝置通過(guò)運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組13驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)12，使旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)12帶動(dòng)高效攪拌裝置2進(jìn)行旋轉(zhuǎn)搖勻，同時(shí)設(shè)置的震蕩彈簧件14可通過(guò)驅(qū)動(dòng)對(duì)高效攪拌裝置2進(jìn)行震蕩搖勻，高效攪拌裝置2內(nèi)部的蝕刻液通過(guò)內(nèi)置的致密防腐桿16，致密防腐桿16內(nèi)部的攪動(dòng)孔17能夠使蝕刻液不斷細(xì)...

上述硅烷系偶聯(lián)劑的選擇方法的特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)形態(tài)的分子量之后乘以。以下，通過(guò)實(shí)施例更加詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。但是，以下的實(shí)施例用于更加具體地說(shuō)明本發(fā)明，本發(fā)明的范圍并不受以下實(shí)施例的限定。實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物的制造參照以下表1(重量％)，制造實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物。[表1]參照以下表2和圖5，利用實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物，對(duì)于包含作為氧化物膜sio2和作為上述氧化物膜上的氮化物膜sin的膜的、總厚度的膜進(jìn)行如下處理。在160℃用硅烷系偶聯(lián)劑％對(duì)上述膜處理10,000秒的情況下，...

所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。本發(fā)明的蝕刻液推薦進(jìn)一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸、蘋(píng)果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種。推薦為，所述酸的濃度為20重量％至70重量％，所述有機(jī)硫化合物的濃度為％至10重量％。另外，所述α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度推薦為％至5重量％。另外，本發(fā)明涉及一種使用所述蝕刻液在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻方法。發(fā)明的效果本發(fā)明的蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦。另外，本發(fā)明的蝕刻液實(shí)質(zhì)上不含氫氟酸及過(guò)氧化氫，因此毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異。具體實(shí)施方式本發(fā)明的...

引線框架的腐蝕是如何生產(chǎn)的呢？引線框架的材料主要是電子銅帶，常見(jiàn)在引線框架中通過(guò)亮鎳、錫和錫鉛鍍層下進(jìn)行鍍鎳完成保護(hù)金屬材料的目的，在材質(zhì)過(guò)程中42合金引線相對(duì)來(lái)說(shuō)容易發(fā)生應(yīng)力-腐蝕引發(fā)的裂紋。為了保障引線框架的優(yōu)異的導(dǎo)電性和散熱性，處理方式通過(guò)電鍍銀、片式電鍍線，將引線和基島表面作特殊處理，這樣能夠保障焊線和引線框架的良好焊接性能。引線框架電鍍銀蝕刻工藝流程主要分：上料-電解除油-活化-預(yù)鍍銅-預(yù)鍍銀-局部鍍銀-退銀-防銀膠擴(kuò)散-防銅變色-烘干-收料。通過(guò)該蝕刻工藝流程能夠保障引線框架蝕刻過(guò)程中電鍍層的厚度、光亮度、粗糙度、潔凈度等。因此，蝕刻引線框架對(duì)工藝和工廠的管理需要嚴(yán)格控制。BOE蝕...

將裝置主體1內(nèi)部的蝕刻液進(jìn)行清洗，具有很好的清理作用。工作原理：對(duì)于這類(lèi)的回收處理裝置，首先將蝕刻液倒入進(jìn)液漏斗6并由過(guò)濾網(wǎng)7過(guò)濾到進(jìn)液管8中，之后蝕刻液流入到承載板3上的電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過(guò)圓環(huán)塊13配合連接桿14和伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng)，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對(duì)電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)電解池4的功能，之后金屬銅在隔膜5左側(cè)析出；其次在蝕刻液初次電解后，通過(guò)控制面板30啟動(dòng)增壓泵16并打開(kāi)一號(hào)電磁閥18，將蝕刻液通過(guò)回流管15抽入到一號(hào)排液管17中，并由進(jìn)液管8導(dǎo)入到伸縮管9中，直至蝕刻液由噴頭...

所述液位計(jì)連接有液相氣相溫度傳感器和壓力傳感器。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述分離器的側(cè)壁上設(shè)有多個(gè)視鏡。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述液位計(jì)安裝于所述分離器的外表面。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述液位開(kāi)關(guān)為控制閥，設(shè)置于所述濾液出口處。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱器為盤(pán)管式加熱器。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述分離器底部為錐體形狀。上述，利用加熱器對(duì)含銅蝕刻液進(jìn)行加熱，使其達(dá)到閃蒸要求的溫度，將加熱好的含銅蝕刻液輸送至分離器，經(jīng)過(guò)減壓閥及真空泵減壓，含銅蝕刻液在分離器內(nèi)發(fā)生閃蒸，產(chǎn)生大量蒸汽，蒸汽中攜帶著大小不等的液滴，通過(guò)除霧組件和除沫組件可以防止大液滴從蒸汽出口飛出，減小產(chǎn)品損失。附圖說(shuō)明圖1是本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示...

很好的對(duì)注入量進(jìn)行精確控制，提高了該裝置的制備純度。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的整體示意圖；圖2為本實(shí)用新型的a處放大示意圖；圖3為本實(shí)用新型的b處放大示意圖；圖4為本實(shí)用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中：1、制備裝置主體，2、高效攪拌裝置，3、過(guò)濾除雜裝置，4、翻折觀察板，401、觀察窗翻折滾輪，402、內(nèi)嵌觀察窗，5、裝置底座，6、成品罐，7、鹽酸裝罐，8、硝酸裝罐，9、熱水流入漏斗，10、加固支架，11、防燙隔膜，12、旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)，13、運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，14、震蕩彈簧件，15、控制面板，16、致密防腐桿，17、攪動(dòng)孔，18、注入量控制容器，19、注入量觀察刻度線，20、限流銷(xiāo)，2...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。隨著新技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場(chǎng)上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎(chǔ)上我司自主進(jìn)行了無(wú)氟，無(wú)硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發(fā)，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產(chǎn)品特點(diǎn)：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩(wěn)定72H，常溫可穩(wěn)定120H；無(wú)暴沸現(xiàn)象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結(jié)構(gòu)不同膜厚度的機(jī)種。蘇州博洋生產(chǎn)BOE蝕刻液。...

避免連接構(gòu)件11的兩側(cè)與操作人員的手接觸的時(shí)候，會(huì)因操作人員的手沾濕出現(xiàn)手滑的情況，有效的保證了裝置內(nèi)部構(gòu)件的連接工作能正常的進(jìn)行。推薦的，支撐腿2的底端嵌入連接有防滑紋6，在制備蝕刻液的時(shí)候，需要將裝置固定的特定的位置，通過(guò)支撐腿2將裝置主體1進(jìn)行支撐固定，在支撐腿2與固定位置的接觸面接觸時(shí)，防滑紋6能增大支撐腿2的底端與固定接觸面的摩擦力，使裝置主體1能有足夠的抓地力固定在固定位置上，有效的提高了裝置固定的防滑性。推薦的，過(guò)濾部件9的內(nèi)部?jī)蓚?cè)嵌入連接有過(guò)濾板26，常規(guī)的生產(chǎn)方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差，蝕刻液雜質(zhì)含量多，過(guò)濾板26能將蝕刻液內(nèi)部的雜質(zhì)進(jìn)行過(guò)...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異?，F(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險(xiǎn)等主要優(yōu)勢(shì)。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對(duì)該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程；由上述的說(shuō)明，擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對(duì)已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程，故仍舊會(huì)有少量的藥液51噴灑在擋液板...

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過(guò)化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對(duì)于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對(duì)ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。...