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來源: 發(fā)布時間:2025-08-13

集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上,形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數(shù)量級(從毫米級到亞微米級),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細加工技術(shù)。光刻技術(shù)是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng);再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上;***利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。EUV光刻系統(tǒng)的發(fā)展歷經(jīng)應(yīng)用基礎(chǔ)研究至量產(chǎn)四個階段,其突破得益于多元主體協(xié)同創(chuàng)新和全產(chǎn)業(yè)鏈資源整合 [3]。張家港銷售光刻系統(tǒng)推薦貨源

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涂底方法:a、氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積,200~250C,30秒鐘;優(yōu)點:涂底均勻、避免顆粒污染;b、旋轉(zhuǎn)涂底。缺點:顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的:使表面具有疏水性,增強基底表面與光刻膠的黏附性旋轉(zhuǎn)涂膠方法:a、靜態(tài)涂膠(Static)。硅片靜止時,滴膠、加速旋轉(zhuǎn)、甩膠、揮發(fā)溶劑(原光刻膠的溶劑約占65~85%,旋涂后約占10~20%);b、動態(tài)(Dynamic)。低速旋轉(zhuǎn)(500rpm_rotation per minute)、滴膠、加速旋轉(zhuǎn)(3000rpm)、甩膠、揮發(fā)溶劑。張家港銷售光刻系統(tǒng)推薦貨源另外層間對準,即套刻精度(Overlay),保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對準。

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準分子光刻技術(shù)作為當(dāng)前主流的光刻技術(shù),主要包括:特征尺寸為0.1μm的248 nm KrF準分子激光技術(shù);特征尺寸為90 nm的193 nm ArF準分子激光技術(shù);特征尺寸為65 nm的193 nm ArF浸沒式技術(shù)(Immersion,193i)。其中193 nm浸沒式光刻技術(shù)是所有光刻技術(shù)中**為長壽且**富有競爭力的,也是目前如何進一步發(fā)揮其潛力的研究熱點。傳統(tǒng)光刻技術(shù)光刻膠與曝光鏡頭之間的介質(zhì)是空氣,而浸沒 式技術(shù)則是將空氣 換成液體介質(zhì)。實際上,由于液體介質(zhì)的折射率相比空氣介質(zhì)更接近曝光透鏡鏡片材料的折射率,等效地加大了透鏡口徑尺寸與數(shù)值孔徑(NA),同時可以 ***提高焦深(DOF)和曝光工藝的寬容度(EL),浸沒式光 刻 技 術(shù) 正 是 利 用 這 個 原 理 來 提 高 其 分 辨率。

e、光刻膠厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻膠厚度測量;f、光刻缺陷控片(PDM,Photo Defect Monitor):光刻膠缺陷監(jiān)控。舉例:0.18μm的CMOS掃描步進光刻工藝。光源:KrF氟化氪DUV光源(248nm);數(shù)值孔徑NA:0.6~0.7;焦深DOF:0.7μm;分辨率Resolution:0.18~0.25μm(一般采用了偏軸照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技術(shù)PSM_Phase Shift Mask增強);套刻精度Overlay:65nm;產(chǎn)能Throughput:30~60wafers/hour(200mm);視場尺寸Field Size:25×32mm;目的:使表面具有疏水性,增強基底表面與光刻膠的黏附性。

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目 前EUV技 術(shù) 采 用 的 曝 光 波 長 為13.5nm,由于其具有如此短的波長,所有光刻中不需要再使用光學(xué)鄰近效應(yīng)校正(OPC)技術(shù),因而它可以把光刻技術(shù)擴展到32nm以下技術(shù)節(jié)點。2009年9月Intel*** 次 向 世 人 展 示 了22 nm工藝晶圓,稱繼續(xù)使用193nm浸沒式光刻技術(shù),并規(guī) 劃 與EUV及EBL曝 光 技 術(shù) 相 配 合,使193nm浸沒式光刻技術(shù)延伸到15和11nm工藝節(jié)點。 [1]電子束光刻技術(shù)是利用電子槍所產(chǎn)生的電子束,通過電子光柱的各極電磁透鏡聚焦、對中、各種象差的校正、電子束斑調(diào)整、電子束流調(diào)整、電子束曝光對準標記檢測、電子束偏轉(zhuǎn)校正、電子掃描場畸變校正等一系列調(diào)整,***通過掃描透鏡根據(jù)電子束曝光程序的安排,在涂布有電子抗蝕劑(光刻膠)的基片表面上掃描寫出所需要的圖形。納米級電子束光刻系統(tǒng)(如JEOL JBX-6300FS)維護需原廠或指定服務(wù)公司提供 [4]。連云港耐用光刻系統(tǒng)多少錢

激發(fā)化學(xué)增強光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護基團發(fā)生反應(yīng)并移除基團使之能溶解于顯影液。張家港銷售光刻系統(tǒng)推薦貨源

光致抗蝕劑,簡稱光刻膠或抗蝕劑,指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑:受光照部分發(fā)生降解反應(yīng)而能為顯影液所溶解。留下的非曝光部分的圖形與掩模版一致。正性抗蝕劑具有分辨率高、對駐波效應(yīng)不敏感、曝光容限大、***密度低和無毒性等優(yōu)點,適合于高集成度器件的生產(chǎn)。②負性光致抗蝕劑:受光照部分產(chǎn)生交鏈反應(yīng)而成為不溶物,非曝光部分被顯影液溶解,獲得的圖形與掩模版圖形互補。負性抗蝕劑的附著力強、靈敏度高、顯影條件要求不嚴,適于低集成度的器件的生產(chǎn)。張家港銷售光刻系統(tǒng)推薦貨源

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