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在電子領(lǐng)域，所有器件都會在不同程度上產(chǎn)生熱量。器件散發(fā)一定熱量屬于正?，F(xiàn)象，但某些類型的缺陷會增加功耗，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)熱量上升。 在失效分析中，這種額外的熱量能夠?yàn)槎ㄎ蝗毕荼旧硖峁┯杏镁€索。熱紅外顯微鏡可以借助內(nèi)置攝像系統(tǒng)來測量可見光或近紅外光的實(shí)用技術(shù)...

適用場景的分野，進(jìn)一步凸顯了二者（微光顯微鏡&熱紅外顯微鏡）的互補(bǔ)價(jià)值。在邏輯芯片、存儲芯片的量產(chǎn)檢測中，微光顯微鏡通過對細(xì)微電缺陷的篩查，助力提升產(chǎn)品良率，降低批量報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)；而在功率器件、車規(guī)芯片的可靠性測試中，熱紅外顯微鏡對熱分布的監(jiān)測，成為驗(yàn)證產(chǎn)品穩(wěn)定性...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI ）技術(shù)不僅可實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備的故障精細(xì)定位，更在性能評估、熱管理優(yōu)化及可靠性分析等領(lǐng)域展現(xiàn)獨(dú)特價(jià)值。通過高分辨率熱成像捕捉設(shè)備熱點(diǎn)分布圖譜，工程師能深度解析器件熱傳導(dǎo)特性，以此為依據(jù)優(yōu)化散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效提升設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性與...

失效分析是指通過系統(tǒng)的檢測、實(shí)驗(yàn)和分析手段，探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、使用過程中出現(xiàn)故障、性能異?；蚴У母驹?，進(jìn)而提出改進(jìn)措施以預(yù)防同類問題再次發(fā)生的技術(shù)過程。它是連接產(chǎn)品問題與解決方案的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，**在于精細(xì)定位失效根源，而非*關(guān)注表面現(xiàn)象。在半...

致晟光電始終以客戶需求為重心，兼顧貨源保障方面。目前，我們有現(xiàn)貨儲備，設(shè)備及相關(guān)配件一應(yīng)俱全，能夠快速響應(yīng)不同行業(yè)、不同規(guī)?？蛻舻牟少徯枨蟆o論是緊急補(bǔ)購的小型訂單，還是批量采購的大型項(xiàng)目，都能憑借充足的貨源實(shí)現(xiàn)高效交付，讓您無需為設(shè)備短缺而擔(dān)憂，確保生產(chǎn)...

微光顯微鏡（EMMI）無法探測到亮點(diǎn)的情況: 一、不會產(chǎn)生亮點(diǎn)的故障有歐姆接觸（OhmicContact）金屬互聯(lián)短路（MetalInterconnectShort）表面反型層（SurfaceInversionLayer）硅導(dǎo)電通路（SiliconC...

相較于宏觀熱像儀（空間分辨率約50-100μm），熱紅外顯微鏡通過顯微光學(xué)系統(tǒng)將分辨率提升至1-10μm，且支持動態(tài)電激勵(lì)與鎖相分析，能深入揭示微觀尺度的熱-電耦合失效機(jī)理。例如，傳統(tǒng)熱像儀能檢測PCB表面的整體熱分布，而熱紅外顯微鏡可定位某一焊點(diǎn)內(nèi)部的微裂紋...

非破壞性分析（NDA）以非侵入方式分析樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)和性能，無需切割、拆解或化學(xué)處理，能保留樣品完整性，為后續(xù)研究留有余地，在高精度、高成本的半導(dǎo)體領(lǐng)域作用突出。 無損分析，通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像，全程無接觸，無需對晶圓、芯片等進(jìn)行破壞性處理。...

熱紅外顯微鏡與光學(xué)顯微鏡雖同屬微觀觀測工具，但在原理、功能與應(yīng)用場景上存在明顯差異，尤其在失效分析等專業(yè)領(lǐng)域各有側(cè)重。 從工作原理看，光學(xué)顯微鏡利用可見光（400-760nm 波長）的反射或透射成像，通過放大樣品的物理形態(tài)（如結(jié)構(gòu)、顏色、紋理）呈現(xiàn)細(xì)...

非破壞性分析（NDA）以非侵入方式分析樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)和性能，無需切割、拆解或化學(xué)處理，能保留樣品完整性，為后續(xù)研究留有余地，在高精度、高成本的半導(dǎo)體領(lǐng)域作用突出。 無損分析，通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像，全程無接觸，無需對晶圓、芯片等進(jìn)行破壞性處理。...

在失效分析的有損分析中，打開封裝是常見操作，通常有三種方法。全剝離法會將集成電路完全損壞，留下完整的芯片內(nèi)部電路。但這種方法會破壞內(nèi)部電路和引線，導(dǎo)致無法進(jìn)行電動態(tài)分析，適用于需觀察內(nèi)部電路靜態(tài)結(jié)構(gòu)的場景。局部去除法通過特定手段去除部分封裝，優(yōu)點(diǎn)是開封過程...

RTTLITP20 熱紅外顯微鏡憑借多元光學(xué)物鏡配置，構(gòu)建從宏觀到納米級的全尺度熱分析能力，靈活適配多樣檢測需求。Micro廣角鏡頭可快速覆蓋大尺寸樣品整體熱分布，如整塊電路板、大型模組的散熱趨勢，高效完成初步篩查；0.13~0.3x變焦鏡頭通過連續(xù)倍率調(diào)...

EMMI的本質(zhì)只是一臺光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。 但是為什么EMMI能夠應(yīng)用于IC的失效分析呢？ 原因就在于集成電路在通電后會出現(xiàn)三種情況：1.載流子復(fù)合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。當(dāng)這三種情況發(fā)生時(shí)集成電路上就會產(chǎn)生微弱的熒光，這...

半導(dǎo)體材料分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體，而Si是典型的直接帶隙半導(dǎo)體，其禁帶寬度為1.12eV。所以當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)，電子會彈射出一個(gè)光子，該光子的能量為1.12eV，根據(jù)波粒二象性原理，該光子的波長為1100nm，屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當(dāng)載流子進(jìn)...

非制冷熱紅外顯微鏡基于微測輻射熱計(jì)，無需低溫制冷裝置，具有功耗低、維護(hù)成本低等特點(diǎn)，適合長時(shí)間動態(tài)監(jiān)測。其通過鎖相熱成像等技術(shù)優(yōu)化后，雖靈敏度（通常 0.01-0.1℃）和分辨率（普遍 5-20μm）略遜于制冷型，但性價(jià)比更高，。與制冷型對比，非制冷型無需制冷...

在國內(nèi)失效分析設(shè)備領(lǐng)域，專注于原廠研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量相對較少，尤其在熱紅外檢測這類高精度細(xì)分領(lǐng)域，具備自主技術(shù)積累的原廠更為稀缺。這一現(xiàn)狀既源于技術(shù)門檻 —— 需融合光學(xué)、紅外探測、信號處理等多學(xué)科技術(shù)，也受限于市場需求的專業(yè)化程度，導(dǎo)致多數(shù)企業(yè)傾向于代...

柵氧化層缺陷顯微鏡發(fā)光技術(shù)定位的失效問題中，薄氧化層擊穿現(xiàn)象尤為關(guān)鍵。然而，當(dāng)多晶硅與阱的摻雜類型一致時(shí)，擊穿并不必然伴隨著空間電荷區(qū)的形成。關(guān)于其發(fā)光機(jī)制的解釋如下：當(dāng)電流密度達(dá)到足夠高的水平時(shí)，會在失效區(qū)域產(chǎn)生的電壓降。該電壓降進(jìn)而引起顯微鏡光譜區(qū)內(nèi)的場加...

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢二： 與傳統(tǒng)接觸式檢測方法相比，熱紅外顯微鏡的非接觸式檢測優(yōu)勢更勝——無需與被測設(shè)備直接物理接觸，從根本上規(guī)避了傳統(tǒng)檢測中因探針壓力、靜電放電等因素對設(shè)備造成的損傷風(fēng)險(xiǎn)，這對精密電子元件與高精度設(shè)備的...

InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處，均依賴于電子-空穴對復(fù)合產(chǎn)生的光子及熱載流子作為探測信號源。然而，InGaAs微光顯微鏡相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，呈現(xiàn)出更高的探測靈敏度，并且其探測波長范圍擴(kuò)展至900nm至1700nm，而傳統(tǒng)微光...

非破壞性分析（NDA）以非侵入方式分析樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)和性能，無需切割、拆解或化學(xué)處理，能保留樣品完整性，為后續(xù)研究留有余地，在高精度、高成本的半導(dǎo)體領(lǐng)域作用突出。 無損分析，通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像，全程無接觸，無需對晶圓、芯片等進(jìn)行破壞性處理。...

選擇紅熱外顯微鏡（Thermal EMMI)品牌選擇方面，濱松等國際品牌技術(shù)成熟，但設(shè)備及維護(hù)成本高昂；國產(chǎn)廠商如致晟光電等，則在性價(jià)比和本地化服務(wù)上具備優(yōu)勢，例如其 RTTLIT 系統(tǒng)兼顧高精度檢測與多模態(tài)分析。預(yù)算規(guī)劃上，需求（＞500 萬元）可優(yōu)先考慮進(jìn)...

除了熱輻射，電子設(shè)備在出現(xiàn)故障或異常時(shí)，還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強(qiáng)。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學(xué)探測器，如光電倍增管（PMT）或電荷耦合器件（CCD），能夠有效捕捉這些低強(qiáng)度的光信號。這類光發(fā)射通常源自電子在半導(dǎo)體材料中發(fā)生的能級躍遷、載流子復(fù)合或其他物理過...

致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是一款專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設(shè)備。該系統(tǒng)搭載先進(jìn)的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡，憑借超高檢測靈敏度，可捕捉器件在微弱漏電流信號下產(chǎn)生的極微弱微光。...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 作為一種能夠捕捉微觀尺度熱輻射信號的精密儀器，其優(yōu)勢在于對材料、器件局部溫度分布的高空間分辨率觀測。 然而，在面對微弱熱信號（如納米尺度結(jié)構(gòu)的熱輻射、低功耗器件的散熱特性等）時(shí)，傳統(tǒng)熱成像方法易受環(huán)境噪聲、背...

在國內(nèi)失效分析設(shè)備領(lǐng)域，專注于原廠研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量相對較少，尤其在熱紅外檢測這類高精度細(xì)分領(lǐng)域，具備自主技術(shù)積累的原廠更為稀缺。這一現(xiàn)狀既源于技術(shù)門檻 —— 需融合光學(xué)、紅外探測、信號處理等多學(xué)科技術(shù)，也受限于市場需求的專業(yè)化程度，導(dǎo)致多數(shù)企業(yè)傾向于代...

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢二： 與傳統(tǒng)接觸式檢測方法相比，熱紅外顯微鏡的非接觸式檢測優(yōu)勢更勝——無需與被測設(shè)備直接物理接觸，從根本上規(guī)避了傳統(tǒng)檢測中因探針壓力、靜電放電等因素對設(shè)備造成的損傷風(fēng)險(xiǎn)，這對精密電子元件與高精度設(shè)備的...

致晟光電將熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設(shè)備，在維護(hù)成本控制上展現(xiàn)出優(yōu)勢。對于分開的兩臺設(shè)備，企業(yè)需配備專門人員分別學(xué)習(xí)兩套系統(tǒng)的維護(hù)知識，培訓(xùn)內(nèi)容涵蓋不同的機(jī)械結(jié)構(gòu)、光學(xué)原理、軟件操作，還包括各自的故障診斷邏輯與校...

漏電是芯片另一種常見的失效模式，其誘因復(fù)雜多樣，既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減，也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發(fā)。 與短路類似，芯片內(nèi)部發(fā)生漏電時(shí)，漏電路徑中會伴隨微弱的光發(fā)射現(xiàn)象——這種光信號的強(qiáng)度往往遠(yuǎn)低于短路產(chǎn)生的光輻射，對檢測設(shè)備的靈敏...

近年來，非制冷熱紅外顯微鏡價(jià)格呈下行趨勢。在技術(shù)進(jìn)步層面，國內(nèi)紅外焦平面陣列芯片技術(shù)不斷突破，像元間距縮小、陣列規(guī)模擴(kuò)大，從早期的 17μm、384×288 發(fā)展到如今主流的 12μm 像元，1280 ×1 024、1920 × 1080 陣列規(guī)模實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，如...

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進(jìn)的非破壞性檢測技術(shù)，主要用于精細(xì)定位電子設(shè)備中的熱點(diǎn)區(qū)域，這些區(qū)域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關(guān)。該技術(shù)可在不破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的熱輻射與光信號，為工程師提供關(guān)鍵的故障診...