熱紅外顯微鏡能高效檢測微尺度半導體電路及MEMS器件的熱問題。在電路檢測方面,這套熱成像顯微鏡可用于電路板失效分析,且配備了電路板檢測用軟件包“模型比較”,能識別缺陷元件;同時還可搭載“缺陷尋找”軟件模塊,專門探測不易發(fā)現(xiàn)的短路問題并定位短路點。在MEMS研發(fā)...
我司專注于微弱信號處理技術的深度開發(fā)與場景化應用,憑借深厚的技術積累,已成功推出多系列失效分析檢測設備及智能化解決方案。更懂本土半導體產(chǎn)業(yè)的需求,軟件界面貼合工程師操作習慣,無需額外適配成本即可快速融入產(chǎn)線流程。 性價比優(yōu)勢直擊痛點:相比進口設備,采...
除了熱輻射,電子設備在出現(xiàn)故障或異常時,還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學探測器,如光電倍增管(PMT)或電荷耦合器件(CCD),能夠有效捕捉這些低強度的光信號。這類光發(fā)射通常源自電子在半導體材料中發(fā)生的能級躍遷、載流子復合或其他物理過...
挑選適配自身的微光顯微鏡 EMMI,關鍵在于明確需求、考量性能與評估預算。先梳理應用場景,若聚焦半導體失效分析,需關注能否定位漏電結(jié)、閂鎖效應等缺陷產(chǎn)生的光子;性能層面,探測器是主要考察對象,像 -80℃制冷型 InGaAs 探測器,靈敏度高、波長檢測范圍廣(...
紅外顯微鏡(非熱紅外)與熱紅外顯微鏡應用領域各有側(cè)重。前者側(cè)重成分分析,在材料科學中用于檢測復合材料界面成分、涂層均勻性及表面污染物;生物醫(yī)藥領域可識別生物組織中蛋白質(zhì)等分子分布,輔助診斷;地質(zhì)學和考古學中能鑒定礦物組成與文物顏料成分;食品農(nóng)業(yè)領域則用于檢測添...
通過大量海量熱圖像數(shù)據(jù),催生出更智能的數(shù)據(jù)分析手段。借助深度學習算法,構建熱圖像識別模型,可快速準確地從復雜熱分布中識別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中,模型能自動比對正常與異常芯片的熱圖像,定位短路、斷路等故障點,有效縮短分析時間。在數(shù)據(jù)處理軟件中集...
相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡,InGaAs(銦鎵砷)微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于,較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓,這導致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產(chǎn)品中的亮點和熱點(...
從傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變,是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果。它既延續(xù)了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理,又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創(chuàng)新,突破了傳統(tǒng)技術的邊界。如今,這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研...
非制冷熱紅外顯微鏡的售價因品牌、性能、功能配置等因素而呈現(xiàn)較大差異 。不過國產(chǎn)的非制冷熱紅外顯微鏡在價格上頗具競爭力,適合長時間動態(tài)監(jiān)測。通過鎖相熱成像等技術優(yōu)化后,其靈敏度(通常 0.01-0.1℃)和分辨率(普遍 5-20μm)雖稍遜于制冷型,但性價比更具...
致晟光電——熱紅外顯微鏡在信號調(diào)制技術上的優(yōu)化升級,以多頻率調(diào)制為突破點,構建了更精細的微觀熱信號解析體系。其通過精密算法控制電信號的頻率切換與幅度調(diào)節(jié),使不同深度、不同材質(zhì)的樣品區(qū)域產(chǎn)生差異化熱響應 —— 高頻信號可捕捉表層微米級熱點,低頻信號則能穿透材...
致晟光電——熱紅外顯微鏡在信號調(diào)制技術上的優(yōu)化升級,以多頻率調(diào)制為突破點,構建了更精細的微觀熱信號解析體系。其通過精密算法控制電信號的頻率切換與幅度調(diào)節(jié),使不同深度、不同材質(zhì)的樣品區(qū)域產(chǎn)生差異化熱響應 —— 高頻信號可捕捉表層微米級熱點,低頻信號則能穿透材...
在半導體芯片漏電檢測中,微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關鍵支撐。當芯片施加工作偏壓時,設備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區(qū)域因焦耳熱效應會釋放微弱的紅外輻射,即便輻射功率為 1 微瓦,高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于,通過...
隨著器件尺寸的逐漸變小,MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應也愈發(fā)嚴重。短溝道效應會使得MOS管的漏結(jié)存在一個強電場,該電場會對載流子進行加速,同時賦予載流子一個動能,該載流子會造成中性的Si原子被極化,產(chǎn)生同樣帶有能量的電子與空穴對,這種電子與空穴被稱...
需要失效分析檢測樣品,我們一般會在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗證工作,能夠為整個失效分析過程找準方向、提供依據(jù),從而更高效、準確地找出芯片失效的原因。 1.失效背景調(diào)查收集芯片型號、應用場景、失效模式(如短路、漏電、功能異常等)、失效比例、使...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 圖像分析是通過探測物體自身發(fā)出的紅外輻射,將其轉(zhuǎn)化為可視化圖像,進而分析物體表面溫度分布等信息的技術。其原理是溫度高于零度的物體都會向外發(fā)射紅外光,熱紅外顯微鏡通過吸收這些紅外光,利用光電轉(zhuǎn)換將其變?yōu)闇囟葓D像。物體內(nèi)電...
熱紅外顯微鏡和紅外顯微鏡并非同一事物,二者是包含與被包含的關系。紅外顯微鏡是個廣義概念,涵蓋利用0.75-1000微米紅外光進行分析的設備,依波長分近、中、遠紅外等,通過樣品對紅外光的吸收、反射等特性分析化學成分,比如識別材料中的官能團,應用于材料科學、生物學...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢一: 熱紅外顯微鏡(Thermal emmi )能夠檢測到極其微弱的熱輻射和光發(fā)射信號,其靈敏度通常可以達到微瓦甚至納瓦級別。同時,它還具有高分辨率的特點,能夠分辨出微小的熱點區(qū)域,分辨率可以達到微米...
致晟光電熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)系列中的 RTTLIT P20 實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng),采用鎖相熱成像(Lock-inThermography)技術,通過調(diào)制電信號提升特征分辨率與靈敏度,并結(jié)合軟件算法優(yōu)化信噪比,實現(xiàn)顯微成像下超高靈敏度的熱信...
致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb(銦銻)探測器,用于中波紅外波段(3–5 μm)的熱輻射信號捕捉。InSb材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低的本征噪聲,在制冷條件下可實現(xiàn)高達nW級的熱靈敏度和優(yōu)于20mK的溫度分辨率,適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探...
為了讓客戶對設備品質(zhì)有更直觀的了解,我們大力支持現(xiàn)場驗貨。您可以親臨我們的實驗室,近距離觀察設備的外觀細節(jié),親身操作查驗設備的運行性能、精度等關鍵指標。每一臺設備都經(jīng)過嚴格的出廠檢測,我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前,讓您在采購前就能對設備的實際狀況了然于胸,消除后顧...
得注意的是,兩種技術均支持對芯片進行正面檢測(從器件有源區(qū)一側(cè)觀測)與背面檢測(透過硅襯底觀測),可根據(jù)芯片結(jié)構、封裝形式靈活選擇檢測角度,確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點(如微米級甚至納米級缺陷)。在實際失效分析流程中,PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIR...
在半導體芯片的精密檢測領域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨特的技術原理與應用優(yōu)勢,在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務于芯片檢測,但在邏輯與適用場景上的差異,使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術原...
EMMI的本質(zhì)只是一臺光譜范圍廣,光子靈敏度高的顯微鏡。 但是為什么EMMI能夠應用于IC的失效分析呢? 原因就在于集成電路在通電后會出現(xiàn)三種情況:1.載流子復合;2.熱載流子;3.絕緣層漏電。當這三種情況發(fā)生時集成電路上就會產(chǎn)生微弱的熒光,這...
相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡,InGaAs(銦鎵砷)微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于,較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓,這導致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產(chǎn)品中的亮點和熱點(...
在故障分析領域,微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種極具實用價值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路(IC)內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中,電子-空穴對(ElectronHolePairs,EHP)的復合過程會伴隨光子(Pho...
從傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變,是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果。它既延續(xù)了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理,又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創(chuàng)新,突破了傳統(tǒng)技術的邊界。如今,這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研...
考慮到部分客戶的特殊應用場景,我們還提供Thermal&EMMI的個性化定制服務。無論是設備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化,還是外觀結(jié)構適配,我們都能根據(jù)您的具體需求進行專屬設計與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團隊和成熟的生產(chǎn)體系,定制項目通常在 2-3 個月內(nèi)即可完成交...
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI )技術不僅可實現(xiàn)電子設備的故障精細定位,更在性能評估、熱管理優(yōu)化及可靠性分析等領域展現(xiàn)獨特價值。通過高分辨率熱成像捕捉設備熱點分布圖譜,工程師能深度解析器件熱傳導特性,以此為依據(jù)優(yōu)化散熱結(jié)構設計,有效提升設備運行穩(wěn)定性與...
從傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變,是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果。它既延續(xù)了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理,又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創(chuàng)新,突破了傳統(tǒng)技術的邊界。如今,這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研...
在半導體芯片漏電檢測中,微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關鍵支撐。當芯片施加工作偏壓時,設備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區(qū)域因焦耳熱效應會釋放微弱的紅外輻射,即便輻射功率為 1 微瓦,高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于,通過...