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當(dāng)D1單獨(dú)作用時(shí)，T型電阻網(wǎng)絡(luò)如圖9-5中的圖(a)所示，其d點(diǎn)左下電路的戴維寧等效如圖9-5中的圖(b)所示。同理，D2單獨(dú)作用時(shí)d點(diǎn)左下電路的戴維寧等效電源如圖9-5中的圖(c)所示；D3單獨(dú)作用時(shí)d點(diǎn)左下電路的戴維南等效電源如圖9-5中的圖(d)所示。故...

一、根據(jù)一個(gè)芯片上集成的微電子器件的數(shù)量，集成電路可以分為以下幾類(lèi)：小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門(mén)10個(gè)以下或 晶體管100個(gè)以下。中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integrati...

IC芯片(Integrated Circuit Chip)是將大量的微電子元器件（晶體管、電阻、電容等）形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。IC芯片包含晶圓芯片和封裝芯片，相應(yīng) IC 芯片生產(chǎn)線由晶圓生產(chǎn)線和封裝生產(chǎn)線兩部分組成。集成電路（integr...

總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標(biāo)改善了，單位成本和開(kāi)關(guān)功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級(jí)別設(shè)備的IC也存在問(wèn)題，主要是泄漏電流。因此，對(duì)于**終用戶(hù)的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進(jìn)芯片結(jié)構(gòu)的尖銳挑戰(zhàn)。這個(gè)過(guò)程和在未來(lái)幾年所期望的進(jìn)步，在...

據(jù)流傳的資料顯示，這項(xiàng)計(jì)劃包括EDA設(shè)計(jì)、材料、材料的生產(chǎn)制造、工藝、設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體制造、芯片封測(cè)等在內(nèi)的各個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體技術(shù)的***自主可控。 [10]外媒聲音1、日本《日經(jīng)亞洲評(píng)論》8月12日文章稱(chēng)，中國(guó)招聘了100多名前臺(tái)積電工程師以力爭(zhēng)...

74系列是標(biāo)準(zhǔn)的TTL邏輯器件的通用名稱(chēng)，例如74LS00、74LS02等等，單從74來(lái)看看不出是什么公司的產(chǎn)品。不同公司會(huì)在74前面加前綴，例如SN74LS00等。相關(guān)拓展一個(gè)完整的IC型號(hào)一般都至少必須包含以下四個(gè)部分:前綴（首標(biāo)）-----很多可以推測(cè)是...

一些早期的轉(zhuǎn)換器的響應(yīng)類(lèi)型呈對(duì)數(shù)關(guān)系，由此來(lái)執(zhí)行A-law算法或μ-law算法編碼。誤差模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的誤差有若干種來(lái)源。量化錯(cuò)誤和非線性誤差（假設(shè)這個(gè)模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器標(biāo)稱(chēng)具有線性特征）是任何模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換中都存在的內(nèi)在誤差。也有一種被稱(chēng)作孔徑錯(cuò)誤（apertur...

球柵數(shù)組封裝封裝從20世紀(jì)70年代開(kāi)始出現(xiàn)，90年***發(fā)了比其他封裝有更多管腳數(shù)的覆晶球柵數(shù)組封裝封裝。在FCBGA封裝中，晶片（die）被上下翻轉(zhuǎn)（flipped）安裝，通過(guò)與PCB相似的基層而不是線與封裝上的焊球連接。FCBGA封裝使得輸入輸出信號(hào)陣列（...

**的集成電路是微處理器或多核處理器的**，可以控制計(jì)算機(jī)到手機(jī)到數(shù)字微波爐的一切。雖然設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)一個(gè)復(fù)雜集成電路的成本非常高，但是當(dāng)分散到通常以百萬(wàn)計(jì)的產(chǎn)品上，每個(gè)集成電路的成本**小化。集成電路的性能很高，因?yàn)樾〕叽鐜?lái)短路徑，使得低功率邏輯電路可以在快速開(kāi)...

任正非早就表示：華為很像一架被打得千瘡百孔的飛機(jī)，正在加緊補(bǔ)洞，現(xiàn)在大多數(shù)洞已經(jīng)補(bǔ)好，還有一些比較重要的洞，需要兩三年才能完全克服。隨著禁令愈加嚴(yán)苛，要補(bǔ)的洞越來(lái)越多， [10]余承東是承認(rèn)，當(dāng)初只做設(shè)計(jì)不做生產(chǎn)是個(gè)錯(cuò)誤，除了補(bǔ)洞更要拓展新的領(lǐng)地。華為和合作伙...

實(shí)際上從數(shù)學(xué)關(guān)系來(lái)看，INL的微分結(jié)果即是DNL, DNL的積分結(jié)果即是INL 。5.單調(diào)性:單調(diào)性是指數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸入在逐漸增加時(shí)，輸出也是逐步增加的，若輸入增加，輸出卻減小，此時(shí)即呈現(xiàn)非單調(diào)性，如圖4左是單調(diào)性的，圖4右是非單調(diào)性的，此時(shí)DNL會(huì)小于-1LS...

管腳數(shù):A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28 ；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60...

2019年，華為旗下海思發(fā)布全球***5G SoC芯片海思麒麟990，采用了全球先進(jìn)的7納米工藝；64層3D NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；中芯國(guó)際14納米工藝量產(chǎn)。 [5]2021年7月，***采用自主指令系統(tǒng)LoongArch設(shè)計(jì)的處理器芯片，龍芯3A5000...

C=0℃至60℃（商業(yè)級(jí)）；I=-20℃至85℃（工業(yè)級(jí)）；E=-40℃至85℃（擴(kuò)展工業(yè)級(jí)）；A=-40℃至82℃（航空級(jí)）；M=-55℃至125℃（**級(jí)）封裝類(lèi)型：A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷銅頂；E—QSOP；...

集成電路對(duì)于離散晶體管有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過(guò)照相平版技術(shù)，作為一個(gè)單位印刷，而不是在一個(gè)時(shí)間只制作一個(gè)晶體管。性能高是由于組件快速開(kāi)關(guān)，消耗更低能量，因?yàn)榻M件很小且彼此靠近。2006年，芯片面積從幾平方毫米到350 mm2...

轉(zhuǎn)換精度是指D/A轉(zhuǎn)換器的實(shí)際輸出與理論值之間的誤差。轉(zhuǎn)換精度可分為***精度和相對(duì)精度。(1)***精度指對(duì)應(yīng)于給定的數(shù)字量，D/A轉(zhuǎn)換器的輸出端實(shí)際測(cè)得的模擬輸出值（電流或電壓）與理論值之差。***精度由D/A轉(zhuǎn)換的增益誤差、線性誤差和噪聲等綜合因素決定。...

D/A轉(zhuǎn)換器的主要特性指標(biāo)包括以下幾方面：分辨率指**小輸出電壓(對(duì)應(yīng)的輸入數(shù)字量只有比較低有效位為“1”)與比較大輸出電壓(對(duì)應(yīng)的輸入數(shù)字量所有有效位全為“1”)之比。如N位D/A轉(zhuǎn)換器，其分辨率為1/(2^N-1)。在實(shí)際使用中，表示分辨率大小的方法也用輸...

1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年，上海飛利浦公司建成了我國(guó)***條5英寸線。1993年，***塊256K DRAM在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功。1994年，首鋼日電公司建成了我國(guó)***條6英寸線。...

通常集成電路芯片故障檢測(cè)必需的模塊有三個(gè)：源激勵(lì)模塊，觀測(cè)信息采集模塊和檢測(cè)模塊。源激勵(lì)模塊用于將測(cè)試向量輸送給集成電路芯片，以驅(qū)使芯片進(jìn)入各種工作模式。通常要求測(cè)試向量集能盡量多的包含所有可能的輸入向量。觀測(cè)信息采集模塊負(fù)責(zé)對(duì)之后用于分析和處理的信息進(jìn)行采集...

一、根據(jù)一個(gè)芯片上集成的微電子器件的數(shù)量，集成電路可以分為以下幾類(lèi)：小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門(mén)10個(gè)以下或 晶體管100個(gè)以下。中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integrati...

二進(jìn)制權(quán)重圖6是5比特二進(jìn)制權(quán)重的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)方式，總共只有5個(gè)二進(jìn)制編碼的電流單元，即后一個(gè)電流大小是前一個(gè)的兩倍，5比特二進(jìn)制輸入直接控制5個(gè)開(kāi)關(guān)，用以確定流到負(fù)載RL的電流大小，形成模擬電壓輸出Vout。此方式實(shí)現(xiàn)的數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制非常簡(jiǎn)單，N比特?cái)?shù)字...

3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態(tài):單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳和底部引腳；SMT器件有L型、J型、I型的金屬引腳。SIP :單列式封裝 SQP:小型化封裝 MCP:金屬罐式封裝 DIP:雙列式封裝 CSP...

DAC主要由數(shù)字寄存器、模擬電子開(kāi)關(guān)、位權(quán)網(wǎng)絡(luò)、求和運(yùn)算放大器和基準(zhǔn)電壓源（或恒流源）組成。用存于數(shù)字寄存器的數(shù)字量的各位數(shù)碼，分別控制對(duì)應(yīng)位的模擬電子開(kāi)關(guān)，使數(shù)碼為1的位在位權(quán)網(wǎng)絡(luò)上產(chǎn)生與其位權(quán)成正比的電流值，再由運(yùn)算放大器對(duì)各電流值求和，并轉(zhuǎn)換成電壓值 [...

1965-1978年 創(chuàng)業(yè)期1965年，***批國(guó)內(nèi)研制的晶體管和數(shù)字電路在河北半導(dǎo)體研究所鑒定成功。1968年，上海無(wú)線電十四廠**制成PMOS（P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體）集成電路。1970年，北京878廠、上海無(wú)線電十九廠建成投產(chǎn)。 [17]1972年，*...

可以采集連續(xù)變化、帶寬受限的信號(hào)（即每隔一時(shí)間測(cè)量并存儲(chǔ)一個(gè)信號(hào)值），然后可以通過(guò)插值將轉(zhuǎn)換后的離散信號(hào)還原為原始信號(hào)。這一過(guò)程的精確度受量化誤差的限制。然而，*當(dāng)采樣率比信號(hào)頻率的兩倍還高的情況下才可能達(dá)到對(duì)原始信號(hào)的忠實(shí)還原，這一規(guī)律在采樣定理有所體現(xiàn)。由...

即0111...111到1000 ...000之間的轉(zhuǎn)換，此時(shí)所有電流單元開(kāi)關(guān)都有開(kāi)/關(guān)互換的動(dòng)作。假設(shè)單個(gè)電流單元的標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ(I)，根據(jù)統(tǒng)計(jì)學(xué)原理，可以簡(jiǎn)單的求得**差DNL為(2N _1)1/2*σ(I)/IOo。 INL偏差和Unary數(shù)模轉(zhuǎn)換器是一...

**的集成電路是微處理器或多核處理器的**，可以控制計(jì)算機(jī)到手機(jī)到數(shù)字微波爐的一切。雖然設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)一個(gè)復(fù)雜集成電路的成本非常高，但是當(dāng)分散到通常以百萬(wàn)計(jì)的產(chǎn)品上，每個(gè)集成電路的成本**小化。集成電路的性能很高，因?yàn)樾〕叽鐜?lái)短路徑，使得低功率邏輯電路可以在快速開(kāi)...

根據(jù)信號(hào)與系統(tǒng)的理論，數(shù)字階梯狀信號(hào)可以看作理想沖激采樣信號(hào)和矩形脈沖信號(hào)的卷積，那么由卷積定理，數(shù)字信號(hào)的頻譜就是沖激采樣信號(hào)的頻譜與矩形脈沖頻譜（即Sa函數(shù)）的乘積。這樣，用Sa函數(shù)的倒數(shù)作為頻譜特性補(bǔ)償，由數(shù)字信號(hào)便可恢復(fù)為采樣信號(hào)。由采樣定理，采樣信號(hào)...

廣義:將封裝體與基板連接固定，裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備，并確保整個(gè)系統(tǒng)綜合性能的工程。芯片封裝實(shí)現(xiàn)的功能1、傳遞功能；2、傳遞電路信號(hào)；3、提供散熱途徑；4、結(jié)構(gòu)保護(hù)與支持。封裝工程的技術(shù)層次封裝工程始于集成電路芯片制成之后，包括集成電路芯片的粘貼固定、互連...

74系列是標(biāo)準(zhǔn)的TTL邏輯器件的通用名稱(chēng)，例如74LS00、74LS02等等，單從74來(lái)看看不出是什么公司的產(chǎn)品。不同公司會(huì)在74前面加前綴，例如SN74LS00等。相關(guān)拓展一個(gè)完整的IC型號(hào)一般都至少必須包含以下四個(gè)部分:前綴（首標(biāo)）-----很多可以推測(cè)是...