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C=0℃至60℃（商業(yè)級(jí)）；I=-20℃至85℃（工業(yè)級(jí)）；E=-40℃至85℃（擴(kuò)展工業(yè)級(jí)）；A=-40℃至82℃（航空級(jí)）；M=-55℃至125℃（**級(jí)）封裝類型：A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷銅頂；E—QSOP；...

隨著數(shù)字技術(shù)，特別是計(jì)算機(jī)技術(shù)的飛速發(fā)展與普及，在現(xiàn)代控制、通信及檢測(cè)等領(lǐng)域，為了提高系統(tǒng)的性能指標(biāo)，對(duì)信號(hào)的處理***采用了數(shù)字計(jì)算機(jī)技術(shù)。由于系統(tǒng)的實(shí)際對(duì)象往往都是一些模擬量（如溫度、壓力、位移、圖像等），要使計(jì)算機(jī)或數(shù)字儀表能識(shí)別、處理這些信號(hào)，必須首先...

在使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）包裝前，每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過程稱為晶圓測(cè)試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個(gè)被稱為晶片（“die”）。每個(gè)好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內(nèi)，pads通常在die的邊上。封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用...

從1949年到1957年，維爾納·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·達(dá)林頓（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都開發(fā)了原型，但現(xiàn)代集成電路是由杰克·基爾比在1958...

工作溫度范圍一般情況下，影響D/A轉(zhuǎn)換精度的主要環(huán)境和工作條件因素是溫度和電源電壓變化。由于工作溫度會(huì)對(duì)運(yùn)算放大器加權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)等產(chǎn)生影響，所以只有在一定的工作范圍內(nèi)才能保證額定精度指標(biāo)。較好的D/A轉(zhuǎn)換器的工作溫度范圍在-40℃～85℃之間，較差的D/A轉(zhuǎn)換器...

1998年，華晶與上華合作生產(chǎn)MOS 圓片合約簽定，開始了中國(guó)大陸的Foundry時(shí)代；由北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料國(guó)家工程研究中心承擔(dān)的我國(guó)***條8英寸硅單晶拋光生產(chǎn)線建成投產(chǎn)。1999年，上海華虹NEC的***條8英寸生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)。 [5]20...

模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器即A/D轉(zhuǎn)換器，或簡(jiǎn)稱ADC，通常是指一個(gè)將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)的電子元件。通常的模數(shù)轉(zhuǎn)換器是將一個(gè)輸入電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為一個(gè)輸出的數(shù)字信號(hào)。由于數(shù)字信號(hào)本身不具有實(shí)際意義，**表示一個(gè)相對(duì)大小。故任何一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器都需要一個(gè)參考模擬量作為轉(zhuǎn)換的標(biāo)...

2.主要的輸出選項(xiàng)是CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)、LVDS(低壓差分信令)，以及CML(電流模式邏輯) [2]。3.要考慮的問題包括：功耗、瞬變、數(shù)據(jù)與時(shí)鐘的變形，以及對(duì)噪聲的抑制能力 [2]。4.對(duì)于布局的考慮也是轉(zhuǎn)換輸出選擇中的一個(gè)方面，尤其當(dāng)采用LV...

逐次逼近型ADC：逐次逼近型ADC是另一種直接ADC，它也產(chǎn)生一系列比較電壓VR，但與并聯(lián)比較型ADC不同，它是逐個(gè)產(chǎn)生比較電壓，逐次與輸入電壓分別比較，以逐漸逼近的方式進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換的。逐次逼近型ADC每次轉(zhuǎn)換都要逐位比較，需要（n+1）個(gè)節(jié)拍脈沖才能完成，所...

在D/A轉(zhuǎn)換過程中，影響轉(zhuǎn)換精度的主要因素有失調(diào)誤差、增益誤差、非線性誤差和微分非線性誤差。轉(zhuǎn)換速度轉(zhuǎn)換速度一般由建立時(shí)間決定。從輸入由全0突變?yōu)槿?時(shí)開始，到輸出電壓穩(wěn)定在FSR±?LSB范圍（或以FSR±x%FSR指明范圍）內(nèi)為止，這段時(shí)間稱為建立時(shí)間，它...

當(dāng)D1單獨(dú)作用時(shí)，T型電阻網(wǎng)絡(luò)如圖9-5中的圖(a)所示，其d點(diǎn)左下電路的戴維寧等效如圖9-5中的圖(b)所示。同理，D2單獨(dú)作用時(shí)d點(diǎn)左下電路的戴維寧等效電源如圖9-5中的圖(c)所示；D3單獨(dú)作用時(shí)d點(diǎn)左下電路的戴維南等效電源如圖9-5中的圖(d)所示。故...

T型電阻網(wǎng)絡(luò)圖9-3為T型電阻網(wǎng)絡(luò)4位D/A轉(zhuǎn)換器的原理圖。圖9-3中電阻譯碼網(wǎng)絡(luò)是由R和2R兩種阻值的電阻組成T型電阻網(wǎng)絡(luò)，運(yùn)算放大器構(gòu)成電壓跟隨器，圖9-3中略去了數(shù)據(jù)鎖存器，電子開關(guān)S3、S2、S1、S0在二進(jìn)制數(shù)D相應(yīng)位的控制下或者接參考電壓VR(相應(yīng)...

半導(dǎo)體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復(fù)使用：光刻刻蝕薄膜（化學(xué)氣相沉積或物***相沉積）摻雜（熱擴(kuò)散或離子注入）化學(xué)機(jī)械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜...

混疊所有的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器以每隔一定時(shí)間進(jìn)行采樣的形式進(jìn)行工作。因此，它們的輸出信號(hào)只是對(duì)輸入信號(hào)行為的不完全描述。在某一次采樣和下一次采樣之間的時(shí)間段，**根據(jù)輸出信號(hào)，是無法得知輸入信號(hào)的形式的。如果輸入信號(hào)以比采樣率低的速率變化，那么可以假定這兩次采樣之間...

封裝----指出產(chǎn)品的封裝和管腳數(shù)有些IC型號(hào)還會(huì)有其它內(nèi)容:速率----如memory，MCU，DSP，F(xiàn)PGA 等產(chǎn)品都有速率區(qū)別，如-5，-6之類數(shù)字表示。工藝結(jié)構(gòu)----如通用數(shù)字IC有COMS和TL兩種，常用字母C，T來表示。是否環(huán)保-----一般在...

在使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）包裝前，每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過程稱為晶圓測(cè)試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個(gè)被稱為晶片（“die”）。每個(gè)好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內(nèi)，pads通常在die的邊上。封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用...

實(shí)際上從數(shù)學(xué)關(guān)系來看，INL的微分結(jié)果即是DNL, DNL的積分結(jié)果即是INL 。5.單調(diào)性:單調(diào)性是指數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸入在逐漸增加時(shí)，輸出也是逐步增加的，若輸入增加，輸出卻減小，此時(shí)即呈現(xiàn)非單調(diào)性，如圖4左是單調(diào)性的，圖4右是非單調(diào)性的，此時(shí)DNL會(huì)小于-1LS...

倒T型電阻網(wǎng)絡(luò)圖9-6為倒T型電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器原理圖。由于P點(diǎn)接地、N點(diǎn)虛地，所以不論數(shù)碼D0、D1、D2、D3是0還是1，電子開關(guān)S0、S1、S2、S3都相當(dāng)于接地。因此，圖9-6中各支路電流I0、I1、I2、I3和IR的大小不會(huì)因二進(jìn)制數(shù)的不同而改變。...

廣義:將封裝體與基板連接固定，裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備，并確保整個(gè)系統(tǒng)綜合性能的工程。芯片封裝實(shí)現(xiàn)的功能1、傳遞功能；2、傳遞電路信號(hào)；3、提供散熱途徑；4、結(jié)構(gòu)保護(hù)與支持。封裝工程的技術(shù)層次封裝工程始于集成電路芯片制成之后，包括集成電路芯片的粘貼固定、互連...

一、根據(jù)一個(gè)芯片上集成的微電子器件的數(shù)量，集成電路可以分為以下幾類：小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門10個(gè)以下或 晶體管100個(gè)以下。中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integrati...

N比特電阻分壓型DAC需要2N個(gè)電阻，電流舵DAC則需要2N-1個(gè)電流單元。電阻分壓型數(shù)模轉(zhuǎn)換器利用電阻對(duì)基準(zhǔn)電壓VREF分壓產(chǎn)生1LSB的電壓，I LSB=VREF/2N，電流舵DAC由單位電流IO流過電阻負(fù)載RL產(chǎn)生的壓降IO*RL產(chǎn)生1LSB的電壓，所以...

1982年，江蘇無錫724廠從東芝引進(jìn)電視機(jī)集成電路生產(chǎn)線，這是**次從國(guó)外引進(jìn)集成電路技術(shù)；***成立電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組，制定了中國(guó)IC發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改造。1985年，***塊64K DRAM 在無錫國(guó)營(yíng)72...

球柵數(shù)組封裝封裝從20世紀(jì)70年代開始出現(xiàn)，90年***發(fā)了比其他封裝有更多管腳數(shù)的覆晶球柵數(shù)組封裝封裝。在FCBGA封裝中，晶片（die）被上下翻轉(zhuǎn)（flipped）安裝，通過與PCB相似的基層而不是線與封裝上的焊球連接。FCBGA封裝使得輸入輸出信號(hào)陣列（...

五、按用途分類：集成電路按用途可分為電視機(jī)用集成電路、音響用集成電路、影碟機(jī)用集成電路、錄像機(jī)用集成電路、電腦(微機(jī))用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機(jī)用集成電路、遙控集成電路、語(yǔ)言集成電路、報(bào)警器用集成電路及各種**集成電路。集成電路（IC...

間接ADC是先將輸入模擬電壓轉(zhuǎn)換成時(shí)間或頻率，然后再把這些中間量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量，常用的有中間量是時(shí)間的雙積分型ADC [5]。并聯(lián)比較型ADC：由于并聯(lián)比較型ADC采用各量級(jí)同時(shí)并行比較，各位輸出碼也是同時(shí)并行產(chǎn)生，所以轉(zhuǎn)換速度快是它的突出優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)轉(zhuǎn)換速度與輸...

C=0℃至60℃（商業(yè)級(jí)）；I=-20℃至85℃（工業(yè)級(jí)）；E=-40℃至85℃（擴(kuò)展工業(yè)級(jí)）；A=-40℃至82℃（航空級(jí)）；M=-55℃至125℃（**級(jí)）封裝類型：A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷銅頂；E—QSOP；...

2.主要的輸出選項(xiàng)是CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)、LVDS(低壓差分信令)，以及CML(電流模式邏輯) [2]。3.要考慮的問題包括：功耗、瞬變、數(shù)據(jù)與時(shí)鐘的變形，以及對(duì)噪聲的抑制能力 [2]。4.對(duì)于布局的考慮也是轉(zhuǎn)換輸出選擇中的一個(gè)方面，尤其當(dāng)采用LV...

逐次逼近型ADC：逐次逼近型ADC是另一種直接ADC，它也產(chǎn)生一系列比較電壓VR，但與并聯(lián)比較型ADC不同，它是逐個(gè)產(chǎn)生比較電壓，逐次與輸入電壓分別比較，以逐漸逼近的方式進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換的。逐次逼近型ADC每次轉(zhuǎn)換都要逐位比較，需要（n+1）個(gè)節(jié)拍脈沖才能完成，所...

5.通常模擬視頻接口包含CVBS接口，VGA接口以及YUV接口。模數(shù)轉(zhuǎn)換器即A/D轉(zhuǎn)換器，或簡(jiǎn)稱ADC，通常是指一個(gè)將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)的電子元件。通常的模數(shù)轉(zhuǎn)換器是將一個(gè)輸入電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為一個(gè)輸出的數(shù)字信號(hào)。由于數(shù)字信號(hào)本身不具有實(shí)際意義，**表示一個(gè)相...

當(dāng)D1單獨(dú)作用時(shí)，T型電阻網(wǎng)絡(luò)如圖9-5中的圖(a)所示，其d點(diǎn)左下電路的戴維寧等效如圖9-5中的圖(b)所示。同理，D2單獨(dú)作用時(shí)d點(diǎn)左下電路的戴維寧等效電源如圖9-5中的圖(c)所示；D3單獨(dú)作用時(shí)d點(diǎn)左下電路的戴維南等效電源如圖9-5中的圖(d)所示。故...