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商甲半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品擊穿電壓覆蓋12V至1200V全范圍，電流承載能力從50mA延伸至600A，無(wú)論是微型傳感器供電還是大型工業(yè)設(shè)備驅(qū)動(dòng)，都能匹配您的電路設(shè)計(jì)需求，為各類電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的功率控制。采用第三代溝槽柵工藝技術(shù)的商甲半導(dǎo)體MOSFET，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低35%以上，在175℃高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的導(dǎo)電性能，有效減少功率損耗，大幅提升電能轉(zhuǎn)換效率，特別適合對(duì)能效要求嚴(yán)苛的電源設(shè)備。針對(duì)高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景，商甲半導(dǎo)體優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使柵極電荷（Qg）降低28%，開(kāi)關(guān)速度提升40%，在DC-DC轉(zhuǎn)換器、高頻逆變器等設(shè)備中可減少開(kāi)關(guān)損耗，助力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的...

MOSFET的主要參數(shù) 1、ID：比較大漏源電流它是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流，場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)ID。 2、IDM：比較大脈沖漏源電流此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。 3、VGS：比較大柵源電壓VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓，主要目的是防止電壓過(guò)高導(dǎo)致的柵氧化層損傷。 4、V(BR)DSS：漏源擊穿電壓它是指柵源電壓VGS為0時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的比較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。 5、RDS(on)在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫...

MOSFET的主要參數(shù) 1、ID：比較大漏源電流它是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流，場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)ID。 2、IDM：比較大脈沖漏源電流此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。 3、VGS：比較大柵源電壓VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓，主要目的是防止電壓過(guò)高導(dǎo)致的柵氧化層損傷。 4、V(BR)DSS：漏源擊穿電壓它是指柵源電壓VGS為0時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的比較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。 5、RDS(on)在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫...

MOS管的“身體構(gòu)造” 以最常見(jiàn)的N溝道增強(qiáng)型MOS管為例，它的結(jié)構(gòu)就像個(gè)三明治： 1. 底層：一塊P型硅襯底，相當(dāng)于地基； 2. 中間夾心：兩個(gè)高濃度N+區(qū)，分別作為源極和漏極，就像溪流的兩端； 3. 頂層魔法：金屬鋁柵極+二氧化硅絕緣層，構(gòu)成“電場(chǎng)遙控器”。 當(dāng)柵極沒(méi)電時(shí)，源漏極之間像隔著兩座背對(duì)背的山（PN結(jié)），電流根本無(wú)法通過(guò)。但一旦柵極電壓超過(guò)某個(gè)閾值（比如2V），神奇的事情發(fā)生了——P型襯底里的自由電子會(huì)被吸引到絕緣層下方，形成一條N型“電子隧道”，電流瞬間暢通無(wú)阻！這就像用磁鐵吸起散落的鐵屑鋪成橋，電壓越大，“橋”越寬，電流跑得越歡。 送樣活動(dòng)開(kāi)...

半導(dǎo)體與芯片的選擇與應(yīng)用 選擇合適的半導(dǎo)體材料至關(guān)重要。根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景和需求，選擇適合的半導(dǎo)體類型（如硅（Si）、砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等）會(huì)直接影響設(shè)備的性能。例如，硅普遍應(yīng)用于計(jì)算機(jī)處理器、存儲(chǔ)器等領(lǐng)域，而砷化鎵則常用于高頻、高功率應(yīng)用如雷達(dá)、通信等。 芯片的選擇與應(yīng)用 芯片的選擇主要依據(jù)設(shè)備的用途、處理能力需求、功耗等因素。在選擇芯片時(shí)，重要的考慮因素包括： CPU芯片：決定計(jì)算機(jī)或手機(jī)的處理速度，適用于高性能計(jì)算任務(wù)。 GPU芯片：用于圖形處理，尤其在游戲、視頻編輯、人工智能領(lǐng)域有普遍應(yīng)用。 存儲(chǔ)芯片：如DRAM、NAND閃存等...

MOS管的工作原理 增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵-源電壓VGS=0時(shí)，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒(méi)有導(dǎo)電溝道(沒(méi)有電流流過(guò))，所以這時(shí)漏極電流ID=0。NMOS管--此時(shí)若在柵-源極間加上正向電壓，我們把開(kāi)始形成溝道時(shí)的柵-源極電壓稱為開(kāi)啟電壓，一般用VT表示。PMOS管--若在柵-源極間加上反向電壓，即VGS<0(Vg

比其他開(kāi)關(guān)器件，MOS管的優(yōu)勢(shì)藏在細(xì)節(jié)里 IGBT結(jié)合了MOS管的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通損耗，常用于高壓大電流場(chǎng)景（比如電動(dòng)汽車的主電機(jī)驅(qū)動(dòng)）。但I(xiàn)GBT的開(kāi)關(guān)速度比MOS管慢（納秒級(jí)到微秒級(jí)），且開(kāi)關(guān)過(guò)程中存在"拖尾電流"（關(guān)斷時(shí)電流不能立即降為零），這在需要超高頻開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景（比如開(kāi)關(guān)電源的高頻化）中會(huì)成為瓶頸。而MOS管的開(kāi)關(guān)速度更快，更適合對(duì)效率敏感的小型化設(shè)備。 晶閘管（SCR）則是另一種類型的開(kāi)關(guān)器件，它的優(yōu)點(diǎn)是耐壓高、電流大，但缺點(diǎn)是"一旦導(dǎo)通就無(wú)法自行關(guān)斷"（必須依靠外部電路降低電流才能關(guān)斷），這種"不可控性"在需要頻繁開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景中幾乎無(wú)法使用。相比之下，M...

MOS管工作原理：電壓控制的“智能閘門” MOS管的工作狀態(tài)就像水龍頭調(diào)節(jié)水流： - 截止區(qū)：柵極電壓不足（VGS＜閾值），閘門緊閉，滴水不漏； - 可變電阻區(qū)：閘門微開(kāi)，水流大小隨電壓線性變化； - 飽和區(qū)：閘門全開(kāi)，水流達(dá)到比較大且穩(wěn)定，適合做放大電路。 實(shí)際應(yīng)用中，MOS管常在“開(kāi)閘放水”（導(dǎo)通）和“關(guān)閘斷流”（截止）之間快速切換。比如手機(jī)處理器里，每秒數(shù)十億次的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，就是靠數(shù)以億計(jì)的微型MOS管協(xié)作完成的，既省電又高效。 商甲半導(dǎo)體 SJ MOSFET，低阻高效，降低系統(tǒng)功耗，提升轉(zhuǎn)換效率。江蘇專業(yè)選型MOSFET供應(yīng)商哪里有 開(kāi)關(guān)電源...

MOS管，又被稱為場(chǎng)效應(yīng)管、開(kāi)關(guān)管，其英文名稱“MOSFET”是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor的縮寫(xiě)，在實(shí)際應(yīng)用中，人們常簡(jiǎn)稱它為MOS管。從外觀封裝形式來(lái)看，MOS管主要分為插件類和貼片類。 眾多的MOS管在外觀上極為相似，常見(jiàn)的封裝類型有TO-252、TO-251、TO-220、TO-247等，其中TO-220封裝常用。由于型號(hào)繁多，依靠外觀難以區(qū)分不同的MOS管。 按照導(dǎo)電方式來(lái)劃分，MOS管可分為溝道增強(qiáng)型和耗盡型，每種類型又進(jìn)一步分為N溝道和P溝道。在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中，耗盡型MOS管相對(duì)較少，P溝道的使用頻...

MOS管在電源設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵參數(shù)解析 在追求尺寸小、成本低的電源設(shè)計(jì)過(guò)程中，低導(dǎo)通阻抗顯得尤為重要。由于每個(gè)電源可能需多個(gè)ORing MOS管并行工作，設(shè)計(jì)人員常需并聯(lián)MOS管以有效降低RDS（ON）。值得注意的是，在DC電路中，并聯(lián)電阻性負(fù)載的等效阻抗小于每個(gè)負(fù)載單獨(dú)的阻抗。因此，具有低RDS（ON）值和大額定電流的MOS管，有助于設(shè)計(jì)人員減少電源中所需的MOS管數(shù)量。 除了 RDS（ON）之外，MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)人員至關(guān)重要。數(shù)據(jù)手冊(cè)中的 安全工作區(qū)（SOA）曲線是一個(gè)重要的參考，它描繪了漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系，從而界定了MOSFET能夠安全...

MOS管，現(xiàn)代電子的"隱形基石" 在開(kāi)關(guān)電源的電路板上，MOS管可能是不起眼的元件之一——它們通常被焊在散熱片上，外觀和普通三極管沒(méi)什么區(qū)別。但正是這些"小個(gè)子"，支撐著現(xiàn)代電子設(shè)備的高效運(yùn)行：從手機(jī)快充的"充電5分鐘，通話2小時(shí)"，到電動(dòng)汽車的"百公里加速4秒"，再到工業(yè)機(jī)器人電機(jī)的準(zhǔn)確控制，MOS管用其獨(dú)特的物理特性，成為了電子系統(tǒng)中不可或缺的"開(kāi)關(guān)擔(dān)當(dāng)"。 商甲半導(dǎo)體利用技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以國(guó)內(nèi)新技術(shù)代Trench/SGT產(chǎn)品作為一代產(chǎn)品；產(chǎn)品在FOM性能方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)，結(jié)合先進(jìn)封裝獲得的更高電流密度；打造全系列N/P溝道車規(guī)級(jí)MOSFET，為日益增長(zhǎng)的汽車需求助力。 商甲半導(dǎo)體 ...

Vbus部分采用30VN/30VPTrenchMOSFET系列產(chǎn)品，產(chǎn)品性能表現(xiàn)佳，封裝形式涵蓋TO-252、PDFN3X3-8L、PDFN5X6-8L等多種形式，選用靈活，性價(jià)比高。具體涉及型號(hào)如下： SR:SJM100N06/SJH075N06/SJH042N06/SJJ025N06/SJD210N10/SJH080N10/SJD080N10/SJH045N10L/SJD045N10L/SJH090N15/SJ090N15/SJJ090N15/SJJ055N15 PFDFlyback:SJD65R1350/SJF65R1350/SJF65R380/SJF65R380/SJF...

MOSFET主要用于功率放大、開(kāi)關(guān)和信號(hào)調(diào)制。它具有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、開(kāi)關(guān)速度快等特性。商甲半導(dǎo)體專業(yè)提供MOSFET，封裝規(guī)格為TO-252/SOT-23/PNDF5X6-8L/PDNF3X3-8L/SOT-23-3L/SOP-8/TO-220/TO-263/TOLL/SOT89-3L/DFN2030/SOT-89/TO-92/TO-251/TO-220F/TO-247/TO-263-7，產(chǎn)品適用于多種高功率應(yīng)用場(chǎng)景。其交期短至1-30天，確保您能快速獲得所需器件。現(xiàn)備有新批次的現(xiàn)貨，滿足您對(duì)MOSFET的多樣需求。如想了解更多或定制方案，歡迎聯(lián)系我們，獲取更多信息。工業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)線中...

芯片的作用及應(yīng)用解析 芯片的定義 芯片（Chip）是指一種將多個(gè)電子元件（如晶體管、電阻、電容等）通過(guò)微縮技術(shù)集成在一塊小小的半導(dǎo)體材料（通常是硅片）上的微型電子器件。芯片通常用于執(zhí)行特定的功能，如計(jì)算、存儲(chǔ)、通信等。 芯片的作用 芯片是現(xiàn)代電子設(shè)備的重要部件，承載著處理數(shù)據(jù)、存儲(chǔ)信息和控制外設(shè)的功能。芯片的作用可以從以下幾個(gè)方面來(lái)描述： 中央處理單元（CPU）：芯片用于計(jì)算機(jī)中執(zhí)行指令，處理數(shù)據(jù)，是計(jì)算機(jī)的大腦。 存儲(chǔ)芯片（如內(nèi)存、閃存）：存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或指令，為系統(tǒng)提供數(shù)據(jù)存取能力。 通信芯片：用于實(shí)現(xiàn)無(wú)線通訊、藍(lán)牙、WiFi等功能的芯片。 ...

半導(dǎo)體作用及應(yīng)用解析 在現(xiàn)代科技發(fā)展中，半導(dǎo)體和芯片是兩個(gè)至關(guān)重要的概念。它們都涉及到電子技術(shù)領(lǐng)域，且常常被人們混淆。但其實(shí)，它們各自有著不同的定義和作用。理解半導(dǎo)體和芯片的區(qū)別對(duì)于電子設(shè)備的學(xué)習(xí)、設(shè)計(jì)、制造都至關(guān)重要。 半導(dǎo)體的作用 半導(dǎo)體材料在現(xiàn)代電子技術(shù)中起著基礎(chǔ)性作用。它的獨(dú)特導(dǎo)電性使其成為了制造電子元器件（如二極管、三極管、光電元件等）的主要材料。具體作用包括： 控制電流流動(dòng)：半導(dǎo)體材料能根據(jù)外界因素（如電壓、光照）控制電流的流動(dòng)，因此成為各種電子設(shè)備的主要組件。 制造集成電路：半導(dǎo)體是制造芯片的基礎(chǔ)原料，所有的集成電路（IC）和微處理器都依賴半...

在電動(dòng)剃須刀的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路里，TrenchMOSFET發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 例如某品牌的旋轉(zhuǎn)式電動(dòng)剃須刀，其內(nèi)部搭載的微型電機(jī)由TrenchMOSFET進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。TrenchMOSFET低導(dǎo)通電阻的特性，能大幅降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)過(guò)程中的能量損耗，讓電池的續(xù)航時(shí)間得以延長(zhǎng)。據(jù)測(cè)試，采用TrenchMOSFET驅(qū)動(dòng)電機(jī)的電動(dòng)剃須刀，滿電狀態(tài)下的使用時(shí)長(zhǎng)相比傳統(tǒng)器件驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品提升了約20%。而且，TrenchMOSFET快速的開(kāi)關(guān)速度，可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)速的精細(xì)調(diào)控。當(dāng)剃須刀刀頭接觸不同部位的胡須時(shí)，能迅速響應(yīng)，使電機(jī)保持穩(wěn)定且高效的運(yùn)轉(zhuǎn)，確保剃須過(guò)程順滑、干凈，為用戶帶來(lái)更質(zhì)量的剃須體驗(yàn)。 ...

諧振轉(zhuǎn)換器及其他應(yīng)用 在開(kāi)關(guān)電源中，其他重要的MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。某些特定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如諧振轉(zhuǎn)換器，會(huì)改變這些參數(shù)的相關(guān)性。諧振轉(zhuǎn)換器通過(guò)在VDS或ID過(guò)零時(shí)進(jìn)行MOS管開(kāi)關(guān)，從而明顯降低開(kāi)關(guān)損耗。這類技術(shù)被稱為 軟開(kāi)關(guān)或零電壓/零電流開(kāi)關(guān)技術(shù)。在這些拓?fù)渲?，由于開(kāi)關(guān)損耗被小化，因此RDS(ON)變得尤為重要。 此外，低 輸出電容（COSS）對(duì)這兩種類型的轉(zhuǎn)換器都有益處。在諧振轉(zhuǎn)換器中，諧振電路的性能主要由變壓器的漏電感和COSS決定。同時(shí)，在兩個(gè)MOS管關(guān)斷的死區(qū)時(shí)間內(nèi)，諧振電路需要確保COSS完全放電。而對(duì)于傳統(tǒng)的降壓轉(zhuǎn)換器（硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器...

半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間電導(dǎo)率的材料。它的電導(dǎo)率可以通過(guò)摻雜、溫度變化或電場(chǎng)的影響而改變。半導(dǎo)體包括多種電子元器件，主要有以下幾類： 二極管（Diodes）：允許電流單向流動(dòng)的元件，常用于整流、信號(hào)調(diào)制和保護(hù)電路。 三極管（Transistors）：用于放大和開(kāi)關(guān)電流的元件，分為NPN和PNP兩種類型，應(yīng)用于放大器和開(kāi)關(guān)電路。 場(chǎng)效應(yīng)管（FETs）：一種特殊類型的三極管，使用電場(chǎng)控制電流，常用于高頻和低功耗應(yīng)用。 集成電路：將多個(gè)電子元件集成在一個(gè)芯片上的電路，分為模擬IC、數(shù)字IC和混合信號(hào)IC等。 光電二極管（Photodiodes）：能夠?qū)⒐?..

半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間電導(dǎo)率的材料。它的電導(dǎo)率可以通過(guò)摻雜、溫度變化或電場(chǎng)的影響而改變。半導(dǎo)體包括多種電子元器件，主要有以下幾類： 二極管（Diodes）：允許電流單向流動(dòng)的元件，常用于整流、信號(hào)調(diào)制和保護(hù)電路。 三極管（Transistors）：用于放大和開(kāi)關(guān)電流的元件，分為NPN和PNP兩種類型，應(yīng)用于放大器和開(kāi)關(guān)電路。 場(chǎng)效應(yīng)管（FETs）：一種特殊類型的三極管，使用電場(chǎng)控制電流，常用于高頻和低功耗應(yīng)用。 集成電路：將多個(gè)電子元件集成在一個(gè)芯片上的電路，分為模擬IC、數(shù)字IC和混合信號(hào)IC等。 光電二極管（Photodiodes）：能夠?qū)⒐?..

MOS管的“身體構(gòu)造” 以最常見(jiàn)的N溝道增強(qiáng)型MOS管為例，它的結(jié)構(gòu)就像個(gè)三明治： 1. 底層：一塊P型硅襯底，相當(dāng)于地基； 2. 中間夾心：兩個(gè)高濃度N+區(qū)，分別作為源極和漏極，就像溪流的兩端； 3. 頂層魔法：金屬鋁柵極+二氧化硅絕緣層，構(gòu)成“電場(chǎng)遙控器”。 當(dāng)柵極沒(méi)電時(shí)，源漏極之間像隔著兩座背對(duì)背的山（PN結(jié)），電流根本無(wú)法通過(guò)。但一旦柵極電壓超過(guò)某個(gè)閾值（比如2V），神奇的事情發(fā)生了——P型襯底里的自由電子會(huì)被吸引到絕緣層下方，形成一條N型“電子隧道”，電流瞬間暢通無(wú)阻！這就像用磁鐵吸起散落的鐵屑鋪成橋，電壓越大，“橋”越寬，電流跑得越歡。 開(kāi)關(guān)速度快...

商甲半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品擊穿電壓覆蓋12V至1200V全范圍，電流承載能力從50mA延伸至600A，無(wú)論是微型傳感器供電還是大型工業(yè)設(shè)備驅(qū)動(dòng)，都能匹配您的電路設(shè)計(jì)需求，為各類電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的功率控制。采用第三代溝槽柵工藝技術(shù)的商甲半導(dǎo)體MOSFET，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低35%以上，在175℃高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的導(dǎo)電性能，有效減少功率損耗，大幅提升電能轉(zhuǎn)換效率，特別適合對(duì)能效要求嚴(yán)苛的電源設(shè)備。針對(duì)高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景，商甲半導(dǎo)體優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使柵極電荷（Qg）降低28%，開(kāi)關(guān)速度提升40%，在DC-DC轉(zhuǎn)換器、高頻逆變器等設(shè)備中可減少開(kāi)關(guān)損耗，助力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的...

半導(dǎo)體與芯片的主要區(qū)別 概念上的區(qū)別 半導(dǎo)體：是一種材料，具有特殊的電導(dǎo)特性，能夠控制電流的流動(dòng)。半導(dǎo)體可以單獨(dú)存在，也可以作為芯片的主要材料使用。 芯片：是由多個(gè)電子元器件（包括半導(dǎo)體）組成的微型電子器件，其功能是執(zhí)行特定的任務(wù)，如計(jì)算、存儲(chǔ)或控制等。 功能上的區(qū)別 半導(dǎo)體：半導(dǎo)體本身并不執(zhí)行具體的任務(wù)，而是提供了合適的電子特性，使得各類電子元器件能夠工作。 芯片：芯片是由半導(dǎo)體材料制成的，且包含了多個(gè)集成的電路和元器件，能夠執(zhí)行特定的任務(wù)或功能。 組成與結(jié)構(gòu)上的區(qū)別 半導(dǎo)體：通常是單一的材料，如硅、鍺等，可以用于制作多個(gè)不同種類的電子元件...

商甲半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品擊穿電壓覆蓋12V至1200V全范圍，電流承載能力從50mA延伸至600A，無(wú)論是微型傳感器供電還是大型工業(yè)設(shè)備驅(qū)動(dòng)，都能匹配您的電路設(shè)計(jì)需求，為各類電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的功率控制。采用第三代溝槽柵工藝技術(shù)的商甲半導(dǎo)體MOSFET，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低35%以上，在175℃高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的導(dǎo)電性能，有效減少功率損耗，大幅提升電能轉(zhuǎn)換效率，特別適合對(duì)能效要求嚴(yán)苛的電源設(shè)備。針對(duì)高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景，商甲半導(dǎo)體優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使柵極電荷（Qg）降低28%，開(kāi)關(guān)速度提升40%，在DC-DC轉(zhuǎn)換器、高頻逆變器等設(shè)備中可減少開(kāi)關(guān)損耗，助力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的...

如何基于MOSFET的工作電壓與電流特性進(jìn)行選型 一、工作電壓選型關(guān)鍵要素 1.確定最大工作電壓： 首要任務(wù)是精確測(cè)量或計(jì)算電路在正常及潛在異常工況下，MOSFET漏源極（D-S）可能承受的最大電壓。例如，在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，需綜合考慮輸入電壓波動(dòng)、負(fù)載突變等因素。 2.選擇耐壓等級(jí)： 所選MOSFET的額定漏源擊穿電壓（VDSS）必須高于電路最大工作電壓，并預(yù)留充足的安全裕量（通常建議20%-30%）。例如，若最大工作電壓為30V，則應(yīng)選擇VDSS≥36V（30V×1.2）的器件，以增強(qiáng)抗電壓波動(dòng)和浪涌沖擊的能力。 3.評(píng)估瞬態(tài)電壓風(fēng)險(xiǎn)： ...

一、什么是MOS管？ MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名metaloxidesemiconductor，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時(shí)候又稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。 二、MOS管的構(gòu)造。 MOS管這個(gè)器件有兩個(gè)電極，分別是漏極D和源極S，無(wú)論是N型還是P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+/P+區(qū)，并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。這...

PD快充(PowerDelivery)是USB連接器中的一種新的快速充電技術(shù)，在使用期間具有喚醒、智能協(xié)商、安全設(shè)置及實(shí)時(shí)監(jiān)控功能，將充電過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更高的效率、更安全的功率傳輸。PD快充是目前較完善的快充協(xié)議，最大支持功率可以達(dá)到100W以上，目前常見(jiàn)功率是18W,30W,45W,60/65W等，常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域包括：手機(jī)快充、筆記本快充、平板快充、通訊電源、車載充電等。 功率MOSFET作為PD快充的重要原件，在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中發(fā)揮著重要的作用，無(wú)錫商甲半導(dǎo)體可以提供完善的PD快充MOSFET解決方案。高壓PFC&Flyback采用650VSJMOSFETG1系列產(chǎn)品，具備低...

在電子領(lǐng)域蓬勃發(fā)展的進(jìn)程中，MOSFET 作為一類舉足輕重的可控硅器件，其身影無(wú)處不在。 從日常使用的各類電子設(shè)備，到汽車電子系統(tǒng)的精密控制，再到工業(yè)控制領(lǐng)域的復(fù)雜運(yùn)作，MOSFET 都發(fā)揮著無(wú)可替代的關(guān)鍵作用。 對(duì)于電子工程師和電子愛(ài)好者而言，深入了解 MOSFET 的特性、掌握選擇正確的 MOSFET 的技巧，就如同掌握了開(kāi)啟電子技術(shù)創(chuàng)新大門的鑰匙。 MOSFET 以其獨(dú)特精妙的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在電子世界中獨(dú)樹(shù)一幟。其結(jié)構(gòu)主要包含晶體管結(jié)構(gòu)、源極結(jié)構(gòu)以及漏極結(jié)構(gòu)，晶體管結(jié)構(gòu)是其重要基礎(chǔ)，由源極、漏極、控制極和屏蔽極構(gòu)成，為電流與電壓的控制提供了基本框架；源極和漏極結(jié)構(gòu)則通過(guò)...

在工業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)線中，各類伺服電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的精細(xì)驅(qū)動(dòng)至關(guān)重要。TrenchMOSFET憑借其性能成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的重要器件。以汽車制造生產(chǎn)線為例，用于搬運(yùn)、焊接和組裝的機(jī)械臂，其伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)采用TrenchMOSFET。低導(dǎo)通電阻大幅降低了電機(jī)運(yùn)行時(shí)的功率損耗，減少設(shè)備發(fā)熱，提高了系統(tǒng)效率。同時(shí)，快速的開(kāi)關(guān)速度使得電機(jī)能夠快速響應(yīng)控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)精細(xì)的位置控制和速度調(diào)節(jié)。機(jī)械臂在進(jìn)行精密焊接操作時(shí)，TrenchMOSFET驅(qū)動(dòng)的電機(jī)可以在毫秒級(jí)時(shí)間內(nèi)完成啟動(dòng)、停止和轉(zhuǎn)向，保證焊接位置的準(zhǔn)確性，提升產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。打造全系列N/P溝道車規(guī)級(jí)MOSFET，為日益增長(zhǎng)的汽車需求助力；重慶電...

功率半導(dǎo)體的技術(shù)門檻在于對(duì)應(yīng)用場(chǎng)景的深度理解。 比如服務(wù)器電源需要高頻、大電流的芯片，但電流大了頻率就容易上不去。我們通過(guò)改進(jìn)SGT（屏蔽柵溝槽）及超結(jié)產(chǎn)品工藝，把高頻性能優(yōu)化到接近氮化鎵的水平，成本卻只有三分之一。”這款芯片已通過(guò)幾家頭部服務(wù)器廠商的測(cè)試，計(jì)劃明年量產(chǎn)。技術(shù)團(tuán)隊(duì)的“老炮兒”背景是商甲的核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司研發(fā)負(fù)責(zé)人曾主導(dǎo)過(guò)多款國(guó)產(chǎn)MOSFET的量產(chǎn)，工藝團(tuán)隊(duì)則來(lái)自國(guó)內(nèi)頭部晶圓廠。 “我們的優(yōu)勢(shì)是‘接地氣’——客戶提出需求，我們商甲半導(dǎo)體能快速調(diào)整設(shè)計(jì)和工藝，不用等海外大廠漫長(zhǎng)的排期。” 商甲半導(dǎo)體 MOSFET，高阻抗低功耗，開(kāi)關(guān)迅速，為電路高效運(yùn)行賦能。廣東50...

電吹風(fēng)機(jī)的風(fēng)速和溫度調(diào)節(jié)依賴于精確的電機(jī)和加熱絲控制。TrenchMOSFET應(yīng)用于電吹風(fēng)機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和加熱絲控制電路。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)方面，其低導(dǎo)通電阻使電機(jī)運(yùn)行更加高效，降低了電能消耗，同時(shí)寬開(kāi)關(guān)速度能夠快速響應(yīng)風(fēng)速調(diào)節(jié)指令，實(shí)現(xiàn)不同檔位風(fēng)速的平穩(wěn)切換。在加熱絲控制上，TrenchMOSFET可以精細(xì)控制加熱絲的電流通斷，根據(jù)設(shè)定的溫度檔位，精確調(diào)節(jié)加熱功率。例如，在低溫檔時(shí)，TrenchMOSFET能精確控制電流，使加熱絲保持較低的發(fā)熱功率，避免頭發(fā)過(guò)熱損傷；在高溫檔時(shí)，又能快速加大電流，讓加熱絲迅速升溫，滿足用戶快速吹干頭發(fā)的需求，提升了電吹風(fēng)機(jī)使用的安全性和便捷性。汽車電子應(yīng)用MOS選型。...