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這里有三種方案進行對比考慮：一種是，通過過孔互聯的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。 由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當今的高速系統里，在時延方面顯得尤為重要。 DDR信號質量的測試方法、測試裝置與測試設備與流程；機械DDR測...

DDR測試 大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數據讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據時鐘采樣方式的不同，又分為SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數據采樣，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數據采樣。采用DDR方式的好處是時鐘和數據信號的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數據信號是一樣的...

DDR測試 DDR總線上需要測試的參數高達上百個，而且還需要根據信號斜率進行復雜的查表修正。為了提高DDR信號質量測試的效率，比較好使用的測試軟件進行測試。使用自動測試軟件的優(yōu)點是：自動化的設置向導避免連接和設置錯誤；優(yōu)化的算法可以減少測試時間；可以測試JEDEC規(guī)定的速率，也可以測試用戶自定義的數據速率；自動讀/寫分離技術簡化了測試操作；能夠多次測量并給出一個統計的結果；能夠根據信號斜率自動計算建立/保持時間的修正值。由于DDR5工作時鐘比較高到3.2GHz,系統裕量很小，因此信號的隨機和確定性抖動對于數據的正確傳輸至關重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引入的PJ、傳輸通道損...

8.PCBLayout在實際的PCB設計時，考慮到SI的要求，往往有很多的折中方案。通常，需要優(yōu)先考慮對于那些對信號的完整性要求比較高的。畫PCB時，當考慮以下的一些相關因素，那么對于設計PCB來說可靠性就會更高。1）首先，要在相關的EDA工具里設置好拓撲結構和相關約束。2）將BGA引腳突圍，將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節(jié)組的中間，由于所有這些分組操作，為了盡可能少的信號交叉，一些的管腳也許會被交換到其它區(qū)域布線。3）由串擾仿真的結果可知，盡量減少短線（stubs）長度。通常，短線（stubs）是可以被削減的，但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤和存儲器焊盤...

14.在本發(fā)明的一個實施例中，所述相關信號包括dqs信號、clk信號和dq信號，所述標志信號為dqs信號。15.在本發(fā)明的一個實施例中，所述根據標志信號對示波器進行相關參數配置，具體包括：16.利用示波器分別采集標志信號在數據讀取和數據寫入過程中的電平幅值；17.對標志信號在數據讀取和數據寫入過程中的電平幅值進行比較，確定標志信號的電平閾值；18.在示波器中配置標志信號的電平閾值。19.在本發(fā)明的一個實施例中，所述利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內存的讀寫信號進行信號分離，具體包括：20.將標志信號的實時電平幅值與標志信號的電平閾值進行比較；21.將大于電平閾值的標志信號和小于電平閾值的標志信號...

對于DDR2和DDR3，時鐘信號是以差分的形式傳輸的，而在DDR2里，DQS信號是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當以高度速率工作時則采用差分的方式。顯然，在同樣的長度下，差分線的切換時延是小于單端線的。根據時序仿真的結果，時鐘信號和DQS也許需要比相應的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點。另外，必須確保時鐘線和DQS布在其相關的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個字節(jié)里，它們要有嚴格的長度匹配，而且不能有過孔。差分信號對阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時優(yōu)先考慮布時鐘線和DQS。DDR...

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數據抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關的理論，現在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在...

只在TOP和BOTTOM層進行了布線，存儲器由兩片的SDRAM以菊花鏈的方式所構成。而在DIMM的案例里，只有一個不帶緩存的DIMM被使用。對TOP/BOTTOM層布線的一個閃照圖和信號完整性仿真圖。 ADDRESS和CLOCK網絡，右邊的是DATA和DQS網絡，其時鐘頻率在800 MHz，數據通信率為1600Mbps ADDRESS和CLOCK網絡，右邊的是DATA和DQS網絡，其時鐘頻率在400 MHz，數據通信率為800Mbps ADDRESS和CLOCK網絡，右邊的是DATA和DQS網絡 個經過比較過的數據信號眼圖，一個是仿真的結果，而另一個是實際測量的。在...

4.為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種ddr4內存信號測試方法、裝置及存儲介質，可以反映正常工作狀態(tài)下的波形，可以提高測試效率。5.為實現上述目的，本技術提出技術方案：6.一種ddr4內存信號測試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1，將服務器、ddr4內存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內存中的相關信號并確定標志信號；8.s2，根據標志信號對示波器進行相關參數配置，利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內存的信號進行讀寫信號分離；9.s3，利用示波器對分離后的讀寫信號進行測試。10.在本發(fā)明的一個實施例中，所述將服務器、ddr4內存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集d...

DDR測試 主要的DDR相關規(guī)范，對發(fā)布時間、工作頻率、數據 位寬、工作電壓、參考電壓、內存容量、預取長度、端接、接收機均衡等參數做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細對比?？梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進，同時也在逐漸采用更先進的工藝和更復雜的技術來實現這些目標。以DDR5為例，相 對于之前的技術做了一系列的技術改進，比如在接收機內部有均衡器補償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓練優(yōu)化信號時序、支持總線反轉和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數據訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調測等。 DDR3規(guī)范里關于信號...