靜磁屏蔽：為了使雜散磁場(chǎng)集中到屏蔽罩殼體上，屏蔽罩應(yīng)具有盡可能高的磁導(dǎo)率。所有磁導(dǎo)率高的軟磁材料，如電磁純鐵、球墨鑄鐵、坡莫合金、硅鋼、軟磁鐵氧體等，原則上都可選用。設(shè)計(jì)上應(yīng)按磁屏要求、價(jià)格、殼體強(qiáng)度、加工性能等，綜合考慮后選定。低頻電磁屏蔽：除屏蔽靜磁外，還需兼屏蔽變化的電磁場(chǎng)。如工頻電磁場(chǎng)等。除要求磁導(dǎo)率高外，還要求電導(dǎo)率高。較理想的材料是坡莫合金，考慮到價(jià)格和加工因素，大的屏蔽罩以電磁純鐵為宜。坡莫合金中含鎳量高于40%時(shí)，磁導(dǎo)率和電導(dǎo)率都很好。此外，含鋁15%～16%左右的鐵鋁合金也是常用的磁屏材料。工業(yè)生產(chǎn)：冶金電爐控制、石化設(shè)備保護(hù)、煤礦供電系統(tǒng)。閔行區(qū)特制真空滅弧室設(shè)計(jì)

屏蔽罩是用來屏蔽電子信號(hào)的工具。作用就是屏蔽外界電磁波對(duì)內(nèi)部電路的影響和內(nèi)部產(chǎn)生的電磁波向外輻射。屏蔽罩由支腿及罩體組成，支腿與罩體為活動(dòng)連接；罩體呈球冠狀。此部件主要應(yīng)用于手機(jī)，GPS等領(lǐng)域，是防止電磁干擾（EMI）、對(duì)PCB板上的元件及LCM起屏蔽作用。屏蔽罩的材料一般采用0.2mm厚的不銹鋼和洋白銅為材料，其中洋白銅是一種容易上錫的金屬屏蔽材料。采用SMT貼片時(shí)應(yīng)考慮吸盤的設(shè)計(jì)。屏蔽框一般采用Cu-C7521-H【通用料】，Cu-C7521-OH【軟料，拉深用】（鎳白銅、洋白銅（Copper-Nickel-ZincAlloy），NickelSilver），t=0.2，0.3mm；屏蔽罩一般采用不銹鋼SUS304R-1/2H【折彎加工】，SUS304R-1/4H【拉深用】，t=0.15，0.2mm，鍍錫鋼帶（馬口鐵皮）等；浦東新區(qū)特制真空滅弧室設(shè)計(jì)此工藝，過程較簡(jiǎn)單，一般有7道工序，因而效率較高且人為污染也較少。

屏蔽系統(tǒng)真空滅弧室的屏蔽系統(tǒng)主要由屏蔽筒，屏蔽罩和其他零件組成。屏蔽系統(tǒng)的主要作用是：1.防止觸頭在燃弧過程中產(chǎn)生大量的金屬蒸汽和液滴噴濺，污染絕緣外殼的內(nèi)壁，避免造成真空滅弧室外殼的絕緣強(qiáng)度下降或產(chǎn)生閃絡(luò)。2.改善真空滅弧室內(nèi)部的電場(chǎng)分布，有利于真空滅弧室絕緣外殼的小型化，尤其是對(duì)于高電壓的真空滅弧室小型化有***效果。.吸收一部分電弧能量，冷凝電弧生成物。特別是真空滅弧室在開斷短路電流時(shí)，電弧所產(chǎn)生的熱能大部分被屏蔽系統(tǒng)所吸收，有利于提高觸頭間的介質(zhì)恢復(fù)強(qiáng)度。屏蔽系統(tǒng)吸收電弧生成物的量越大，說明他吸收的能量也越大，這對(duì)增加真空滅弧室的開斷容量起良好作用。

斷路器用真空滅弧室的觸頭材料大都采用銅鉻合金，銅與鉻各占 50%。在上、下觸頭的對(duì)接面上各焊上一塊銅鉻合金片，一般厚度各為3mm。其余部分稱為觸頭座，用無氧銅制造即可。4.2 觸頭結(jié)構(gòu)觸頭結(jié)構(gòu)對(duì)滅孤室的開斷能力有很大影響。采用不同結(jié)構(gòu)觸頭產(chǎn)生的滅弧效果有所不同的，早期采用簡(jiǎn)單的圓柱形觸頭，結(jié)構(gòu)雖簡(jiǎn)單，但開斷能力不能滿足斷路器的要求，*能開斷10kA以下電流，并且*有真空負(fù)荷開關(guān)、高壓真空接觸器等用真空開關(guān)管才采用。常采用的有螺旋糟型結(jié)構(gòu)觸頭、帶斜槽杯狀結(jié)構(gòu)觸頭和縱磁場(chǎng)杯狀結(jié)構(gòu)觸頭三種，其中以采用縱磁場(chǎng)杯狀結(jié)構(gòu)觸頭為主。具有節(jié)能、節(jié)材、防火、防爆、體積小、壽命長(zhǎng)、維護(hù)費(fèi)用低、運(yùn)行可靠和無污染等特點(diǎn)。

排氣臺(tái)工藝真空滅弧室生產(chǎn)工藝流程是指將真空滅弧室的零件通過釬焊及氬弧焊等工藝制成為待排氣的整管，再連接到排氣臺(tái)進(jìn)行抽真空及烘烤除氣，***進(jìn)行冷夾封口的過程。此工藝，過程復(fù)雜、路線長(zhǎng)，一般有9道工序。因而效率低且對(duì)真空滅弧室零件的污染環(huán)節(jié)多。而且，按此工藝生產(chǎn)的真空滅弧室烘烤溫度低（450℃左右），因而除氣不徹底。一次封排工藝是指將真空滅弧室各零件先釬焊成幾個(gè)部件，再將幾個(gè)部件組裝成真空滅弧室整件，然后再在真空爐中完成排氣、烘烤去氣及釬焊封口的過程。此工藝，過程較簡(jiǎn)單，一般有7道工序，因而效率較高且人為污染也較少。此外，按此工藝生產(chǎn)的真空滅弧室烘烤溫度高（800℃～900℃），因而排氣徹底。2024年我國(guó)率先實(shí)現(xiàn)252千伏真空環(huán)保斷路器技術(shù)突破，標(biāo)志著該領(lǐng)域達(dá)到國(guó)際水平 [3]。徐匯區(qū)質(zhì)量真空滅弧室品牌

由玻璃或陶瓷制成的氣密絕緣外殼、動(dòng)端蓋板、定端蓋板，不銹鋼波紋管組成了氣密絕緣系統(tǒng)。閔行區(qū)特制真空滅弧室設(shè)計(jì)

若借助一定的儀器仔細(xì)觀察電弧，可以發(fā)現(xiàn)，除兩個(gè)極（觸頭）外，明顯的分為三個(gè)區(qū)域，即近陰極區(qū)、近陽極區(qū)及弧柱區(qū)，如圖1所示。近陰極區(qū)的長(zhǎng)度約等于電子的平均自由行程（小于10-6m）。在電場(chǎng)力的作用下正離子向陰極運(yùn)動(dòng)，造成此區(qū)域內(nèi)聚集著大量的正離子而形成正的空間電荷層，使陰極附近形成高電場(chǎng)強(qiáng)度（約為10+6~10+7V/m）。正的空間電荷層形成陰極壓降，其數(shù)值隨陰極材料和氣體介質(zhì)的不同而有所變化，但變化不大，約在10～20V之間。閔行區(qū)特制真空滅弧室設(shè)計(jì)

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