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來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-09-04

在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺的種結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本申請實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本申請實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺的工作方法的流程示意圖。具體實(shí)施方式目前剝離液機(jī)臺在工作時(shí),如果過濾剝離光阻時(shí)產(chǎn)生的薄膜碎屑的過濾器被阻塞,則需要剝離液機(jī)臺內(nèi)的所有工作單元,待被阻塞的過濾器被清理后,才能重新進(jìn)行剝離制程,使得機(jī)臺需頻繁停線以更換過濾器,極大的降低了生產(chǎn)效率。請參閱圖1,圖1為本申請實(shí)施例提供的過濾液機(jī)臺100的種結(jié)構(gòu)示意圖。本申請實(shí)施例提供一種剝離液機(jī)臺100,包括:依次順序排列的多級腔室10、每一級所述腔室10對應(yīng)連接一存儲箱20;過濾器30,所述過濾器30的一端設(shè)置通過管道40與當(dāng)前級腔室101對應(yīng)的存儲箱20連接,所述過濾器30的另一端通過第二管道50與下一級腔室102連接;其中,至少在管道40或所述第二管道50上設(shè)置有閥門開關(guān)60。京東方用的哪家的剝離液?紹興ITO蝕刻液剝離液哪里買

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所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器,所述***管道包括多個(gè)***子管道,每一所述***子管道與一子過濾器連通,且所述多個(gè)***子管道與當(dāng)前級腔室對應(yīng)的存儲箱連通。在一些實(shí)施例中,所述第二管道包括公共子管道及多個(gè)第二子管道,每一所述第二子管道與一子過濾器連通,每一所述第二子管道與所述公共子管道連通,所述公共子管道與所述下一級腔室連通。在一些實(shí)施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述***子管道上。在一些實(shí)施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述***子管道及每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中,所述第二管道包括多個(gè)第三子管道,每一所述第三子管道與一子過濾器連通,且每一所述第三子管道與所述下一級腔室連通。在一些實(shí)施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第三子管道上。本申請實(shí)施例還提供一種剝離液機(jī)臺的工作方法,包括:將多級腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級向剝離基板提供剝離液;將來自于當(dāng)前級腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲于當(dāng)前級腔室相應(yīng)的存儲箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑。蕪湖ITO蝕刻液剝離液溶劑質(zhì)量好的剝離液的公司聯(lián)系方式。

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高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固體物料潤濕,剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此,本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中,酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種,酰胺是用于溶解光刻膠;n-甲基甲酰胺下面簡稱″nmf″醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種,醇醚是用于潤濕、膨潤、溶解光刻膠的;二乙二醇丁醚下面簡稱″bdg″。環(huán)胺與鏈胺,用于滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力;鏈胺:分子量的大小決定瞬間溶解力,分子量過大瞬間溶解力小,光刻膠未被完全溶解;分子量過小,對金屬的腐蝕性增強(qiáng),影響產(chǎn)品質(zhì)量。分子量一般在50g/mol-200g/mol,鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種;環(huán)胺:溶解光刻膠中環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂,包括氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種;上述鏈胺與環(huán)胺的比例在4∶1-1∶4之間。緩蝕劑,用于降低對金屬的腐蝕速度,緩蝕劑為三唑類物質(zhì),具體為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。潤濕劑。

本申請涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種剝離液機(jī)臺及其工作方法。背景技術(shù):剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減,lift-off先形成光阻并圖案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同時(shí),沉積在光阻上的膜層也被剝離,從而完成膜層的圖形化,通過該制程可以實(shí)現(xiàn)兩次光刻合并為一次以達(dá)到光罩縮減的目的?,F(xiàn)有技術(shù)中,由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬,ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層),在剝離光阻的同時(shí)薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中,大量的薄膜碎屑將會導(dǎo)致剝離液機(jī)臺中的過濾器(filter)堵塞,從而導(dǎo)致機(jī)臺無法使用,并且需要停止所有剝離液機(jī)臺的工作,待將filter清理后再次啟動,降低了生產(chǎn)效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本申請實(shí)施例提供一種剝離液機(jī)臺及其工作方法,可以提高生產(chǎn)效率。本申請實(shí)施例提供一種剝離液機(jī)臺,包括:依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應(yīng)連接一存儲箱;過濾器,所述過濾器的一端設(shè)置通過管道與當(dāng)前級腔室對應(yīng)的存儲箱連接,所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接;其中,至少在所述管道或所述第二管道上設(shè)置有閥門開關(guān)。在一些實(shí)施例中。剝離液的作用和使用場景。

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例如即使為50/50μm以下的線/間距、推薦10/10~40/40μm的線/間距也能除去抗蝕劑。實(shí)施例以下,舉出實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明,但本發(fā)明不受這些實(shí)施例任何限定。實(shí)施例1抗蝕劑的剝離液的制備:將以下的表1中記載的成分在水中混合、溶解而制備抗蝕劑的剝離液?!颈?】(mol/l)氫氧化鉀氫氧化鈉異丙基溶纖劑硅酸鉀本發(fā)明組成:(1)基板制作方法為了提**膜抗蝕劑一基材間的密合,將覆銅層疊板(古河電工(株式會社)制:ccl:電解銅箔gts35μm箔)通過粗化處理(jcu制:ebakemuneobrownnbsii、蝕刻量μm)使表面粗度成為ra約μm。其后,使用干膜抗蝕劑(日立化成制:rd-1225(sap用):25μm厚)實(shí)施從層壓到圖案曝光、顯影。向本基板以15μm厚實(shí)施鍍銅(jcu制:cu-britevl)后,切出50×50mm2作為試驗(yàn)片。需要說明的是,該試驗(yàn)片是在一片上具有以下的表2的l/s的圖案部分和黏性部分的試驗(yàn)片。(2)圖案基板上殘留的抗蝕劑的評價(jià)方法上述評價(jià)方法中將噴涂運(yùn)行時(shí)間固定在4分鐘,按照以下的評價(jià)基準(zhǔn)評價(jià)l/s=20/20~40/40μm的圖案部分有無剝離殘?jiān)⑵浣Y(jié)果示于表2。<剝離殘?jiān)脑u價(jià)基準(zhǔn)>(分?jǐn)?shù))(內(nèi)容)1:無殘?jiān)?:有極少量殘?jiān)?。上海和輝光電用的哪家的剝離液?哪家剝離液費(fèi)用

高效剝離液,讓光刻膠去除更輕松、更徹底。紹興ITO蝕刻液剝離液哪里買

本技術(shù)通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的:一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置,包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu),所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架,所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī),所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)置有所述電機(jī)減速箱,所述電機(jī)減速箱上方安裝有印刷品傳送帶,所述印刷品傳送帶一側(cè)安裝有所述印刷品放置箱,所述印刷品放置箱一側(cè)安裝有所述表面印刷結(jié)構(gòu),所述表面印刷結(jié)構(gòu)上方設(shè)置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安裝有油墨加壓器,所述油墨加壓器下方安裝有高壓噴頭,所述高壓噴頭一側(cè)安裝有防濺射擋板。紹興ITO蝕刻液剝離液哪里買