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來源: 發(fā)布時間:2025-08-27

所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器,所述***管道包括多個***子管道,每一所述***子管道與一子過濾器連通,且所述多個***子管道與當(dāng)前級腔室對應(yīng)的存儲箱連通。在一些實施例中,所述第二管道包括公共子管道及多個第二子管道,每一所述第二子管道與一子過濾器連通,每一所述第二子管道與所述公共子管道連通,所述公共子管道與所述下一級腔室連通。在一些實施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述***子管道上。在一些實施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第二子管道上。在一些實施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述***子管道及每一所述第二子管道上。在一些實施例中,所述第二管道包括多個第三子管道,每一所述第三子管道與一子過濾器連通,且每一所述第三子管道與所述下一級腔室連通。在一些實施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第三子管道上。本申請實施例還提供一種剝離液機臺的工作方法,包括:將多級腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級向剝離基板提供剝離液;將來自于當(dāng)前級腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲于當(dāng)前級腔室相應(yīng)的存儲箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑。哪家的剝離液價格比較低?上海哪家蝕刻液剝離液銷售廠家

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采用此方法可以制備出負(fù)性光刻膠所能制備的任意結(jié)構(gòu),同時相比于傳統(tǒng)的加工,本方案加工效率可以提高上千倍,且圖形的結(jié)構(gòu)越大相對的加工效率越高。本發(fā)明為微納制造領(lǐng)域,光學(xué)領(lǐng)域,電學(xué)領(lǐng)域,聲學(xué)領(lǐng)域,生物領(lǐng)域,mems制造,nems制造,集成電路等領(lǐng)域提供了一種新的有效的解決方案。附圖說明圖1為本發(fā)明制備用電子束在pmma上曝光出圓形陣列的輪廓;圖2為本發(fā)明用黏貼層撕走pmma輪廓以外的結(jié)構(gòu)后得到的圓形柱狀陣列;圖3為實施例1步驟三的結(jié)構(gòu)圖;圖4為實施例1步驟四的結(jié)構(gòu)圖;圖5為實施例1步驟五的結(jié)構(gòu)圖;圖6為實施例1步驟六的結(jié)構(gòu)圖。具體實施方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。實施例1一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法,包括以下步驟:步驟一、提供襯底,并清洗;步驟二、使用十三氟正辛基硅烷利用高溫氣體修飾法對襯底進(jìn)行修飾;步驟三、利用旋涂的方法在襯底上旋涂光刻膠pmma得到薄膜,如圖3。步驟四、在光刻膠上加工出所需結(jié)構(gòu)的輪廓如圓形,如圖4所示。步驟五、在加工出結(jié)構(gòu)輪廓的薄膜上面覆蓋一層黏貼層,如圖5。步驟六、揭開黏貼層及結(jié)構(gòu)輪廓以外的薄膜,在襯底上留下輪廓內(nèi)的微納尺度結(jié)構(gòu)。南京什么剝離液生產(chǎn)博洋剝離液供應(yīng)廠商,專業(yè)分離設(shè)備,智能研發(fā),工程項目,經(jīng)驗豐富,質(zhì)量可靠,歡迎隨時來電咨詢!

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所述硫脲類緩蝕劑包括硫脲、苯基硫脲或月桂酰基硫脲中的一種。具體的,所述聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑為聚氧乙烯聚氧丙烯單丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一種。采用上述技術(shù)方案,本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是:本用于疊層晶圓的光刻膠剝離液具有較快的剝離速度,對金屬的腐蝕率低,而且使用壽命長。具體實施方式本發(fā)明涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液,配方包括10~20wt%二甲基亞砜,10~20wt%一乙醇胺,5~11wt%四甲基氫氧化銨,~1wt%硫脲類緩蝕劑和~2wt%聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑,5~15wt%n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑因為分子中的醚鍵不易被酸、堿破壞,所以穩(wěn)定性較高,水溶性較好,耐電解質(zhì),易于生物降解,泡沫小。硫脲類緩蝕劑呈現(xiàn)弱堿性,所以在酸性介質(zhì)中能夠起到緩蝕的效果,另外與聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑和n-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高處理量的作用。下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

該方法包括:步驟110、將多級腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級向剝離基板提供剝離液;步驟120、將來自于當(dāng)前級腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲于當(dāng)前級腔室相應(yīng)的存儲箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑;步驟130、使用當(dāng)前級腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級腔室;步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān);步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個并列排布的子過濾器,則可以關(guān)閉被阻塞的子過濾器的閥門,因此,步驟140還可以包括:若所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器,則關(guān)閉連接被阻塞的所述子過濾器的管道上的閥門開關(guān)。在上述實施例中,對各個實施例的描述都各有側(cè)重,某個實施例中沒有詳述的部分,可以參見其他實施例的相關(guān)描述。以上對本申請實施例進(jìn)行了詳細(xì)介紹,本文中應(yīng)用了具體個例對本申請的原理及實施方式進(jìn)行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本申請的技術(shù)方案及其思想;本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。高效剝離液,讓光刻膠去除更輕松、更徹底。

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本申請涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種剝離液機臺及其工作方法。背景技術(shù):剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減,lift-off先形成光阻并圖案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同時,沉積在光阻上的膜層也被剝離,從而完成膜層的圖形化,通過該制程可以實現(xiàn)兩次光刻合并為一次以達(dá)到光罩縮減的目的。現(xiàn)有技術(shù)中,由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬,ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層),在剝離光阻的同時薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中,大量的薄膜碎屑將會導(dǎo)致剝離液機臺中的過濾器(filter)堵塞,從而導(dǎo)致機臺無法使用,并且需要停止所有剝離液機臺的工作,待將filter清理后再次啟動,降低了生產(chǎn)效率。技術(shù)實現(xiàn)要素:本申請實施例提供一種剝離液機臺及其工作方法,可以提高生產(chǎn)效率。本申請實施例提供一種剝離液機臺,包括:依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應(yīng)連接一存儲箱;過濾器,所述過濾器的一端設(shè)置通過***管道與當(dāng)前級腔室對應(yīng)的存儲箱連接,所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接;其中,至少在所述***管道或所述第二管道上設(shè)置有閥門開關(guān)。在一些實施例中。哪家的剝離液比較好用點?嘉興哪家蝕刻液剝離液批量定制

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砷化鎵也有容易被腐蝕的特點,比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠,也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后,需要去除光刻膠之后進(jìn)行下一步。有時直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對于等離子體處理過的光刻膠,一般就比較難去除干凈。有的人把加熱到60℃,雖然去膠效果快了一些,但是沸點是60℃,揮發(fā)的特別快,而且**蒸汽也有易燃的風(fēng)險,因此找一款去膠效果好的光刻膠剝離液十分有必要。介紹常見的一款剝離液,該剝離液去膠效果好,但是對砷化鎵有輕微腐蝕,不易長時間浸泡。工藝參數(shù)因產(chǎn)品和光刻膠的種類而不同,但基本上都要加熱。上海哪家蝕刻液剝離液銷售廠家