衡量沉積質(zhì)量的主要指標(biāo)有以下幾項(xiàng)：指標(biāo)就是均勻度。顧名思義，該指標(biāo)就是衡量沉積薄膜厚度均勻與否的參數(shù)。薄膜沉積和刻蝕工藝一樣，需將整張晶圓放入沉積設(shè)備中。因此，晶圓表面不同角落的沉積涂層有可能厚度不一。高均勻度表明晶圓各區(qū)域形成的薄膜厚度非常均勻。第二個(gè)指標(biāo)為臺階覆蓋率（StepCoverage）。如果晶圓表面有斷層或凹凸不平的地方，就不可能形成厚度均勻的薄膜。臺階覆蓋率是考量膜層跨臺階時(shí)，在臺階處厚度損失的一個(gè)指標(biāo)，即跨臺階處的膜層厚度與平坦處膜層厚度的比值。真空鍍膜過程中需使用品質(zhì)高的鍍膜材料。LPCVD真空鍍膜代工

目前認(rèn)為濺射現(xiàn)象是彈性碰撞的直接結(jié)果，濺射完全是動能的交換過程。當(dāng)正離子轟擊陰極靶，入射離子撞擊靶表面上的原子時(shí)，產(chǎn)生彈性碰撞，它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個(gè)原子或分子，該表面原子獲得動能再向靶內(nèi)部原子傳遞，經(jīng)過一系列的級聯(lián)碰撞過程，當(dāng)其中某一個(gè)原子或分子獲得指向靶表面外的動量，并且具有了克服表面勢壘(結(jié)合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。ITO薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn合金靶、In2O3-SnO2陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO薄膜時(shí),由于濺射過程中作為反應(yīng)氣體的氧會和靶發(fā)生很強(qiáng)的電化學(xué)反應(yīng),靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱“靶中毒”),以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出高質(zhì)的ITO膜。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學(xué)配比穩(wěn)定地成膜,故無中毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。韶關(guān)真空鍍膜儀真空鍍膜技術(shù)能提升產(chǎn)品的市場競爭力。

反應(yīng)濺射是在濺射鍍膜中，引入某些活性反應(yīng)氣體與濺射成不同于靶材的化合物薄膜。反應(yīng)氣體有Ｏ2、Ｎ2、ＣＨ4等。反應(yīng)濺射的靶材可以是純金屬，也可以是化合物，反應(yīng)濺射也可采用磁控濺射。如氮化鋁薄膜可以采用磁控濺射鋁靶材，氣體通入一比一的氬氣和氮?dú)猓磻?yīng)濺射的優(yōu)點(diǎn)是比直接濺射氮化鋁靶材時(shí)間更快。磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進(jìn)行調(diào)整，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整。但反應(yīng)氣體過量時(shí)可能會造成靶中毒。

LPCVD設(shè)備中較少用的是旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備，因?yàn)槠渚哂薪Y(jié)構(gòu)復(fù)雜、操作困難、沉積速率低、產(chǎn)能小等缺點(diǎn)。旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備的主要優(yōu)點(diǎn)是可以通過旋轉(zhuǎn)襯底來改善薄膜的均勻性和厚度分布。旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備可以根據(jù)不同的旋轉(zhuǎn)方式進(jìn)行分類。常見的分類有以下幾種：（1）單軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底只圍繞一個(gè)軸旋轉(zhuǎn)；（2）雙軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底圍繞兩個(gè)軸旋轉(zhuǎn)；（3）多軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底圍繞多個(gè)軸旋轉(zhuǎn)。鍍膜層厚度可通過調(diào)整參數(shù)精確控制。

在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)(或?yàn)R射)，使其沉積在被涂覆的物體(稱基片、基板或基體)上的方法稱為真空鍍膜法。真空蒸鍍簡稱蒸鍍，是在真空條件下，用一定的方法加熱鍛膜材料(簡稱膜料)使之氣化，并沉積在工件表面形成固態(tài)薄膜。以動量傳遞的方法，用荷能粒子轟擊材料表面，使其表面原子獲得足夠的能量而飛逸出來的過程稱為濺射。離子鍍膜技術(shù)簡稱離子鍍，離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí)把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在基片上。電阻加熱蒸鍍是用絲狀或片狀的鎢、鉬、鉭高熔點(diǎn)金屬做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，將膜料放在其中，接通電源，電阻直接加熱膜料而使其蒸發(fā)。鍍膜層能有效提升產(chǎn)品的抗劃痕能力。徐州小家電真空鍍膜

鍍膜層能明顯提升產(chǎn)品的耐磨性。LPCVD真空鍍膜代工

鍍膜機(jī)中的電子束加熱的方法與傳統(tǒng)的電阻加熱的方法相比較的話。電子束加熱會產(chǎn)生更高的通量密度，這樣的話對于高熔點(diǎn)的材料的蒸發(fā)比較有利，而且還可以使的蒸發(fā)的速率得到一定程度上的提高。蒸發(fā)鍍膜機(jī)在工作的時(shí)候會將需要被蒸發(fā)的原材料放入到水冷銅坩堝內(nèi)，這樣就可以保證材料避免被污染，可以制造純度比較高的薄膜，電子束蒸發(fā)的粒子動能比較的大，這樣會有利于薄膜的精密性和結(jié)合力。電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)的整體的構(gòu)造比較的復(fù)雜，價(jià)格相較于其他的鍍膜設(shè)備而言比較的偏高。鍍膜機(jī)在工作的時(shí)候，如果蒸發(fā)源附近的蒸汽的密度比較高的話，就會使得電子束流和蒸汽粒子之間發(fā)生一些相互的作用，將會對電子的通量產(chǎn)生影響，使得電子的通量散失或者偏移軌道。同時(shí)你還可能會引發(fā)蒸汽和殘余的氣體的激發(fā)和電離，以此影響到整個(gè)薄膜的質(zhì)量。LPCVD真空鍍膜代工