LPCVD設(shè)備中常用的是水平式LPCVD設(shè)備，因?yàn)槠渚哂薪Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便、沉積速率高、產(chǎn)能大等優(yōu)點(diǎn)。水平式LPCVD設(shè)備可以根據(jù)不同的加熱方式進(jìn)行分類。常見(jiàn)的分類有以下幾種：（1）電阻絲加熱式LPCVD設(shè)備，是指使用電阻絲作為加熱元件，將電阻絲纏繞在反應(yīng)室外壁或內(nèi)壁上，通過(guò)電流加熱反應(yīng)室和襯底；（2）鹵素?zé)艏訜崾絃PCVD設(shè)備，是指使用鹵素?zé)糇鳛榧訜嵩?，將鹵素?zé)舭惭b在反應(yīng)室外壁或內(nèi)壁上，通過(guò)輻射加熱反應(yīng)室和襯底；（3）感應(yīng)加熱式LPCVD設(shè)備，是指使用感應(yīng)線圈作為加熱元件，將感應(yīng)線圈圍繞在反應(yīng)室外壁或內(nèi)壁上，通過(guò)電磁感應(yīng)加熱反應(yīng)室和襯底。真空鍍膜技術(shù)可用于制造光學(xué)鏡片。MEMS真空鍍膜廠家

LPCVD設(shè)備中較少用的是旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備，因?yàn)槠渚哂薪Y(jié)構(gòu)復(fù)雜、操作困難、沉積速率低、產(chǎn)能小等缺點(diǎn)。旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備的主要優(yōu)點(diǎn)是可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)襯底來(lái)改善薄膜的均勻性和厚度分布。旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備可以根據(jù)不同的旋轉(zhuǎn)方式進(jìn)行分類。常見(jiàn)的分類有以下幾種：（1）單軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底只圍繞一個(gè)軸旋轉(zhuǎn)；（2）雙軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底圍繞兩個(gè)軸旋轉(zhuǎn)；（3）多軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底圍繞多個(gè)軸旋轉(zhuǎn)。廣東小家電真空鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料，使原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流。

LPCVD加熱系統(tǒng)是用于提供反應(yīng)所需的高溫的部分，通常由電阻絲或鹵素?zé)艚M成。溫度控制系統(tǒng)是用于監(jiān)測(cè)和調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)溫度的部分，通常由溫度傳感器和控制器組成。壓力控制系統(tǒng)是用于監(jiān)測(cè)和調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)壓力的部分，通常由壓力傳感器和控制器組成。流量控制系統(tǒng)是用于監(jiān)測(cè)和調(diào)節(jié)氣體前驅(qū)體的流量的部分，通常由流量計(jì)和控制器組成。LPCVD設(shè)備的設(shè)備構(gòu)造還需要考慮以下幾個(gè)方面的因素：（1）反應(yīng)室的形狀和尺寸，影響了氣體在反應(yīng)室內(nèi)的流動(dòng)和分布，從而影響了薄膜的均勻性和質(zhì)量；（2）反應(yīng)室的材料和表面處理，影響了反應(yīng)室壁面上沉積的材料和顆粒污染，從而影響了薄膜的純度和清洗頻率；（3）襯底的放置方式和數(shù)量，影響了襯底之間的間距和方向，從而影響了薄膜的厚度和均勻性；（4）加熱方式和溫度分布，影響了襯底材料的熱損傷和熱預(yù)算，從而影響了薄膜的結(jié)構(gòu)和性能。

LPCVD設(shè)備的工藝參數(shù)主要包括以下幾個(gè)方面：（1）氣體前驅(qū)體的種類和比例，影響了薄膜的組成和性能；（2）氣體前驅(qū)體的流量和壓力，影響了薄膜的沉積速率和均勻性；（3）反應(yīng)溫度和時(shí)間，影響了薄膜的結(jié)構(gòu)和質(zhì)量；（4）襯底材料和表面處理，影響了薄膜的附著力和界面特性。不同類型的薄膜材料需要使用不同的工藝參數(shù)。例如，多晶硅的沉積需要使用硅烷作為氣體前驅(qū)體，流量為50-200sccm，壓力為0.1-1Torr，溫度為525-650℃，時(shí)間為10-60min；氮化硅的沉積需要使用硅烷和氨作為氣體前驅(qū)體，比例為1:3-1:10，流量為100-500sccm，壓力為0.2-0.8Torr，溫度為700-900℃，時(shí)間為10-30min。先進(jìn)的真空鍍膜技術(shù)提升產(chǎn)品美觀度。

LPCVD設(shè)備中的工藝參數(shù)之間是相互影響和相互制約的，不能單獨(dú)考慮或調(diào)節(jié)。例如，反應(yīng)溫度、壓力、流量、種類和比例都會(huì)影響反應(yīng)速率和沉積速率，而沉積速率又會(huì)影響薄膜的厚度和時(shí)間。因此，為了得到理想的薄膜材料，需要綜合考慮各個(gè)工藝參數(shù)之間的關(guān)系和平衡，通過(guò)實(shí)驗(yàn)或模擬來(lái)確定比較好的工藝參數(shù)組合。一般來(lái)說(shuō)，LPCVD設(shè)備中有以下幾種常用的工藝參數(shù)優(yōu)化方法：（1）正交試驗(yàn)法，是指通過(guò)設(shè)計(jì)正交表來(lái)安排實(shí)驗(yàn)次數(shù)和水平，通過(guò)分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)確定各個(gè)工藝參數(shù)對(duì)薄膜性能的影響程度和比較好水平；（2）響應(yīng)面法，是指通過(guò)建立數(shù)學(xué)模型來(lái)描述各個(gè)工藝參數(shù)與薄膜性能之間的關(guān)系，通過(guò)求解模型來(lái)確定比較好的工藝參數(shù)組合；（3）遺傳算法法，是指通過(guò)模擬自然選擇和遺傳變異等過(guò)程來(lái)搜索比較好的工藝參數(shù)組合。鍍膜過(guò)程需在高度真空環(huán)境中進(jìn)行。西安來(lái)料真空鍍膜

高質(zhì)量的真空鍍膜能增強(qiáng)材料性能。MEMS真空鍍膜廠家

PECVD（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或等離子體輔助化學(xué)氣相沉積），是一種利用等離子體在較低溫度下進(jìn)行沉積的一種薄膜生長(zhǎng)技術(shù)。等離子體中大部分原子或分子被電離，通常使用射頻(RF)產(chǎn)生，但也可以通過(guò)交流電(AC)或直流電(DC)在兩個(gè)平行電極之間放電產(chǎn)生。PECVD是一種基于真空的工藝，通常在<0.1Torr的壓力下進(jìn)行，允許相對(duì)較低的基板溫度，從室溫到300°C。通過(guò)利用等離子體為這些沉積反應(yīng)的發(fā)生提供能量，而不是將基板加熱到很高的的溫度來(lái)驅(qū)動(dòng)這些沉積反應(yīng)。由于PECVD沉積溫度較低，沉積的薄膜應(yīng)力較小，結(jié)合力更強(qiáng)。MEMS真空鍍膜廠家