針對(duì)碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備,將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%,開關(guān)損耗減少 20%,推動(dòng)車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu),使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助...
針對(duì)植入式醫(yī)療設(shè)備的長(zhǎng)期安全性問(wèn)題,某生物電子實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)在聚乳酸()基底上制備可降解電極。其無(wú)掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染,使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2,生物相容性測(cè)試顯示細(xì)胞存活率達(dá) 99%。通過(guò)自定義螺旋狀天線圖案,開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測(cè)器,在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個(gè)月,信號(hào)傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%,相關(guān)技術(shù)已進(jìn)入臨床前生物相容性評(píng)價(jià)階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件...
無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。軟件高效兼容:BEAM Xplorer支持GDS文件導(dǎo)入,簡(jiǎn)化復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程。四川POLOSBEAM光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化Polos-BESM在電...